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    Filler for affinity chromatography
    1.
    发明授权
    Filler for affinity chromatography 有权
    填料用于亲和层析

    公开(公告)号：US09162161B2

    公开(公告)日：2015-10-20

    申请号：US13638751

    申请日：2011-03-29

    申请人： Kouji Tamori ,  Takayoshi Abe ,  Yusuke Okano ,  Masaki Momiyama ,  Hiroshi Kawai ,  Satoshi Hyugaji ,  Tomonori Shiotani ,  Kazuhiro Ikkyu ,  Yong Wang

    发明人： Kouji Tamori ,  Takayoshi Abe ,  Yusuke Okano ,  Masaki Momiyama ,  Hiroshi Kawai ,  Satoshi Hyugaji ,  Tomonori Shiotani ,  Kazuhiro Ikkyu ,  Yong Wang

    IPC分类号： B01D15/04 ,  B01D15/08 ,  B01D15/38 ,  C08F8/00 ,  C08F220/26 ,  B01J20/26 ,  B01J20/286

    CPC分类号： B01D15/3804 ,  B01J20/265 ,  B01J20/286 ,  C08F8/00 ,  C08F220/26 ,  Y10T428/2982

    摘要： Provided is a filler for affinity chromatography having a high dynamic binding capacity for proteins and having excellent alkali resistance and storage stability. The filler for affinity chromatography of the present invention comprises a porous particle consisting of a copolymer of 40 parts to 99.5 parts by mass of (M-1) a methacryloyl group-containing vinyl monomer that contains a hydroxyl group and does not contain an epoxy group, 0.5 parts to 30 parts by mass of (M-2) an epoxy group-containing vinyl monomer, 0 parts to 59.5 parts by mass of (M-3) a methacryloyl group-containing vinyl monomer which is other than the monomers (M-1) and (M-2), and 0 parts to 25 parts by mass of (M-4) a vinyl monomer other than the monomers (M-1), (M-2) and (M-3) (with the proviso that the total amount of the contents of (M-1), (M-2), (M-3) and (M-4) is 100 parts by mass); ring-opened epoxy group obtainable by ring-opening of epoxy group that is contained in the copolymer; and ligand that is bound to the porous particle.

    摘要翻译： 本发明提供一种对蛋白质具有高动态结合能力并具有优异的耐碱性和储存稳定性的亲和层析用填料。 本发明的亲和层析用填料包含由40〜99.5质量份的含有甲基丙烯酰基的含有甲基丙烯酰基的乙烯基单体（不含有环氧基）的（M-1）共聚物构成的多孔质粒子 ，（M-2）含有环氧基的乙烯基单体0.5〜30质量份，除了单体（M）以外的（M-3）含有甲基丙烯酰基的乙烯基单体的（M-3） -1）和（M-2）和0〜25质量份（M-4）除了单体（M-1），（M-2）和（M-3） 条件是（M-1），（M-2），（M-3）和（M-4）的含量的总量为100质量份） 通过共聚物中包含的环氧基开环获得的开环环氧基; 和与多孔颗粒结合的配体。

    RESIST PATTERN FORMATION METHOD, AND RESIN COMPOSITION CAPABLE OF INSOLUBILIZING RESIST PATTERN
    3.
    发明申请
    RESIST PATTERN FORMATION METHOD, AND RESIN COMPOSITION CAPABLE OF INSOLUBILIZING RESIST PATTERN 审中-公开
    耐蚀图案形成方法和可剥离抗蚀剂图案的树脂组合物

