公开(公告)号：US5977476A

公开(公告)日：1999-11-02

申请号：US731497

申请日：1996-10-16

申请人： Subhendu Guha ,  Chi C. Yang ,  Xi Xiang Xu

发明人： Subhendu Guha ,  Chi C. Yang ,  Xi Xiang Xu

IPC分类号： H01L31/0368 ,  H01L31/075 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

摘要： An N-I-P type photovoltaic device includes a multi-layered body of N-doped semiconductor material which has an amorphous, N doped layer in contact with the amorphous body of intrinsic semiconductor material, and a microcrystalline, N doped layer overlying the amorphous, N doped material. A tandem device comprising stacked N-I-P cells may further include a second amorphous, N doped layer interposed between the microcrystalline, N doped layer and a microcrystalline P doped layer. Photovoltaic devices thus configured manifest improved performance, particularly when configured as tandem devices.

摘要翻译： NIP型光伏器件包括N掺杂半导体材料的多层体，其具有与本征半导体材料的非晶体体接触的非晶态N掺杂层，以及覆盖非晶N掺杂材料的微晶N掺杂层 。 包括堆叠的N-I-P单元的串联装置还可以包括介于微晶N掺杂层和微晶P掺杂层之间的第二非晶N掺杂层。 如此配置的光伏设备显示出改善的性能，特别是当配置为串联设备时。

公开(公告)号：US5334423A

公开(公告)日：1994-08-02

申请号：US10074

申请日：1993-01-28

申请人： Subhendu Guha ,  Chi C. Yang ,  XiXiang Xu

发明人： Subhendu Guha ,  Chi C. Yang ,  XiXiang Xu

IPC分类号： B05D5/12 ,  C23C16/50 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32 ,  H01L21/205 ,  B05D3/06

CPC分类号： H01J37/32357 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32697

摘要： High quality semiconductor material is deposited in a microwave energized glow discharge deposition process by energizing a process gas with microwave energy at a power level sufficient to generate a plasma at or near the 100% saturation mode and by impeding access of deposition species to the substrate so as to lower the deposition rate to a value less than that otherwise achieved operating at the 100% saturation mode.

摘要翻译： 高质量的半导体材料沉积在微波通电的辉光放电沉积工艺中，通过以足以在100％饱和模式下或接近100％饱和模式产生等离子体的功率水平通过微波能量激励处理气体并通过阻止沉积物质进入衬底而进行 以便将沉积速率降低到小于在100％饱和模式下操作的值。

公开(公告)号：US5296045A

公开(公告)日：1994-03-22

申请号：US941157

申请日：1992-09-04

申请人： Arindam Banerjee ,  Chi C. Yang ,  Subhendu Guha

发明人： Arindam Banerjee ,  Chi C. Yang ,  Subhendu Guha

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/052 ,  H01L31/076 ,  H01L31/06 ,  H01L31/075

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

摘要： A back reflector for a photovoltaic device includes an electrically conductive, textured layer and a reflective layer conformally disposed on the textured layer. The reflector may include a protective layer atop the reflective layer. The materials of the reflector are selected to be non-reactive under conditions encountered in the manufacture and use of the photovoltaic device.

摘要翻译： 用于光伏器件的后反射器包括导电的纹理层和保形地设置在纹理层上的反射层。 反射器可以包括在反射层顶上的保护层。 反射器的材料在光伏器件的制造和使用中遇到的条件下选择为不反应的。

公开(公告)号：US5298086A

公开(公告)日：1994-03-29

申请号：US990085

申请日：1992-12-14

申请人： Subhendu Guha ,  Chi C. Yang

发明人： Subhendu Guha ,  Chi C. Yang

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/076 ,  H01L31/20 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： The thicknesses of the intrinsic layers of the cells comprising a tandem photovoltaic device are selected so that the cell having the highest quality semiconductor material produces the lowest photocurrent. That cell will then be the dominant cell in the tandem device and its material properties will contribute disproportionately to the overall properties of the tandem device.

摘要翻译： 选择包括串联光伏器件的电池的本征层的厚度，使得具有最高质量半导体材料的电池产生最低的光电流。 然后，该电池将成为串联装置中的主要电池，并且其材料性质将不利地影响串联装置的整体性能。

公开(公告)号：US5569332A

公开(公告)日：1996-10-29

申请号：US511887

申请日：1995-08-07

申请人： Troy Glatfelter ,  Kevin Hoffman ,  Chi C. Yang ,  Subhendu Guha

发明人： Troy Glatfelter ,  Kevin Hoffman ,  Chi C. Yang ,  Subhendu Guha

IPC分类号： H01L31/052 ,  H01L31/076 ,  H01L31/06 ,  H01L31/075

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

摘要： An optically enhanced back reflector for a photovoltaic device includes a back reflector layer of aluminum having a multi-layered, reflectivity enhancement member deposed thereon. The multi-layer enhancement member includes at least one pair of first and second layers, the first layer having a low index of refraction and the second layer having a high index of refraction. A layer of transmissive conductive oxide is disposed between the optically enhanced back reflector and the photovoltaic device.

