发明授权
- 专利标题： Fluorinated, p-doped microcrystalline silicon semiconductor alloy material
- 专利标题（中）： 氟化，p掺杂微晶硅半导体合金材料
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申请号： US667659申请日： 1984-11-02
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公开(公告)号： US4600801A公开(公告)日： 1986-07-15
- 发明人: Subhendu Guha , James Kulman
- 申请人： Subhendu Guha , James Kulman
- 申请人地址： MI Troy
- 专利权人： Sovonics Solar Systems
- 当前专利权人： Sovonics Solar Systems
- 当前专利权人地址： MI Troy
- 主分类号： C23C16/22
- IPC分类号： C23C16/22 ; H01L21/205 ; H01L29/04 ; H01L31/06 ; H01L31/075 ; H01L31/18
摘要：
A fluorinated, p-doped microcrystalline semiconductor alloy material; electronic devices incorporating said p-doped material; and the method for fabricating said p-doped material.
公开/授权文献
- US5745656A Method for decoding transmitted information units 公开/授权日：1998-04-28
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IPC分类:
