公开(公告)号：US20160181159A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：US15056533

申请日：2016-02-29

申请人： SK hynix Inc.

发明人： Sung-Jin WHANG ,  Moon-Sig JOO ,  Yong-Seok EUN ,  Kwon HONG ,  Bo-Min SEO ,  Kyoung-Eun CHANG ,  Seung-Woo SHIN

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/823443 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4933

摘要： A method for fabricating a semiconductor device, including forming gate patterns over a substrate, forming conductive layer covering top and sidewalls of each gate pattern, forming a metal layer for a silicidation process over the conductive layer, and silicifying the conductive layer and the gate patterns using the metal layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成栅极图案，形成覆盖每个栅极图案的顶部和侧壁的导电层，在导电层上形成用于硅化工艺的金属层，以及硅化导电层和栅极图案 使用金属层。

公开(公告)号：US20140001541A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13719808

申请日：2012-12-19

申请人： SK HYNIX INC.

发明人： Kyong-Bong ROUH ,  Yong-Seok EUN ,  Mi-Ri LEE

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/401 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/517

摘要： A transistor including a recessed gate structure having improved doping characteristics and a method for forming such a transistor. The transistor includes a recess in a semiconductor substrate, where the recess is filled with a recessed gate structure including an impurity doped layer and a layer doped with a capture species. The capture species accumulates the impurity and diffuses the impurity to other layers of the recessed gate structure.

摘要翻译： 一种包括具有改进的掺杂特性的凹陷栅极结构的晶体管和用于形成这种晶体管的方法。 晶体管包括在半导体衬底中的凹部，其中凹部填充有包括杂质掺杂层和掺杂有捕获物质的层的凹陷栅极结构。 捕获物质积聚杂质并将杂质扩散到凹陷栅结构的其它层。

公开(公告)号：US20160093527A1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：US14962908

申请日：2015-12-08

申请人： SK hynix Inc.

发明人： Kyong-Bong ROUH ,  Shang-Koon NA ,  Yong-Seok EUN ,  Su-Ho KIM ,  Tae-Han KIM ,  Mi-Ri LEE

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/76841 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/283 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/4941

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a silicon-containing layer; forming a metal-containing layer over the silicon-containing layer; forming an undercut prevention layer between the silicon containing layer and the metal containing layer; etching the metal-containing layer; and forming a conductive structure by etching the undercut prevention layer and the silicon-containing layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括形成含硅层; 在含硅层上形成含金属层; 在含硅层和含金属层之间形成防切削层; 蚀刻含金属层; 并通过蚀刻防切削层和含硅层形成导电结构。

公开(公告)号：US20140030884A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US13719149

申请日：2012-12-18

申请人： SK HYNIX INC.

发明人： Kyong-Bong ROUH ,  Shang-Koon NA ,  Yong-Seok EUN ,  Su-Ho KIM ,  Tae-Han KIM ,  Mi-Ri LEE

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76841 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/283 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/4941

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a silicon-containing layer; forming a metal-containing layer over the silicon-containing layer; forming an undercut prevention layer between the silicon containing layer and the metal containing layer; etching the metal-containing layer; and forming a conductive structure by etching the undercut prevention layer and the silicon-containing layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括形成含硅层; 在含硅层上形成含金属层; 在含硅层和含金属层之间形成防切削层; 蚀刻含金属层; 并通过蚀刻防切削层和含硅层形成导电结构。