    公开(公告)号：US20100323292A1

    公开(公告)日：2010-12-23

    申请号：US12526045

    申请日：2008-03-11

    申请人： Atsushi Nakamura ,  Tomoki Nagai ,  Takayoshi Abe ,  Tomohiro Kakizawa

    发明人： Atsushi Nakamura ,  Tomoki Nagai ,  Takayoshi Abe ,  Tomohiro Kakizawa

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274

    摘要： A resist pattern formation method includes (1) a step of forming a first resist pattern which includes forming a first resist layer on a substrate, selectively exposing the first resist layer to radiation through a mask, and developing the exposed first resist layer, (2) a step of insolubilizing the first resist pattern by coating the first resist pattern with a resist pattern insolubilizing resin composition, baking or curing with UV, and developing the resist pattern insolubilizing resin composition, (3) a step of forming a second resist layer on the insolubilized resist pattern and selectively exposing the second resist layer to radiation through a mask, and (4) a step of developing the exposed second resist layer to form a second resist pattern.

    摘要翻译： 抗蚀剂图案形成方法包括：（1）形成第一抗蚀剂图案的步骤，该第一抗蚀剂图案包括在基板上形成第一抗蚀剂层，通过掩模选择性地将第一抗蚀剂层暴露于辐射，以及使曝光的第一抗蚀剂层显影 ）通过用抗蚀剂图案不溶化树脂组合物涂布第一抗蚀剂图案，用UV烘烤或固化并使抗蚀剂图案不溶化树脂组合物显影来使第一抗蚀剂图案不溶化的步骤，（3）形成第二抗蚀剂层的步骤 所述不溶化抗蚀剂图案并且通过掩模选择性地暴露所述第二抗蚀剂层以及（4）使所述暴露的第二抗蚀剂层显影以形成第二抗蚀剂图案的步骤。

    RESIST PATTERN-FORMING METHOD AND RESIST PATTERN MINIATURIZING RESIN COMPOSITION
    4.
    发明申请
    RESIST PATTERN-FORMING METHOD AND RESIST PATTERN MINIATURIZING RESIN COMPOSITION 有权
    电阻图案形成方法和电阻图案微型化树脂组合物

    公开(公告)号：US20100310988A1

    公开(公告)日：2010-12-09

    申请号：US12841988

    申请日：2010-07-22

    申请人： Takayoshi ABE ,  Atsushi Nakamura ,  Gouji Wakamatsu

    发明人： Takayoshi ABE ,  Atsushi Nakamura ,  Gouji Wakamatsu

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  Y10S430/106

    摘要： A resist pattern-forming method includes forming a first resist pattern using a first positive-tone radiation-sensitive resin composition. A resist pattern-miniaturizing resin composition is applied to the first resist pattern. The resist pattern-miniaturizing resin composition applied to the first resist pattern is baked and developed to form a second resist pattern that is miniaturized from the first resist pattern. A resist pattern-insolubilizing resin composition is applied to the second resist pattern. The resist pattern-insolubilizing resin composition applied to the second resist pattern is baked and washed to form a third resist pattern that is insoluble in a developer and a second positive-tone radiation-sensitive resin composition. A second resist layer is formed on the third resist pattern using the second positive-tone radiation-sensitive resin composition. The second resist layer is exposed and developed to form a fourth resist pattern.

    摘要翻译： 抗蚀剂图案形成方法包括使用第一正性感光树脂组合物形成第一抗蚀剂图案。 将抗蚀剂图案 - 小型化树脂组合物施加到第一抗蚀剂图案。 施加到第一抗蚀剂图案上的抗蚀剂图案 - 小型化树脂组合物被烘焙和显影以形成从第一抗蚀剂图案小型化的第二抗蚀剂图案。 将抗蚀剂图案不溶化树脂组合物施加到第二抗蚀剂图案。 将施加到第二抗蚀剂图案上的抗蚀剂图案不溶化树脂组合物进行烘烤和洗涤以形成不溶于显影剂的第三抗蚀剂图案和第二正色辐射敏感性树脂组合物。 使用第二正性感光树脂组合物在第三抗蚀剂图案上形成第二抗蚀剂层。 第二抗蚀剂层被曝光和显影以形成第四抗蚀剂图案。

