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    BI-DIRECTIONAL SILICON CONTROLLED RECTIFIER STRUCTURE
    4.
    发明申请
    BI-DIRECTIONAL SILICON CONTROLLED RECTIFIER STRUCTURE 有权
    双向控制整流器结构

    公开(公告)号：US20150050784A1

    公开(公告)日：2015-02-19

    申请号：US14492622

    申请日：2014-09-22

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： James P. Di Sarro ,  Robert J. Gauthier, JR. ,  Junjun Li

    IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L27/02

    CPC分类号： H01L29/66386 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0262 ,  H01L29/66121 ,  H01L29/66371 ,  H01L29/7412 ,  H01L29/7416 ,  H01L29/87

    摘要： Fabrication methods for bi-directional silicon controlled rectifier device structures. A well of a first conductivity type is formed in a device region, which may be defined from a device layer of a semiconductor-on-insulator substrate. An anode of a first silicon controlled rectifier is formed in the first well. A cathode of a second silicon controlled rectifier is formed in the first well. The anode of the first silicon controlled rectifier has the first conductivity type. The cathode of the second silicon controlled rectifier has a second conductivity type opposite to the first conductivity type.

    摘要翻译： 双向可控硅整流器件结构的制造方法。 第一导电类型的阱形成在器件区域中，其可以由绝缘体上半导体衬底的器件层限定。 在第一井中形成第一可控硅整流器的阳极。 在第一井中形成第二可控硅整流器的阴极。 第一可控硅整流器的阳极具有第一导电类型。 第二可控硅整流器的阴极具有与第一导电类型相反的第二导电类型。

    Cancellation of secondary reverse reflections in a very-fast transmission line pulse system
    5.
    发明授权
    Cancellation of secondary reverse reflections in a very-fast transmission line pulse system 有权
    在非常快的传输线脉冲系统中取消二次反向反射

    公开(公告)号：US09274155B2

    公开(公告)日：2016-03-01

    申请号：US13626372

    申请日：2012-09-25

    申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

    发明人： Shunhua T. Chang ,  James P. Di Sarro ,  Robert J. Gauthier, Jr.

    IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R31/28

    CPC分类号： G01R31/002 ,  G01R31/2839 ,  G01R31/2841

    摘要： An approach for cancelling reverse reflections in very-fast transmission line pulse (VFTLP) testing of an electrostatic discharge (ESD) device in a semiconductor is provided. A method includes generating an incident pulse in a VFTLP system for applying to a device under test (DUT). The method also includes generating a delayed replica of the incident pulse. The method also includes cancelling a portion of a reverse reflection of the incident pulse by combining the delayed replica with the reverse reflection at a power divider.

    摘要翻译： 提供了一种在半导体中的静电放电（ESD）器件的非常快的传输线脉冲（VFTLP）测试中消除反向反射的方法。 一种方法包括在VFTLP系统中产生入射脉冲以施加到被测器件（DUT）。 该方法还包括产生入射脉冲的延迟复制品。 该方法还包括通过在功率分配器上组合延迟的副本与反向反射来抵消入射脉冲的反向反射的一部分。

    DUAL THREE-DIMENSIONAL (3D) RESISTOR AND METHODS OF FORMING
    6.
    发明申请
    DUAL THREE-DIMENSIONAL (3D) RESISTOR AND METHODS OF FORMING 有权
    双三维（3D）电阻和形成方法

    公开(公告)号：US20140264752A1

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：US13828936

    申请日：2013-03-14

    申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

    发明人： James P. Di Sarro ,  Robert J. Gauthier, JR. ,  Tom C. Lee ,  Junjun Li ,  Souvick Mitra ,  Christopher S. Putnam

    IPC分类号： H01L49/02

    CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L23/5228 ,  H01L28/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Various embodiments include dual three-dimensional (3D) resistor structures and methods of forming such structures. In some embodiments, a dual 3D resistor structure includes: a dielectric layer having a first set of trenches extending in a first direction through the dielectric layer; and a second set of trenches overlayed on the first set of trenches, the second set of trenches extending in a second direction through the dielectric layer, the second set of trenches and the first set of trenches forming at least one dual 3D trench; and a resistor material overlying the dielectric layer and at least partially filling the at least one dual 3D trench along the first direction and the second direction.

