公开(公告)号：US09237682B2

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：US14388560

申请日：2013-03-29

Applicant: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

Inventor： Yoshiyuki Nagatomo ,  Hiroya Ishizuka ,  Toshiyuki Nagase ,  Yoshirou Kuromitsu ,  Masakazu Edo ,  Hideyuki Miyake

IPC: H01L23/34 ,  C23C8/00 ,  H05K7/20 ,  H01L23/373 ,  H01L23/473 ,  C04B37/02 ,  H01L23/40

CPC classification number: H05K7/209 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/286 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/86 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/473 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01029

Abstract: This power module substrate with a heat sink includes a power module substrate having a circuit layer disposed on one surface of an insulating layer, and a heat sink bonded to the other surface of this power module substrate, wherein the bonding surface of the heat sink and the bonding surface of the power module substrate are each composed of aluminum or an aluminum alloy, a bonding layer (50) having a Mg-containing compound (52) (excluding MgO) which contains Mg dispersed in an Al—Si eutectic composition is formed at the bonding interface between the heat sink and the power module substrate, and the thickness t of this bonding layer (50) is within a range from 5 μm to 80 μm.

Abstract translation: 具有散热器的功率模块基板包括电源模块基板，其具有设置在绝缘层的一个表面上的电路层和与该功率模块基板的另一个表面接合的散热器，其中散热器的接合表面和 功率模块用基板的接合面由铝或铝合金构成，形成含有分散在Al-Si共晶组合物中的分散有Mg的含Mg化合物（52）（不含MgO）的接合层（50） 在散热器和功率模块基板之间的接合界面处，并且该接合层（50）的厚度t在5μm至80μm的范围内。

公开(公告)号：US20150055303A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：US14388560

申请日：2013-03-29

Applicant: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

Inventor： Yoshiyuki Nagatomo ,  Hiroya Ishizuka ,  Toshiyuki Nagase ,  Yoshirou Kuromitsu ,  Masakazu Edo ,  Hideyuki Miyake

IPC: H05K7/20

CPC classification number: H05K7/209 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/286 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/86 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/473 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01029

Abstract: This power module substrate with a heat sink includes a power module substrate having a circuit layer disposed on one surface of an insulating layer, and a heat sink bonded to the other surface of this power module substrate, wherein the bonding surface of the heat sink and the bonding surface of the power module substrate are each composed of aluminum or an aluminum alloy, a bonding layer (50) having a Mg-containing compound (52) (excluding MgO) which contains Mg dispersed in an Al—Si eutectic composition is formed at the bonding interface between the heat sink and the power module substrate, and the thickness t of this bonding layer (50) is within a range from 5 μm to 80 μm.

Abstract translation: 具有散热器的功率模块基板包括电源模块基板，其具有设置在绝缘层的一个表面上的电路层和与该功率模块基板的另一个表面接合的散热器，其中散热器的接合表面和 功率模块用基板的接合面由铝或铝合金构成，形成含有分散在Al-Si共晶组合物中的分散有Mg的含Mg化合物（52）（不含MgO）的接合层（50） 在散热器和功率模块基板之间的接合界面处，并且该接合层（50）的厚度t在5μm至80μm的范围内。