    METHOD FOR PATTERN FORMATION AND RESIN COMPOSITION FOR USE IN THE METHOD
    5.
    发明申请
    METHOD FOR PATTERN FORMATION AND RESIN COMPOSITION FOR USE IN THE METHOD 有权
    方法中使用的图案形成方法和树脂组合物

    公开(公告)号：US20100190104A1

    公开(公告)日：2010-07-29

    申请号：US12601011

    申请日：2008-05-21

    申请人： Atsushi Nakamura ,  Tsutomu Shimokawa ,  Junichi Takahashi ,  Takayoshi Abe ,  Tomoki Nagai ,  Tomohiro Kakizawa

    发明人： Atsushi Nakamura ,  Tsutomu Shimokawa ,  Junichi Takahashi ,  Takayoshi Abe ,  Tomoki Nagai ,  Tomohiro Kakizawa

    IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004

    CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  Y10S430/106

    摘要： A pattern forming method includes (1) selectively exposing a first resist layer, and developing the exposed first resist layer to form a first pattern, (2) applying a resin composition containing a hydroxyl group-containing resin and a solvent to the first pattern, baking the applied resin composition, and developing the baked resin composition to form a second pattern, the hydroxyl group-containing resin becoming insoluble or scarcely soluble in a developer when baked, and (3) totally or selectively exposing the second pattern to make the second pattern partly soluble in the developer, and developing the exposed second pattern to form a third pattern in which at least a hole or a groove is formed in the second pattern.

    摘要翻译： 图案形成方法包括：（1）选择性地暴露第一抗蚀剂层，以及使曝光的第一抗蚀剂层显影以形成第一图案;（2）将含有羟基的树脂和溶剂的树脂组合物施加到第一图案， 烘烤所施加的树脂组合物，并显影所述烘焙的树脂组合物以形成第二图案，所述含羟基的树脂在烘烤时变得不溶或几乎不溶于显影剂，以及（3）全部或选择性地暴露所述第二图案以制备第二图案 图案部分地溶解在显影剂中，并且显影第二图案以形成第三图案，其中至少在第二图案中形成孔或凹槽。

    Method for pattern formation and resin composition for use in the method
    7.
    发明授权
    Method for pattern formation and resin composition for use in the method 有权
    用于图案形成的方法和用于该方法的树脂组合物

    公开(公告)号：US08211624B2

    公开(公告)日：2012-07-03

    申请号：US12601011

    申请日：2008-05-21

    申请人： Atsushi Nakamura ,  Tsutomu Shimokawa ,  Junichi Takahashi ,  Takayoshi Abe ,  Tomoki Nagai ,  Tomohiro Kakizawa

    发明人： Atsushi Nakamura ,  Tsutomu Shimokawa ,  Junichi Takahashi ,  Takayoshi Abe ,  Tomoki Nagai ,  Tomohiro Kakizawa

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40

    CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  Y10S430/106

    摘要： A pattern forming method includes (1) selectively exposing a first resist layer, and developing the exposed first resist layer to form a first pattern, (2) applying a resin composition containing a hydroxyl group-containing resin and a solvent to the first pattern, baking the applied resin composition, and developing the baked resin composition to form a second pattern, the hydroxyl group-containing resin becoming insoluble or scarcely soluble in a developer when baked, and (3) totally or selectively exposing the second pattern to make the second pattern partly soluble in the developer, and developing the exposed second pattern to form a third pattern in which at least a hole or a groove is formed in the second pattern.

