公开(公告)号：US20090263951A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12493673

申请日：2009-06-29

申请人： Junichi Shibata ,  Takeshi Harada ,  Akira Ueki

发明人： Junichi Shibata ,  Takeshi Harada ,  Akira Ueki

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/764

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes the steps of forming an insulating film on a semiconductor substrate, forming a plurality of wiring trenches in the insulating film, forming a plurality of wirings in the plurality of wiring trenches, forming a resist mask having an opening for selectively exposing one of regions between the plurality of wirings, on the insulating film and the plurality of wirings, forming an air gap trench by removing the insulating film from the selectively exposed one of the regions between the plurality of wirings by etching using the resist mask, and forming an air gap in the air gap trench by depositing an inter-layer insulating film over the plurality of wirings after removal of the resist mask.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成绝缘膜，在绝缘膜中形成多个布线沟槽，在多个布线沟槽中形成多个布线，形成具有开口的抗蚀剂掩模 用于选择性地暴露多个布线中的一个区域，在绝缘膜和多个布线之间，通过使用抗蚀剂通过蚀刻从多个布线中的选择性暴露的一个区域中去除绝缘膜而形成气隙沟槽 掩模，并且在除去抗蚀剂掩模之后，在多个布线之间沉积层间绝缘膜，在气隙沟槽中形成气隙。

公开(公告)号：US08927416B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US13274039

申请日：2011-10-14

申请人： Takeshi Harada ,  Junichi Shibata ,  Akira Ueki

发明人： Takeshi Harada ,  Junichi Shibata ,  Akira Ueki

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/22 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A first insulating film is formed on a semiconductor substrate, an interconnect groove is formed in the first insulating film, the inside of the interconnect groove is filled with a metal film, thereby forming a first interconnect. Then, a protective film is formed on the first insulating film and the first interconnect, and the surface of the protective film is exposed to reactive gas, thereby forming a reaction layer on an interface between the first interconnect and the protective film.

摘要翻译： 第一绝缘膜形成在半导体衬底上，在第一绝缘膜中形成互连槽，互连槽的内部填充有金属膜，从而形成第一互连。 然后，在第一绝缘膜和第一布线上形成保护膜，并且将保护膜的表面暴露于反应性气体，从而在第一互连和保护膜之间的界面上形成反应层。

公开(公告)号：US20120032333A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13274039

申请日：2011-10-14

申请人： Takeshi Harada ,  Junichi Shibata ,  Akira Ueki

发明人： Takeshi Harada ,  Junichi Shibata ,  Akira Ueki

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A first insulating film is formed on a semiconductor substrate, an interconnect groove is formed in the first insulating film, the inside of the interconnect groove is filled with a metal film, thereby forming a first interconnect. Then, a protective film is formed on the first insulating film and the first interconnect, and the surface of the protective film is exposed to reactive gas, thereby forming a reaction layer on an interface between the first interconnect and the protective film.

摘要翻译： 第一绝缘膜形成在半导体衬底上，在第一绝缘膜中形成互连槽，互连槽的内部填充有金属膜，从而形成第一互连。 然后，在第一绝缘膜和第一布线上形成保护膜，并且将保护膜的表面暴露于反应性气体，从而在第一互连和保护膜之间的界面上形成反应层。

公开(公告)号：US08035232B2

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：US12437944

申请日：2009-05-08

申请人： Takeshi Harada ,  Junichi Shibata ,  Akira Ueki

发明人： Takeshi Harada ,  Junichi Shibata ,  Akira Ueki

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An interlayer insulating film is formed on the upper surface of a semiconductor substrate, and lower-level interconnects are formed in the interlayer insulating film. A liner insulating film is formed on the upper surfaces of the interlayer insulating film and lower-level interconnects. An interlayer insulating film is formed on the upper surface of the liner insulating film. Upper-level interconnects are formed in the interlayer insulating film. The lower-level interconnects and the upper-level interconnects are connected with each other through vias. Parts of the liner insulating film formed in via-adjacent regions have a greater thickness than a part thereof formed outside the via-adjacent regions.

摘要翻译： 在半导体衬底的上表面上形成层间绝缘膜，在层间绝缘膜中形成下层布线。 衬层绝缘膜形成在层间绝缘膜和下层互连的上表面上。 在衬垫绝缘膜的上表面上形成层间绝缘膜。 在层间绝缘膜中形成上层布线。 下层互连和上层互连通过通孔彼此连接。 形成在通孔相邻区域中的衬垫绝缘膜的部分具有比形成在通孔相邻区域之外的部分更大的厚度。

公开(公告)号：US08084352B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US12131968

申请日：2008-06-03

申请人： Takeshi Harada ,  Junichi Shibata ,  Akira Ueki

发明人： Takeshi Harada ,  Junichi Shibata ,  Akira Ueki

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/5222 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L2221/1078 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A high-density N-type diffusion layer 116 formed in a separation area 115 makes it possible to reduce a collector current flowing through a parasitic NPN transistor 102. Thus, a normal CMOS process can be used to provide a driving circuit and a data line driver which make it possible to improve resistance to possible noise occurring between adjacent terminals, while controlling a chip size.

