公开(公告)号：CN108242382B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN201711417986.2

申请日：2017-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢泳辰 ,  金京善 ,  沈承辅 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  崔原荣

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种等离子体处理装置包括：支撑晶片的静电卡盘；设置为围绕晶片的外周表面的调节环；设置为围绕调节环的外周表面的绝缘环；以及支撑调节环的下部分和绝缘环的下部分的边缘环，边缘环与静电卡盘间隔开并且围绕静电卡盘的外周表面；其中边缘环包括在其中容纳流体的流道。

公开(公告)号：CN116564782A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202211386948.6

申请日：2022-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金学泳 ,  金道源 ,  任志洙 ,  卢泳辰 ,  朴哲佑 ,  许敏宁

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C16/505 ,  C23C16/455

Abstract: 公开的是等离子体导流板、衬底处理装置和衬底处理方法。所述等离子体导流板包括：下环；上环，所述上环在俯视图中位于所述下环外部并且垂直地延伸；以及中间环，所述中间环从所述下环延伸到所述上环以相对于水平方向形成锐角。所述下环包括：下中央孔，所述下中央孔垂直地穿过所述下环的中心；以及多个下狭缝，所述多个下狭缝位于所述下中央孔外部并且垂直地穿透所述下环。所述中间环提供将所述中间环的内侧表面连接到所述中间环的外侧表面的中间狭缝。所述多个下狭缝与所述下环的面积比等于或大于大约59％。

公开(公告)号：CN111180303B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN201910883431.X

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李恩雨 ,  金教赫 ,  金晓星 ,  宣钟宇 ,  沈承辅 ,  李炅勋 ,  李在铉 ,  任志洙 ,  许敏宁

IPC: H01J37/32

Abstract: 等离子体处理设备包括基板卡盘、聚焦环和边缘块，基板卡盘具有用于支撑基板的第一表面、与第一表面相对的第二表面及侧壁，聚焦环用于包围基板的周界；边缘块用于支撑聚焦环。所述边缘块包括位于基板卡盘的侧壁上的侧电极和位于基板卡盘的第二表面上的底电极。

公开(公告)号：CN108242382A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711417986.2

申请日：2017-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢泳辰 ,  金京善 ,  沈承辅 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  崔原荣

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334

Abstract: 一种等离子体处理装置包括：支撑晶片的静电卡盘；设置为围绕晶片的外周表面的调节环；设置为围绕调节环的外周表面的绝缘环；以及支撑调节环的下部分和绝缘环的下部分的边缘环，边缘环与静电卡盘间隔开并且围绕静电卡盘的外周表面；其中边缘环包括在其中容纳流体的流道。

公开(公告)号：CN110323117B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201910211420.7

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  成德镛 ,  卢泳辰 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  姜泂模 ,  韩丙勳 ,  李天揆 ,  堀口将人

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，用于支撑晶圆并包括下电极；上电极，设置在卡盘台上；AC电源，将具有不同大小的频率的第一信号至第三信号施加到上电极或下电极；介电环，围绕卡盘台；边缘电极，位于介电环内；以及谐振电路，连接到边缘电极。谐振电路包括：滤波器电路，允许第一信号至第三信号之中的仅第三信号通过；以及串联谐振电路，与滤波器电路串联连接，并具有串联连接且接地的第一线圈和第一可变电容器。

公开(公告)号：CN111180303A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201910883431.X

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李恩雨 ,  金教赫 ,  金晓星 ,  宣钟宇 ,  沈承辅 ,  李炅勋 ,  李在铉 ,  任志洙 ,  许敏宁

IPC: H01J37/32

Abstract: 等离子体处理设备包括基板卡盘、聚焦环和边缘块，基板卡盘具有用于支撑基板的第一表面、与第一表面相对的第二表面及侧壁，聚焦环用于包围基板的周界；边缘块用于支撑聚焦环。所述边缘块包括位于基板卡盘的侧壁上的侧电极和位于基板卡盘的第二表面上的底电极。

公开(公告)号：CN110323117A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910211420.7

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  成德镛 ,  卢泳辰 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  姜泂模 ,  韩丙勳 ,  李天揆 ,  堀口将人

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，用于支撑晶圆并包括下电极；上电极，设置在卡盘台上；AC电源，将具有不同大小的频率的第一信号至第三信号施加到上电极或下电极；介电环，围绕卡盘台；边缘电极，位于介电环内；以及谐振电路，连接到边缘电极。谐振电路包括：滤波器电路，允许第一信号至第三信号之中的仅第三信号通过；以及串联谐振电路，与滤波器电路串联连接，并具有串联连接且接地的第一线圈和第一可变电容器。

公开(公告)号：CN109087842A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810600372.6

申请日：2018-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  姜南俊 ,  罗世权 ,  禹济宪 ,  林承奎 ,  任志洙

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体处理设备和一种用于利用其制造半导体装置的方法。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，其被构造为在其上支承晶圆；电介质环，其被构造为围绕卡盘台的外围，电介质环包括顺电材料；以及介电常数控制器，其被构造为控制电介质环的介电常数。