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    Shoe storage apparatus
    1.
    发明授权
    Shoe storage apparatus 有权
    鞋储存装置

    公开(公告)号：US09320354B2

    公开(公告)日：2016-04-26

    申请号：US14566231

    申请日：2014-12-10

    申请人： Toshiyuki Yoshikawa

    发明人： Toshiyuki Yoshikawa

    IPC分类号： A47F7/08 ,  A47B61/04 ,  A47B61/00 ,  A47B47/00

    CPC分类号： A47B61/04 ,  A47B47/0075 ,  A47B61/003

    摘要： The invention provides a shoe storage apparatus capable of saving space when stored, wherein a shoe storage apparatus includes a leg to be disposed on an installation surface, and an upper panel which has a base end portion to be supported by the leg and a tip end portion on the side opposite to the base end portion, and is disposed at a distance from the installation surface in a state where the base end portion is supported by the leg, and on which one shoe of a pair of shoes can be placed, and the upper panel is constituted to be detachable from the leg.

    摘要翻译： 本发明提供了一种能够在储存时节省空间的鞋存储装置，其中，鞋存储装置包括要设置在安装表面上的支脚，以及具有由腿支撑的基端部的上板， 在与基端部相对的一侧的部分上，在基端支撑在腿部的状态下与安装面一定距离配置，并且可以在其上放置一对鞋的一个鞋， 上板被构造成可从腿部拆卸。

    Wafer processing method
    2.
    发明授权
    Wafer processing method 有权
    晶圆加工方法

    公开(公告)号：US07399682B2

    公开(公告)日：2008-07-15

    申请号：US11147245

    申请日：2005-06-08

    申请人： Toshiyuki Yoshikawa ,  Toshio Tsuchiya

    发明人： Toshiyuki Yoshikawa ,  Toshio Tsuchiya

    IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/469

    CPC分类号： H01L21/78 ,  B23K26/16 ,  H01L33/0095

    摘要： A wafer processing method for carrying out processing by applying a laser beam along streets formed on a wafer, comprising a step of applying a laser beam at an incident angle of a predetermined inclination angle to the normal line of a processing surface of the wafer while the wafer is processing-fed along a street from one end to the other end on the side of the laser beam application at an acute angle to the processing surface of the wafer.

    摘要翻译： 一种用于通过沿着形成在晶片上的街道施加激光束来进行处理的晶片处理方法，包括以与晶片的处理表面的法线成规定倾斜角的入射角施加激光束的步骤，同时 晶片沿着激光束施加侧的一端到另一端的一条街道以与晶片的处理表面成锐角的方式进行加工。

    Wafer processing method
    5.
    发明申请
    Wafer processing method 有权
    晶圆加工方法

    公开(公告)号：US20050277270A1

    公开(公告)日：2005-12-15

    申请号：US11147245

    申请日：2005-06-08

    申请人： Toshiyuki Yoshikawa ,  Toshio Tsuchiya

    发明人： Toshiyuki Yoshikawa ,  Toshio Tsuchiya

    IPC分类号： B23K26/00 ,  B23K26/08 ,  B23K26/16 ,  B23K26/18 ,  B23K101/40 ,  H01L21/301 ,  H01L21/78

    CPC分类号： H01L21/78 ,  B23K26/16 ,  H01L33/0095

    摘要： A wafer processing method for carrying out processing by applying a laser beam along streets formed on a wafer, comprising a step of applying a laser beam at an incident angle of a predetermined inclination angle to the normal line of a processing surface of the wafer while the wafer is processing-fed along a street from one end to the other end on the side of the laser beam application at an acute angle to the processing surface of the wafer.

    摘要翻译： 一种用于通过沿着形成在晶片上的街道施加激光束来进行处理的晶片处理方法，包括以与晶片的处理表面的法线成规定倾斜角的入射角施加激光束的步骤，同时 晶片沿着激光束施加侧的一端到另一端的一条街道以与晶片的处理表面成锐角的方式进行加工。

    Hydrophilic therapeutic material
    7.
    发明授权
    Hydrophilic therapeutic material 失效
    亲水治疗材料

    公开(公告)号：US4608249A

    公开(公告)日：1986-08-26

    申请号：US438422

    申请日：1982-11-02

    申请人： Saburo Otsuka ,  Toshiyuki Yoshikawa ,  Shoichi Tokuda ,  Yuusuke Ito

    发明人： Saburo Otsuka ,  Toshiyuki Yoshikawa ,  Shoichi Tokuda ,  Yuusuke Ito

    IPC分类号： A61K9/70 ,  A61L15/03 ,  A61K31/79 ,  C08F220/12

    CPC分类号： A61K9/7053 ,  A61K9/7061

    摘要： A hydrophilic therapeutic material comprising a carrier and a drug-containing patching layer formed thereon directly or indirectly, wherein said patching layer comprises a copolymer of 5 to 75% by weight of an acrylic or methacrylic ester having an ether group in the molecule, 85 to 15% by weight of an alkyl acrylate or alkyl methacrylate and 10 to 50% by weight of a polar monomer copolymerizable therewith.

