公开(公告)号：US20160181159A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：US15056533

申请日：2016-02-29

申请人： SK hynix Inc.

发明人： Sung-Jin WHANG ,  Moon-Sig JOO ,  Yong-Seok EUN ,  Kwon HONG ,  Bo-Min SEO ,  Kyoung-Eun CHANG ,  Seung-Woo SHIN

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/823443 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4933

摘要： A method for fabricating a semiconductor device, including forming gate patterns over a substrate, forming conductive layer covering top and sidewalls of each gate pattern, forming a metal layer for a silicidation process over the conductive layer, and silicifying the conductive layer and the gate patterns using the metal layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成栅极图案，形成覆盖每个栅极图案的顶部和侧壁的导电层，在导电层上形成用于硅化工艺的金属层，以及硅化导电层和栅极图案 使用金属层。

公开(公告)号：US20140370702A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：US14475076

申请日：2014-09-02

申请人： SK hynix Inc.

发明人： Sung-Jin WHANG ,  Moon-Sig JOO ,  Kwon HONG ,  Jung-Yeon LIM ,  Won-Kyu KIM ,  Bo-Min SEO ,  Kyoung-Eun CHANG

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/321 ,  H01L21/7685 ,  H01L24/02 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/413 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device including a conductive layer, a diffusion barrier layer formed over the conductive layer, including a refractory metal compound, and acquired after a surface treatment, and a metal silicide layer formed over the diffusion barrier layer. The adhesion between a diffusion barrier layer and a metal silicide layer may be improved by increasing the surface energy of the diffusion barrier layer through a surface treatment. Therefore, although the metal silicide layer is fused in a high-temperature process, it is possible to prevent a void from being caused at the interface between the diffusion barrier layer and the metal silicide layer. Moreover, it is possible to increase the adhesion between a conductive layer and the diffusion barrier layer by increasing the surface energy of the conductive layer through the surface treatment.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括导电层，形成在导电层上的扩散阻挡层，包括难熔金属化合物，并在表面处理之后获得，以及形成在扩散阻挡层上的金属硅化物层。 通过表面处理增加扩散阻挡层的表面能，可以改善扩散阻挡层和金属硅化物层之间的粘合性。 因此，尽管金属硅化物层在高温工艺中熔合，但是可以防止在扩散阻挡层和金属硅化物层之间的界面处产生空隙。 此外，通过表面处理增加导电层的表面能，可以增加导电层与扩散阻挡层之间的粘合性。