公开(公告)号：US20150099122A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：US14570122

申请日：2014-12-15

申请人： NGK INSULATORS, LTD.

发明人： Jun YOSHIKAWA ,  Katsuhiro IMAI ,  Koichi KONDO

IPC分类号： C01G9/02

CPC分类号： C01G9/02 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/54 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/12 ,  Y10T428/2982

摘要： The present invention provides a zinc oxide powder that enables a high degree of orientation, and highly uniform dispersion of an additive substance, to be simultaneously achieved in a green body or a sintered body. The zinc oxide powder of the present invention comprises a plurality of plate-like zinc oxide particles and has a volume-based D50 average particle diameter of 1 to 5 μm and a specific surface area of 1 to 5 m2/g. The zinc oxide powder has a degree of orientation of the (002) plane of 40% or greater when two-dimensionally arrayed into a monolayer on a substrate.

摘要翻译： 本发明提供一种氧化锌粉末，其能够在生坯体或烧结体中同时实现高取向度，高分散性的添加剂物质的分散。 本发明的氧化锌粉末包含多个板状氧化锌粒子，体积D50平均粒径为1〜5μm，比表面积为1〜5m 2 / g。 氧化锌粉末当二维地排列在基板上的单层中时，（002）面的取向度为40％以上。

公开(公告)号：US20140328747A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：US14305267

申请日：2014-06-16

申请人： NGK INSULATORS, LTD.

发明人： Jun YOSHIKAWA ,  Katsuhiro IMAI ,  Koichi KONDO

IPC分类号： H01J37/34 ,  C04B35/64 ,  C01G9/02 ,  C04B35/453

CPC分类号： H01J37/3426 ,  B32B18/00 ,  C01G9/02 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B37/026 ,  C04B2111/0037 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J2237/081

摘要： Provided is a zinc oxide sputtering target, which can effectively suppress the occurrence of break or crack in the target during sputtering to enable production of a zinc oxide transparent conductive film with high productivity. The zinc oxide sputtering target is composed of a zinc oxide sintered body comprising zinc oxide crystal grains, wherein the zinc oxide sputtering target has a sputter surface having a (100) crystal orientation degree of 50% or more.

摘要翻译： 提供一种氧化锌溅射靶，其可以有效地抑制溅射期间目标物的断裂或裂纹的发生，从而能够以高生产率制造氧化锌透明导电膜。 氧化锌溅射靶由包含氧化锌晶粒的氧化锌烧结体构成，其中，氧化锌溅射靶具有（100）晶体取向度为50％以上的溅射面。

公开(公告)号：US20170137326A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：US15419092

申请日：2017-01-30

申请人： NGK INSULATORS, LTD.

发明人： Sota OKOCHI ,  Jun YOSHIKAWA ,  Koichi KONDO

IPC分类号： C04B35/453 ,  H01B1/02 ,  C04B35/645 ,  C01G9/02 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B35/453 ,  B32B18/00 ,  C01G9/02 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C04B35/64 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/322 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/704 ,  H01B1/023

摘要： There is provided a platy zinc oxide sintered compact containing 0.80 wt % or less at least one first dopant element selected from the group consisting of Al, Ga and In, the balance consisting essentially of ZnO and optionally at least one second dopant element selected from the group consisting of Br, Cl, F, Sn, Y, Pr, Ge, B, Sc, Si, Ti, Zr, Hf, Mn, Ta, W, Cu, Ni, Cr, La, Gd, Bi, Ce, Sr and Ba, the second dopant element being optional component, wherein the (002)-plane orientation in the plate surface is 60% or more. The zinc oxide sintered compact of the present invention has excellent properties such as high orientation in addition to transparency and conductivity.

公开(公告)号：US20150376024A1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：US14848842

申请日：2015-09-09

申请人： NGK Insulators, Ltd.

发明人： Jun YOSHIKAWA ,  Katsuhiro IMAI ,  Koichi KONDO ,  Koki KANNO

IPC分类号： C01G9/02 ,  C23C14/34

CPC分类号： C01G9/02 ,  C01P2002/90 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/322 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/788 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414

摘要： Provided is a zinc oxide-based sputtering target capable of improving the film formation rate while suppressing arcing in the formation of a zinc oxide-based transparent conductive film by sputtering. This zinc oxide-based sputtering target includes a zinc oxide-based sintered body mainly including zinc oxide crystal grains, and has a degree of (002) orientation of 50% or greater at a sputtering surface and a density of 5.30 g/cm3 or greater.

摘要翻译： 提供一种氧化锌系溅射靶，其能够通过溅射在氧化锌系透明导电膜的形成中抑制电弧化而提高成膜速度。 该氧化锌系溅射靶包括主要包含氧化锌晶粒的氧化锌系烧结体，溅射面的（002）取向度为50％以上，密度为5.30g / cm 3以上 。

公开(公告)号：US20130263771A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：US13866185

申请日：2013-04-19

申请人： NGK INSULATORS, LTD.

发明人： Nobuyuki KOBAYASHI ,  Kazuki MAEDA ,  Koichi KONDO ,  Tsutomu NANATAKI ,  Katsuhiro IMAI ,  Jun YOSHIKAWA

IPC分类号： C30B1/04

CPC分类号： C30B1/04 ,  C23C4/12 ,  C23C4/123 ,  C23C24/04 ,  C30B1/00 ,  C30B29/406

摘要： A crystal production method according to the present invention includes a film formation and crystallization step of spraying a raw material powder containing a raw material component to form a film containing the raw material component on a seed substrate containing a single crystal at a predetermined single crystallization temperature at which single crystallization of the raw material component occurs, and crystallizing the film containing the raw material while maintaining the single crystallization temperature. In the film formation and crystallization step, preferably, the single crystallization temperature is 900° C. or higher. Furthermore, in the film formation and crystallization step, preferably, the raw material powder and the seed substrate are each a nitride or an oxide.

摘要翻译： 根据本发明的晶体制造方法包括：成膜和结晶步骤，其以预定的单一结晶温度喷涂含有原料组分的原料粉末，以在含有单晶的种子基材上形成含有原料成分的膜 在其中发生单一结晶的原料组分，并且在保持单一结晶温度的同时使包含原料的膜结晶。 在成膜和结晶步骤中，优选单结晶温度为900℃以上。 此外，在成膜和结晶步骤中，原料粉末和种子基材优选为氮化物或氧化物。

公开(公告)号：US20170137325A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：US15419066

申请日：2017-01-30

申请人： NGK INSULATORS, LTD.

发明人： Sota OKOCHI ,  Jun YOSHIKAWA ,  Koichi KONDO

IPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  H01B1/02 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B35/453 ,  C01G9/02 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C04B35/64 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9653 ,  H01B1/023

摘要： There is provided a platy Mg-containing zinc oxide sintered compact containing 1 to 10 wt % Mg as a first dopant element and 0.005 wt % or more at least one second dopant element selected from the group consisting of Al, Ga and In, the balance consisting essentially of ZnO and optionally at least one third dopant element selected from the group consisting of Br, CI, F, Sn, Y, Pr, Ge, B, Sc, Si, Ti, Zr, Hf, Mn, Ta, W, Cu, Ni, Cr, La, Gd, Bi, Ce, Sr and Ba, wherein the (002)-plane or (100)-plane orientation in the plate surface is 60% or more. The Mg-containing zinc oxide sintered compact of the present invention has excellent properties such as high orientation despite solid dissolution of Mg.