公开(公告)号：US20120135591A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13364753

申请日：2012-02-02

申请人： Thomas W. DYER ,  Haining S. YANG

发明人： Thomas W. DYER ,  Haining S. YANG

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7846 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7845

摘要： Semiconductor devices are provided which have a tensile and/or compressive strain applied thereto and methods of manufacturing. A method of forming a semiconductor structure includes forming sidewalls and spacers adjacent to a gate stack structure, and forming a recess in the gate stack structure. The method further includes epitaxially growing a straining material on a polysilicon layer of the gate stack structure, and in the recess in the gate stack structure. The straining material is Si:C and the gate stack structure is a PFET gate stack structure. The straining material is grown above and covering a top surface of the sidewalls and the spacers.

摘要翻译： 提供了具有施加于其上的拉伸和/或压缩应变的半导体器件及其制造方法。 一种形成半导体结构的方法包括：形成邻近栅叠层结构的侧壁和隔离层，以及在栅叠层结构中形成凹陷。 该方法还包括在栅极堆叠结构的多晶硅层上以及在栅极堆叠结构的凹槽中外延生长应变材料。 应变材料是Si：C，栅极堆叠结构是PFET栅极堆叠结构。 应变材料生长在侧壁和间隔物的顶表面上方并覆盖其顶表面。

公开(公告)号：US20120175640A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13424613

申请日：2012-03-20

申请人： Thomas W. DYER ,  Haining S. YANG

发明人： Thomas W. DYER ,  Haining S. YANG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L29/7846 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7845

摘要： Semiconductor devices are provided which have a tensile and/or compressive strain applied thereto and methods of manufacturing. The structure includes a gate stack comprising an oxide layer, a polysilicon layer and sidewalls with adjacent spacers. The structure further includes an epitaxially grown straining material directly on the polysilicon layer and between portions of the sidewalls. The epitaxially grown straining material, in a relaxed state, strains the polysilicon layer.

摘要翻译： 提供了具有施加于其上的拉伸和/或压缩应变的半导体器件及其制造方法。 该结构包括包括氧化物层，多晶硅层和具有相邻间隔物的侧壁的栅极堆叠。 该结构还包括直接在多晶硅层上和侧壁的部分之间的外延生长的应变材料。 处于松弛状态的外延生长的应变材料使多晶硅层变形。