公开(公告)号：US09082523B2

公开(公告)日：2015-07-14

申请号：US13882451

申请日：2011-11-10

Applicant: Barbaros Özyilmaz ,  Guang Xin Ni ,  Yi Zheng

Inventor： Barbaros Özyilmaz ,  Guang Xin Ni ,  Yi Zheng

IPC: B32B9/00 ,  H01B1/04 ,  C01B31/04 ,  H01L51/44 ,  H01B13/00 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01B1/04 ,  C01B32/182 ,  C01B2204/00 ,  H01B13/0033 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5215 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/2911 ,  Y10T428/30

Abstract: A transparent conductor comprising: a graphene layer and a permanent dipole layer on the graphene layer configured to electrostatically dope the graphene layer.

Abstract translation: 一种透明导体，包括：石墨烯层和石墨烯层上的永久偶极子层，被配置为静电掺杂石墨烯层。

公开(公告)号：US20140193626A1

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：US13882451

申请日：2011-11-10

Applicant: Barbaros Özyilmaz ,  Guang Xin Ni ,  Yi Zheng

Inventor： Barbaros Özyilmaz ,  Guang Xin Ni ,  Yi Zheng

IPC: H01B1/04 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B1/04 ,  C01B32/182 ,  C01B2204/00 ,  H01B13/0033 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5215 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/2911 ,  Y10T428/30

Abstract: A transparent conductor comprising: a graphene layer and a permanent dipole layer on the graphene layer configured to electrostatically dope the graphene layer.

Abstract translation: 一种透明导体，包括：石墨烯层和石墨烯层上的永久偶极子层，被配置为静电掺杂石墨烯层。

公开(公告)号：US20110170330A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US13120108

申请日：2009-09-23

Applicant: Barbaros Oezyilmaz ,  Yi Zheng ,  Guang Xin Ni ,  Chee Tat Toh

Inventor： Barbaros Oezyilmaz ,  Yi Zheng ,  Guang Xin Ni ,  Chee Tat Toh

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8246

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/5657 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/35 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/78684

Abstract: The disclosed memory cell (10) comprises a graphene layer (16) having controllable resistance states representing data values of the memory cell (10) In one exemplary embodiment a non-volatile memory is provided by having a ferroelectric layer (18) control the resistance states. In the exemplary embodiment, binary ‘0’s and ‘1’s are respectively represented by low and high resistance states of the graphene layer (16), and these states are switched in a non-volatile manner by the polarization directions of the ferroelectric layer (18).

Abstract translation: 所公开的存储单元（10）包括具有表示存储器单元（10）的数据值的可控电阻状态的石墨烯层（16）。在一个示例性实施例中，通过使铁电层（18）控制电阻来提供非易失性存储器 状态。 在示例性实施例中，二进制“0”和“1”分别由石墨烯层（16）的低电阻状态和高电阻状态表示，并且这些状态通过铁电层（18）的偏振方向以非易失性方式切换， 。