摘要翻译： 用于光伏器件的光学增强后反射器包括铝的后反射器层，其具有放置在其上的多层反射增强部件。 多层增强构件包括至少一对第一层和第二层，第一层具有低折射率，第二层具有高折射率。 透光导电氧化物层设置在光学增强后反射器和光电器件之间。

公开(公告)号：US5204272A

公开(公告)日：1993-04-20

申请号：US808209

申请日：1991-12-13

申请人： Subhendu Guha ,  Arindam Banerjee ,  Chi C. Yang

发明人： Subhendu Guha ,  Arindam Banerjee ,  Chi C. Yang

IPC分类号： C23C16/511 ,  H01J37/32 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01J37/32192 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32697 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  H01J2237/332 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Open circuit voltage of photovoltaic devices manufactured by a microwave deposition process is increased by disposing a bias wire in the microwave energized plasma and applying a positive voltage of approximately 100 volts to the wire during only a portion of the time in which the intrinsic semiconductor layer is being deposited.

摘要翻译： 通过在微波激发的等离子体中设置偏置线并且在仅本征半导体层的时间的一部分时间内将约100伏的正电压施加到线来增加通过微波沉积工艺制造的光伏器件的开路电压 存放

公开(公告)号：US07902049B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US10765435

申请日：2004-01-27

申请人： Subhendu Guha ,  Chi C. Yang ,  Baojie Yan

发明人： Subhendu Guha ,  Chi C. Yang ,  Baojie Yan

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1816 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： A process for the plasma deposition of a layer of a microcrystalline semiconductor material is carried out by energizing a process gas which includes a precursor of the semiconductor material and a diluent with electromagnetic energy so as to create a plasma therefrom. The plasma deposits a layer of the microcrystalline semiconductor material onto the substrate. The concentration of the diluent in the process gas is varied as a function of the thickness of the layer of microcrystalline semiconductor material which has been deposited. Also disclosed is the use of the process for the preparation of an N-I-P type photovoltaic device.

摘要翻译： 微晶半导体材料层的等离子体沉积的方法是通过对包含半导体材料的前体的工艺气体和具有电磁能量的稀释剂进行激励，从而产生等离子体来进行的。 等离子体将一层微晶半导体材料沉积到基底上。 工艺气体中稀释剂的浓度随着沉积的微晶半导体材料层的厚度而变化。 还公开了该方法用于制备N-I-P型光伏器件的用途。

公开(公告)号：US5256576A

公开(公告)日：1993-10-26

申请号：US836225

申请日：1992-02-14

申请人： Subhendu Guha ,  Chi C. Yang ,  Arindam Banerjee

发明人： Subhendu Guha ,  Chi C. Yang ,  Arindam Banerjee

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/077 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A method for manufacturing thin film, photovoltaic devices of the type having an intrinsic semiconductor layer disposed between two oppositely charged doped, semiconductor layers. A buffer layer of intrinsic semiconductor material is RF deposited at the junction between a microwave deposited, base intrinsic layer and a layer of doped material. The cell produced by the method of the present invention has enhanced performance characteristics over cells having microwave deposited intrinsic layers with no barrier layers.

摘要翻译： 一种制造薄膜的方法，该类型的光伏器件具有设置在两个带相反电荷的掺杂半导体层之间的本征半导体层。 本征半导体材料的缓冲层在微波沉积的基本本征层和掺杂材料层之间的结处被RF沉积。 通过本发明的方法制造的电池与具有无屏障层的具有微波沉积的本征层的电池相比具有增强的性能特性。

公开(公告)号：US5221854A

公开(公告)日：1993-06-22

申请号：US795944

申请日：1991-11-18

申请人： Arindam Banerjee ,  Subhendu Guha ,  Chi C. Yang

发明人： Arindam Banerjee ,  Subhendu Guha ,  Chi C. Yang

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/052

CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

摘要： A protective layer is disposed between a silver reflective electrode and a layer of transparent conductive oxide in a photovoltaic device so as to prevent oxidation of the silver. The protective layer may be continuous or discontinuous and may be fabricated from MgF.sub.2, Si.sub.x N.sub.y or T.sub.ix N.sub.y where x and y are positive numbers.

摘要翻译： 在光电器件中，在银反射电极和透明导电氧化物层之间设置保护层，以防止银的氧化。 保护层可以是连续的或不连续的，并且可以由MgF 2，Six Ny或Tix Ny制造，其中x和y是正数。

公开(公告)号：US4698234A

公开(公告)日：1987-10-06

申请号：US897449

申请日：1986-10-17

申请人： Stanford R. Ovshinsky ,  Subhendu Guha ,  Prem Nath ,  Chi C. Yang ,  Jeffrey Fournier ,  James Kulman

发明人： Stanford R. Ovshinsky ,  Subhendu Guha ,  Prem Nath ,  Chi C. Yang ,  Jeffrey Fournier ,  James Kulman

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L21/205 ,  B05D3/06

CPC分类号： H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： Precursor gaseous mixtures from which to glow discharge deposit wide and narrow band gap semiconductor alloy material, said material characterized by improved photoconductivity and stability and improved resistance to photodegradation. There is also specifically disclosed a method of fabricating a narrow band gap semiconductor which method does not suffer from the effects of differential depletion of the components of the precursor gaseous mixture.

摘要翻译： 用于辉光放电的前体气体混合物沉积宽而窄的带隙半导体合金材料，所述材料的特征在于改善的光电导率和稳定性以及改善的抗光降解性。 还具体公开了制造窄带隙半导体的方法，该方法不会受到前体气体混合物的组分的不均匀耗尽的影响。