    摘要翻译： 图案形成方法包括：（1）选择性地暴露第一抗蚀剂层，以及使曝光的第一抗蚀剂层显影以形成第一图案;（2）将含有羟基的树脂和溶剂的树脂组合物施加到第一图案， 烘烤所施加的树脂组合物，并显影所述烘焙的树脂组合物以形成第二图案，所述含羟基的树脂在烘烤时变得不溶或几乎不溶于显影剂，以及（3）全部或选择性地暴露所述第二图案以制备第二图案 图案部分地溶解在显影剂中，并且显影第二图案以形成第三图案，其中至少在第二图案中形成孔或凹槽。

    RESIN COMPOSITION FOR MICROPATTERN FORMATION AND METHOD OF MICROPATTERN FORMATION
    8.
    发明申请
    RESIN COMPOSITION FOR MICROPATTERN FORMATION AND METHOD OF MICROPATTERN FORMATION 审中-公开
    微生物形成的树脂组合物和微生物形成方法

    公开(公告)号：US20100009292A1

    公开(公告)日：2010-01-14

    申请号：US12525816

    申请日：2008-02-20

    申请人： Tomoki Nagai ,  Atsushi Nakamura ,  Takayoshi Abe ,  Makoto Sugiura

    发明人： Tomoki Nagai ,  Atsushi Nakamura ,  Takayoshi Abe ,  Makoto Sugiura

    IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/039

    CPC分类号： G03F7/40

    摘要： A resin composition which can increase the pattern shrink rate while maintaining the advantages of capability of effectually and precisely micronizing the resist pattern gaps irrespective of the surface conditions of the substrate and forming resist patterns exceeding the wavelength limit economically at low cost in a good condition having only small defects, and a method of efficiently forming a micropattern using the resin composition are disclosed. The resin composition for forming a micropattern includes a hydroxyl group-containing resin, a crosslinking component, and an alcohol solvent which contains an alcohol and not more than 10 mass % of water relative to the total solvent. The crosslinking component includes a compound having two or more acryloyloxy groups in the molecule.

    摘要翻译： 可以提高图案收缩率的树脂组合物，同时保持有效地和精确地微细化抗蚀剂图案间隙的能力的优点，而不管基材的表面条件如何，并且在良好的条件下以低成本在经济上形成超过波长极限的抗蚀剂图案， 公开了仅有小的缺陷，以及使用该树脂组合物有效地形成微图案的方法。 用于形成微图案的树脂组合物包括含羟基的树脂，交联组分和醇溶剂，其相对于总溶剂含有醇且不超过10质量％的水。 交联组分包括在分子中具有两个或更多个丙烯酰氧基的化合物。

    Ground fault detection circuit and ground fault detection apparatus
    10.
    发明授权
    Ground fault detection circuit and ground fault detection apparatus 有权
    接地故障检测电路和接地故障检测装置

    公开(公告)号：US08797042B2

    公开(公告)日：2014-08-05

    申请号：US13427088

    申请日：2012-03-22

    申请人： Takehito Ike ,  Takayoshi Abe ,  Tomomichi Nakai ,  Takeshi Nakashima ,  Kazuo Ishimoto

    发明人： Takehito Ike ,  Takayoshi Abe ,  Tomomichi Nakai ,  Takeshi Nakashima ,  Kazuo Ishimoto

    IPC分类号： G01N27/416

    CPC分类号： G01R31/025 ,  H02H3/16 ,  H02H7/20

    摘要： A ground fault detection circuit includes: a first switch circuit that connects/disconnects a first path between a positive bus bar and a ground potential section, the positive bus bar being connected to positive electrodes of secondary battery units through a field-effect transistor including a parasitic diode; a second switch circuit that connects/disconnects a second path between a negative bus bar and a ground potential section, the negative bus bar being connected to negative electrodes of the secondary battery units; and a ground fault detection unit that detects a ground fault of the positive bus bar or the negative bus bar based on an electric current flowing through the first path or the second path.

    摘要翻译： 接地故障检测电路包括：第一开关电路，其连接/断开正母线和地电位部分之间的第一路径，所述正母线通过场效应晶体管连接到二次电池单元的正电极，所述场效应晶体管包括 寄生二极管; 第二开关电路，连接/断开负母线和地电位部分之间的第二路径，负母线连接到二次电池单元的负电极; 以及接地故障检测单元，其基于流过所述第一路径或所述第二路径的电流来检测所述正母线或所述负母线的接地故障。