公开(公告)号：US08796843B1

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US12855274

申请日：2010-08-12

申请人： Dubravko I. Babic ,  Quentin E. Diduck ,  Alex Schreiber

发明人： Dubravko I. Babic ,  Quentin E. Diduck ,  Alex Schreiber

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L23/047 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/40 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2023/4062 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014

摘要： High-power and high-frequency semiconductor devices require high signal integrity and high thermal conductance assembly technologies and packages. In particular, wide-gap-semiconductor devices on diamond benefit from spatially separate electrical and thermal connections. This application discloses assembly and package architectures that offer high signal integrity and high thermal conductance.

摘要翻译： 大功率和高频半导体器件需要高信号完整性和高导热组装技术和封装。 特别地，金刚石上的宽间隙半导体器件从空间上分离的电和热连接中获益。 本申请公开了提供高信号完整性和高导热性的组装和封装体系结构。