摘要翻译： 形成在分离区域115中的高密度N型扩散层116使得可以减少流过寄生NPN晶体管102的集电极电流。因此，可以使用正常的CMOS工艺来提供驱动电路和数据线 驱动器，其可以在控制芯片尺寸的同时提高在相邻端子之间发生的可能的噪声的抵抗力。

公开(公告)号：US20080299758A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：US12131968

申请日：2008-06-03

申请人： Takeshi Harada ,  Junichi Shibata ,  Akira Ueki

发明人： Takeshi Harada ,  Junichi Shibata ,  Akira Ueki

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/5222 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L2221/1078 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A high-density N-type diffusion layer 116 formed in a separation area 115 makes it possible to reduce a collector current flowing through a parasitic NPN transistor 102. Thus, a normal CMOS process can be used to provide a driving circuit and a data line driver which make it possible to improve resistance to possible noise occurring between adjacent terminals, while controlling a chip size.

摘要翻译： 形成在分离区域115中的高密度N型扩散层116使得可以减少流过寄生NPN晶体管102的集电极电流。因此，可以使用正常的CMOS工艺来提供驱动电路和数据线 驱动器，其可以在控制芯片尺寸的同时提高在相邻端子之间发生的可能的噪声的抵抗力。

公开(公告)号：US08034693B2

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：US12493673

申请日：2009-06-29

申请人： Junichi Shibata ,  Takeshi Harada ,  Akira Ueki

发明人： Junichi Shibata ,  Takeshi Harada ,  Akira Ueki

IPC分类号： H01L21/678

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes the steps of forming an insulating film on a semiconductor substrate, forming a plurality of wiring trenches in the insulating film, forming a plurality of wirings in the plurality of wiring trenches, forming a resist mask having an opening for selectively exposing one of regions between the plurality of wirings, on the insulating film and the plurality of wirings, forming an air gap trench by removing the insulating film from the selectively exposed one of the regions between the plurality of wirings by etching using the resist mask, and forming an air gap in the air gap trench by depositing an inter-layer insulating film over the plurality of wirings after removal of the resist mask.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成绝缘膜，在绝缘膜中形成多个布线沟槽，在多个布线沟槽中形成多个布线，形成具有开口的抗蚀剂掩模 用于选择性地暴露多个布线中的一个区域，在绝缘膜和多个布线之间，通过使用抗蚀剂通过蚀刻从多个布线中的选择性暴露的一个区域中去除绝缘膜而形成气隙沟槽 掩模，并且在除去抗蚀剂掩模之后，在多个布线之间沉积层间绝缘膜，在气隙沟槽中形成气隙。

公开(公告)号：US20130065804A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13583403

申请日：2010-12-10

申请人： Junichi Shibata ,  Norio Sembongi ,  Masanori Ibi ,  Satoshi Suda

发明人： Junichi Shibata ,  Norio Sembongi ,  Masanori Ibi ,  Satoshi Suda

IPC分类号： C10M169/04 ,  B23Q11/10

CPC分类号： B23Q11/1061 ,  B23Q11/1046 ,  C10M145/38 ,  C10M2205/0285 ,  C10M2207/021 ,  C10M2207/026 ,  C10M2207/126 ,  C10M2207/2805 ,  C10M2207/282 ,  C10M2207/2835 ,  C10M2207/401 ,  C10M2209/103 ,  C10M2209/104 ,  C10M2209/106 ,  C10M2219/024 ,  C10N2220/022 ,  C10N2230/02 ,  C10N2230/06 ,  C10N2240/401 ,  C10N2240/406 ,  C10N2240/407 ,  C10N2240/409 ,  Y02P70/169 ,  C10M2209/109

摘要： The present invention provides an oil composition comprising a lubricating base oil, and an alkylene oxide adduct of a hydroxy acid having a hydrophile-lipophile index of 8 to 15, wherein the oil composition is used for cutting/grinding processing by minimal quantity lubrication system. Further, the present invention provides a cutting/grinding processing method by minimal quantity lubrication system, comprising a step of supplying the oil composition of the present invention in the form of mist together with a compressed fluid to processing sites of a workpiece.