    摘要翻译： 一种亲水治疗材料，其包含直接或间接形成于其上的载体和含药剂的修补层，其中所述修补层包含5至75重量％的在分子中具有醚基的丙烯酸或甲基丙烯酸酯的共聚物，85至 15重量％的丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯和10〜50重量％的与其共聚的极性单体。

    METHOD OF DETECTING CONDENSING SPOT POSITION IN LASER BEAM PROCESSING APPARATUS
    9.
    发明申请
    METHOD OF DETECTING CONDENSING SPOT POSITION IN LASER BEAM PROCESSING APPARATUS 有权
    检测激光光束处理装置中凝结点位置的方法

    公开(公告)号：US20130082038A1

    公开(公告)日：2013-04-04

    申请号：US13617046

    申请日：2012-09-14

    申请人： Toshiyuki YOSHIKAWA ,  Hironari OHKUBO ,  Noboru TAKEDA

    发明人： Toshiyuki YOSHIKAWA ,  Hironari OHKUBO ,  Noboru TAKEDA

    IPC分类号： B23K26/02

    CPC分类号： B23K26/048 ,  B23K26/00 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3043 ,  H01L2221/00

    摘要： A method of detecting a condensing spot position in a laser beam processing apparatus, including: a detection position setting step of setting a plurality of Z-axis directional positions in a range from a starting point to an ending point of detection positions into which the condenser is positioned; a laser beam processed groove forming step of sequentially positioning the condenser into the detection positions in the range from the starting point to the ending point, performing a predetermined interval indexing feeding by operating indexing feeding means each time the detection position for the condenser is changed, and forming a laser beam processed groove of a predetermined length in the plate-shaped body at each of the detection positions for the condenser; and a laser beam processed groove imaging step of imaging the laser beam processed grooves formed in the plate-shaped body by imaging means.

    摘要翻译： 一种检测激光束处理装置中的聚光点位置的方法，包括：检测位置设定步骤，在从所述冷凝器的检测位置的起始点到终点的范围内设定多个Z轴方向位置 定位 激光束处理槽形成步骤，将冷凝器顺序地定位在从起点到终点的范围内的检测位置，每当改变冷凝器的检测位置时，通过操作分度输送装置执行预定的间隔分度进给， 以及在所述冷凝器的每个检测位置处，在所述板状体中形成预定长度的激光束处理槽; 以及激光束处理槽成像步骤，通过成像装置对形成在板状体中的激光束处理槽进行成像。

    Wafer laser processing method
    10.
    发明授权
    Wafer laser processing method 有权
    晶圆激光加工方法

    公开(公告)号：US07446022B2

    公开(公告)日：2008-11-04

    申请号：US11384355

    申请日：2006-03-21

    申请人： Toshiyuki Yoshikawa ,  Nobuyasu Kitahara ,  Noboru Takeda

    发明人： Toshiyuki Yoshikawa ,  Nobuyasu Kitahara ,  Noboru Takeda

    IPC分类号： H01L21/301 ,  B23K26/38

    CPC分类号： B23K26/40 ,  B23K2103/172

    摘要： A wafer laser processing method for forming a groove in a wafer having a protective film on the processing surface of a substrate along a predetermined processing line, comprising a first step for forming a first groove in the protective film along the dividing lines by applying a first pulse laser beam set to an output at which the protective film can be processed but the substrate can not be processed, to the protective film along the processing lines; and a second step for forming a second groove in the substrate along the first grooves by applying a second pulse laser beam set to an output at which the substrate can be processed, along the first grooves.

    摘要翻译： 一种用于在沿着预定处理线的基板的处理表面上具有保护膜的晶片中形成凹槽的晶片激光加工方法，包括：通过施加第一工序，沿着分割线在保护膜中形成第一凹槽的第一步骤 将脉冲激光束设置到可以处理保护膜但不能处理衬底的输出到处理线的保护膜; 以及第二步骤，通过沿着第一凹槽施加第二脉冲激光束设置到可以处理基板的输出端，沿着第一凹槽在基板中形成第二凹槽。