公开(公告)号：US20150179814A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：US14642326

申请日：2015-03-09

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Wenxu XIANYU ,  Chang-youl MOON ,  Jeong-yub LEE ,  Chang-seung LEE

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/78684 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603

Abstract: A graphene device may include a channel layer including graphene, a first electrode and second electrode on a first region and second region of the channel layer, respectively, and a capping layer covering the channel layer and the first and second electrodes. A region of the channel layer between the first and second electrodes is exposed by an opening in the capping layer. A gate insulating layer may be on the capping layer to cover the region of the channel layer, and a gate may be on the gate insulating layer.

Abstract translation: 石墨烯装置可以分别包括在沟道层的第一区域和第二区域上的包括石墨烯，第一电极和第二电极的沟道层，以及覆盖沟道层和第一和第二电极的覆盖层。 第一和第二电极之间的沟道层的区域被覆盖层中的开口暴露。 栅极绝缘层可以在覆盖层上以覆盖沟道层的区域，并且栅极可以在栅极绝缘层上。

公开(公告)号：US20140174640A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：US13918066

申请日：2013-06-14

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Xianyu WENXU ,  Jeong-yub LEE ,  Chang-youl MOON ,  Yong-young PARK ,  Woo-young YANG ,  Yong-sung KIM ,  Joo-ho LEE

IPC: B29C67/24

CPC classification number: B29C67/24 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/102 ,  H01L51/442 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: A method of transferring graphene includes forming a sacrificial layer and a graphene layer sequentially on a first substrate, bonding the graphene layer to a target layer, and removing the sacrificial layer using a laser and separating the first substrate from the graphene layer.

Abstract translation: 转移石墨烯的方法包括在第一基板上顺序地形成牺牲层和石墨烯层，将石墨烯层粘合到目标层，以及使用激光去除牺牲层并将第一基板与石墨烯层分离。

公开(公告)号：US20140162053A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：US13866389

申请日：2013-04-19

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Jeong-yub LEE ,  Xianyu WENXU ,  Jun-sik HWANG ,  Chang-youl MOON

IPC: B32B7/12 ,  B32B37/12 ,  B32B38/00

CPC classification number: B32B7/12 ,  B32B7/10 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  B32B27/08 ,  B32B27/281 ,  B32B27/283 ,  B32B27/302 ,  B32B27/32 ,  B32B37/12 ,  B32B38/0008 ,  B32B38/162 ,  B32B2250/40 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/187 ,  H01L21/306 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31663

Abstract: A bonded substrate structure includes a siloxane-based monomer layer between a first substrate and a second substrate, the siloxane-based monomer layer bonding the first substrate and the second substrate. The first substrate and the second substrate may be one of a silicon substrate and a silicon oxide substrate, respectively.

Abstract translation: 键合衬底结构包括在第一衬底和第二衬底之间的硅氧烷基单体层，所述硅氧烷基单体层接合第一衬底和第二衬底。 第一基板和第二基板可以分别是硅基板和氧化硅基板之一。

公开(公告)号：US20140117349A1

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：US13949588

申请日：2013-07-24

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Xianyu WENXU ,  Woo-young YANG ,  Chang-youl MOON ,  Yong-young PARK ,  Jeong-yub LEE

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/868

Abstract: A method of manufacturing a semiconductor device using a metal oxide includes forming a metal oxide layer on a substrate, forming an amorphous semiconductor layer on the metal oxide layer, and forming a polycrystalline semiconductor layer by crystallizing the amorphous semiconductor layer using the metal oxide layer.

Abstract translation: 使用金属氧化物的半导体器件的制造方法包括在基板上形成金属氧化物层，在金属氧化物层上形成非晶半导体层，通过使用金属氧化物层使非晶半导体层结晶而形成多晶半导体层。