摘要翻译： 本发明提供一种油组合物，其含有润滑基础油和亲水亲油指数为8〜15的羟基酸的烯化氧加合物，其中，油组合物用于通过最小量的润滑体系进行切削/研磨加工。 此外，本发明提供了一种通过最小量的润滑系统的切削/研磨加工方法，包括将本发明的油雾组合物与压缩流体一起供给到工件的加工部位的步骤。

公开(公告)号：US08303850B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US13393722

申请日：2010-07-14

申请人： Junichi Shibata ,  Tadaaki Motoyama ,  Kazuhiko Endou

发明人： Junichi Shibata ,  Tadaaki Motoyama ,  Kazuhiko Endou

IPC分类号： C09K15/00 ,  C09K15/02 ,  C09K15/12 ,  C09K15/16 ,  C23F11/00 ,  C23F11/12 ,  C23F11/14 ,  C23F11/16 ,  C23F11/18 ,  C10M169/04 ,  C10M159/00 ,  C10M135/00

CPC分类号： C10M169/04 ,  C10M171/02 ,  C10M2203/1065 ,  C10M2207/026 ,  C10M2207/126 ,  C10M2207/28 ,  C10M2207/289 ,  C10M2215/04 ,  C10M2215/042 ,  C10M2215/08 ,  C10M2215/223 ,  C10M2219/044 ,  C10M2219/046 ,  C10N2220/022 ,  C10N2220/025 ,  C10N2220/031 ,  C10N2220/032 ,  C10N2230/02 ,  C10N2230/12 ,  C10N2230/16 ,  C10N2230/52 ,  C10N2230/70 ,  C10N2240/40 ,  C10N2210/02

摘要： A rust preventive oil composition includes at least one base oil selected from the group consisting of mineral oils and synthetic oils, having a 5%-distillation temperature of not less than 140° C. and not more than 250° C., a 95%-distillation temperature of 250° C. or less, a difference between the 5%-distillation temperature and the 95%-distillation temperature of 90° C. or less, an aromatic content of 5% by volume or less, a naphthene content of not less than 30% by volume and not more than 95% by volume, a density at 15° C. of 0.75 g/cm3 or more, and a kinematic viscosity at 40° C. of not less than 0.3 mm2/s and not more than 5.0 mm2/s; at least one base oil selected from the group consisting of mineral oils and synthetic oils; and a rust-preventing additive.

摘要翻译： 防锈油组合物包括至少一种选自矿物油和合成油的基础油，具有不低于140℃且不超过250℃的5％蒸馏温度，95％ 蒸馏温度为250℃以下，5％蒸馏温度与95％蒸馏温度之间的差为90℃以下，芳香族含量为5体积％以下，环烷烃含量 不小于30体积％且不大于95体积％，15℃下的密度为0.75g / cm 3以上，40℃下的运动粘度为0.3mm 2 / s以上， 超过5.0 mm2 / s; 至少一种选自矿物油和合成油的基础油; 和防锈添加剂。

公开(公告)号：US20120217443A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13393722

申请日：2010-07-17

申请人： Junichi Shibata ,  Tadaaki Motoyama ,  Kazuhiko Endou

发明人： Junichi Shibata ,  Tadaaki Motoyama ,  Kazuhiko Endou

IPC分类号： C09K3/00

CPC分类号： C10M169/04 ,  C10M171/02 ,  C10M2203/1065 ,  C10M2207/026 ,  C10M2207/126 ,  C10M2207/28 ,  C10M2207/289 ,  C10M2215/04 ,  C10M2215/042 ,  C10M2215/08 ,  C10M2215/223 ,  C10M2219/044 ,  C10M2219/046 ,  C10N2220/022 ,  C10N2220/025 ,  C10N2220/031 ,  C10N2220/032 ,  C10N2230/02 ,  C10N2230/12 ,  C10N2230/16 ,  C10N2230/52 ,  C10N2230/70 ,  C10N2240/40 ,  C10N2210/02

摘要： A rust preventive oil composition includes at least one base oil selected from the group consisting of mineral oils and synthetic oils, having a 5%-distillation temperature of not less than 140° C. and not more than 250° C., a 95%-distillation temperature of 250° C. or less, a difference between the 5%-distillation temperature and the 95%-distillation temperature of 90° C. or less, an aromatic content of 5% by volume or less, a naphthene content of not less than 30% by volume and not more than 95% by volume, a density at 15° C. of 0.75 g/cm3 or more, and a kinematic viscosity at 40° C. of not less than 0.3 mm2/s and not more than 5.0 mm2/s; at least one base oil selected from the group consisting of mineral oils and synthetic oils; and a rust-preventing additive.

摘要翻译： 防锈油组合物包括至少一种选自矿物油和合成油的基础油，具有不低于140℃且不超过250℃的5％蒸馏温度，95％ 蒸馏温度为250℃以下，5％蒸馏温度与95％蒸馏温度之间的差为90℃以下，芳香族含量为5体积％以下，环烷烃含量 不小于30体积％且不大于95体积％，15℃下的密度为0.75g / cm 3以上，40℃下的运动粘度为0.3mm 2 / s以上， 超过5.0 mm2 / s; 至少一种选自矿物油和合成油的基础油; 和防锈添加剂。