公开(公告)号：US4609771A

公开(公告)日：1986-09-02

申请号：US701320

申请日：1985-02-13

申请人： Subhendu Guha ,  James Kulman

发明人： Subhendu Guha ,  James Kulman

IPC分类号： H01L31/04 ,  C23C16/22 ,  H01L21/205 ,  H01L29/04 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20 ,  H01L31/06

CPC分类号： H01L31/076 ,  C23C16/22 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A p-doped microcrystalline silicon alloy material incorporated into a tandem photovoltaic device.

摘要翻译： 并入到串联光伏器件中的p掺杂的微晶硅合金材料。

公开(公告)号：US4696758A

公开(公告)日：1987-09-29

申请号：US897236

申请日：1986-10-06

申请人： Stanford R. Ovshinsky ,  Subhendu Guha ,  Prem Nath ,  Chi Chung Yang ,  Jeffrey Fournier ,  James Kulman

发明人： Stanford R. Ovshinsky ,  Subhendu Guha ,  Prem Nath ,  Chi Chung Yang ,  Jeffrey Fournier ,  James Kulman

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L21/205 ,  C09K11/07

CPC分类号： H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： Precursor gaseous mixtures from which to glow discharge deposit wide and narrow band gap semiconductor alloy material, said material characterized by improved photoconductivity and stability and improved resistance to photodegradation. There is also specifically disclosed a method of fabricating a narrow band gap semiconductor which method does not suffer from the effects of differential depletion of the components of the precursor gaseous mixture.

公开(公告)号：US4600801A

公开(公告)日：1986-07-15

申请号：US667659

申请日：1984-11-02

申请人： Subhendu Guha ,  James Kulman

发明人： Subhendu Guha ,  James Kulman

IPC分类号： C23C16/22 ,  H01L21/205 ,  H01L29/04 ,  H01L31/06 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/075 ,  C23C16/22 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L31/06 ,  Y02E10/548 ,  Y10S420/903

摘要： A fluorinated, p-doped microcrystalline semiconductor alloy material; electronic devices incorporating said p-doped material; and the method for fabricating said p-doped material.

摘要翻译： 氟化p掺杂微晶半导体合金材料; 掺入所述p掺杂材料的电子器件; 以及制造所述p掺杂材料的方法。

公开(公告)号：US4698234A

公开(公告)日：1987-10-06

申请号：US897449

申请日：1986-10-17

申请人： Stanford R. Ovshinsky ,  Subhendu Guha ,  Prem Nath ,  Chi C. Yang ,  Jeffrey Fournier ,  James Kulman

发明人： Stanford R. Ovshinsky ,  Subhendu Guha ,  Prem Nath ,  Chi C. Yang ,  Jeffrey Fournier ,  James Kulman

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L21/205 ,  B05D3/06

CPC分类号： H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： Precursor gaseous mixtures from which to glow discharge deposit wide and narrow band gap semiconductor alloy material, said material characterized by improved photoconductivity and stability and improved resistance to photodegradation. There is also specifically disclosed a method of fabricating a narrow band gap semiconductor which method does not suffer from the effects of differential depletion of the components of the precursor gaseous mixture.

摘要翻译： 用于辉光放电的前体气体混合物沉积宽而窄的带隙半导体合金材料，所述材料的特征在于改善的光电导率和稳定性以及改善的抗光降解性。 还具体公开了制造窄带隙半导体的方法，该方法不会受到前体气体混合物的组分的不均匀耗尽的影响。

公开(公告)号：US4637895A

公开(公告)日：1987-01-20

申请号：US718661

申请日：1985-04-01

申请人： Stanford R. Ovshinsky ,  Subhendu Guha ,  Prem Nath ,  Chi C. Yang ,  Jeffrey Fournier ,  James Kulman

发明人： Stanford R. Ovshinsky ,  Subhendu Guha ,  Prem Nath ,  Chi C. Yang ,  Jeffrey Fournier ,  James Kulman

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L21/205 ,  C09K11/07

CPC分类号： H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： Precursor gaseous mixtures from which to glow discharge deposit wide and narrow band gap semiconductor alloy material, said material characterized by improved photoconductivity and stability and improved resistance to photodegradation. There is also specifically disclosed a method of fabricating a narrow band gap semiconductor which method does not suffer from the effects of differential depletion of the components of the precursor gaseous mixture.

摘要翻译： 用于辉光放电的前体气体混合物沉积宽而窄的带隙半导体合金材料，所述材料的特征在于改善的光电导率和稳定性以及改善的抗光降解性。 还具体公开了制造窄带隙半导体的方法，该方法不会受到前体气体混合物的组分的不均匀耗尽的影响。