    摘要翻译： 各种实施例包括双重三维（3D）电阻器结构和形成这种结构的方法。 在一些实施例中，双3D电阻器结构包括：电介质层，具有沿第一方向延伸穿过电介质层的第一组沟槽; 以及覆盖在所述第一组沟槽上的第二组沟槽，所述第二组沟槽沿第二方向延伸穿过所述介电层，所述第二组沟槽和所述第一组沟槽形成至少一个双3D沟槽; 以及覆盖所述电介质层并且沿着所述第一方向和所述第二方向至少部分地填充所述至少一个双3D沟槽的电阻器材料。

    STRUCTURE AND METHOD FOR DYNAMIC BIASING TO IMPROVE ESD ROBUSTNESS OF CURRENT MODE LOGIC (CML) DRIVERS
    8.
    发明申请
    STRUCTURE AND METHOD FOR DYNAMIC BIASING TO IMPROVE ESD ROBUSTNESS OF CURRENT MODE LOGIC (CML) DRIVERS 审中-公开
    用于动态偏移以提高电流模式逻辑（CML）驱动器ESD稳定性的结构和方法

    公开(公告)号：US20150364914A1

    公开(公告)日：2015-12-17

    申请号：US14827509

    申请日：2015-08-17

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： James P. Di Sarro ,  Robert J. Gauthier ,  Nathan D. Jack ,  JunJun Li ,  Souvick Mitra

    IPC分类号： H02H9/04 ,  H02H9/00

    CPC分类号： H02H9/005 ,  G06F17/5081 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0281 ,  H01L27/0285 ,  H02H9/04 ,  H02H9/046 ,  H03K17/687

    摘要： An integrated circuit having a CML driver including a driver biasing network. A first output pad and a second output pad are connected to a voltage pad. A first driver is connected to the first output pad and the voltage pad. A second driver is connected to the second output pad and the voltage pad. A first ESD circuit is connected to the voltage pad, the first output pad, and the first driver. A second ESD circuit is connected to the voltage pad, the second output pad, and the second driver. The first ESD circuit biases the first driver toward a voltage of the voltage pad when an ESD event occurs at the first output pad, and the second ESD circuit biases the second driver toward the voltage of the voltage pad when an ESD event occurs at the second output pad.

    摘要翻译： 具有CML驱动器的集成电路，其包括驱动器偏置网络。 第一输出焊盘和第二输出焊盘连接到电压焊盘。 第一驱动器连接到第一输出焊盘和电压焊盘。 第二驱动器连接到第二输出焊盘和电压焊盘。 第一ESD电路连接到电压焊盘，第一输出焊盘和第一驱动器。 第二ESD电路连接到电压焊盘，第二输出焊盘和第二驱动器。 当在第一输出焊盘处发生ESD事件时，第一ESD电路将第一驱动器偏压到电压焊盘的电压，并且当在第二ESD处发生ESD事件时，第二ESD电路将第二驱动器偏压到电压焊盘的电压 输出板。

    Bi-directional silicon controlled rectifier structure
    9.
    发明授权
    Bi-directional silicon controlled rectifier structure 有权
    双向可控硅整流器结构

    公开(公告)号：US08946766B2

    公开(公告)日：2015-02-03

    申请号：US13778479

    申请日：2013-02-27

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： James P. Di Sarro ,  Robert J. Gauthier, Jr. ,  Junjun Li

    IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/74 ,  H01L29/66

    CPC分类号： H01L29/66386 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0262 ,  H01L29/66121 ,  H01L29/66371 ,  H01L29/7412 ,  H01L29/7416 ,  H01L29/87

    摘要： Bi-directional silicon controlled rectifier device structures and design structures, as well as fabrication methods for bi-directional silicon controlled rectifier device structures. A well of a first conductivity type is formed in a device region, which may be defined from a device layer of a semiconductor-on-insulator substrate. An anode of a first silicon controlled rectifier is formed in the first well. A cathode of a second silicon controlled rectifier is formed in the first well. The anode of the first silicon controlled rectifier has the first conductivity type. The cathode of the second silicon controlled rectifier has a second conductivity type opposite to the first conductivity type.

    摘要翻译： 双向可控硅整流器件结构和设计结构，以及双向可控硅整流器件结构的制造方法。 第一导电类型的阱形成在器件区域中，其可以由绝缘体上半导体衬底的器件层限定。 在第一井中形成第一可控硅整流器的阳极。 在第一井中形成第二可控硅整流器的阴极。 第一可控硅整流器的阳极具有第一导电类型。 第二可控硅整流器的阴极具有与第一导电类型相反的第二导电类型。