公开(公告)号：US08809179B2

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：US11716164

申请日：2007-03-09

申请人： Shih Wei Wang ,  Derek Lin ,  Chen-Ming Huang ,  Chang-Jen Hsieh ,  Chi-Hsin Lo ,  Chung-Yi Yu ,  Feng-Jia Shiu ,  Yeur-Luen Tu ,  Yi-Shin Chu ,  Jen-Sheng Yang

发明人： Shih Wei Wang ,  Derek Lin ,  Chen-Ming Huang ,  Chang-Jen Hsieh ,  Chi-Hsin Lo ,  Chung-Yi Yu ,  Feng-Jia Shiu ,  Yeur-Luen Tu ,  Yi-Shin Chu ,  Jen-Sheng Yang

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L27/115 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11573

摘要： A method for forming a semiconductor structure includes providing a substrate; forming a gate stack of a flash memory cell, wherein a top portion of the gate stack comprises a capping layer; forming a gate having at least a portion over the capping layer; and reducing a thickness of the portion of the gate over the capping layer. The topography height difference between the flash memory cell and MOS devices on the same chip is reduced.

摘要翻译： 一种形成半导体结构的方法包括：提供衬底; 形成闪存单元的栅极堆叠，其中所述栅极堆叠的顶部部分包括覆盖层; 形成具有覆盖层上方的至少一部分的栅极; 并且在所述封盖层上减小所述栅极的所述部分的厚度。 闪存单元和同一芯片上的MOS器件之间的地形高差减小。

公开(公告)号：US20130056837A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13244365

申请日：2011-09-24

申请人： Jin-Aun Ng ,  Maxi Chang ,  Jen-Sheng Yang ,  Ta-Wei Lin ,  Shih-Hao Lo ,  Chih-Yang Yeh ,  Hui-Wen Lin ,  Jung-Hui Kao ,  Yuan-Tien Tu ,  Huan-Just Lin ,  Chih-Tang Peng ,  Pei-Ren Jeng ,  Bao-Ru Young ,  Hak-Lay Chuang

发明人： Jin-Aun Ng ,  Maxi Chang ,  Jen-Sheng Yang ,  Ta-Wei Lin ,  Shih-Hao Lo ,  Chih-Yang Yeh ,  Hui-Wen Lin ,  Jung-Hui Kao ,  Yuan-Tien Tu ,  Huan-Just Lin ,  Chih-Tang Peng ,  Pei-Ren Jeng ,  Bao-Ru Young ,  Hak-Lay Chuang

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28229 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： A method of making an integrated circuit includes providing a semiconductor substrate and forming a gate dielectric over the substrate, such as a high-k dielectric. A metal gate structure is formed over the semiconductor substrate and the gate dielectric and a thin dielectric film is formed over that. The thin dielectric film includes oxynitride combined with metal from the metal gate. The method further includes providing an interlayer dielectric (ILD) on either side of the metal gate structure.

摘要翻译： 制造集成电路的方法包括提供半导体衬底并在诸如高k电介质的衬底上形成栅极电介质。 在半导体衬底上形成金属栅极结构，并在其上形成一个薄的电介质膜。 薄介电膜包括从金属栅极与金属组合的氮氧化合物。 该方法还包括在金属栅极结构的两侧提供层间电介质（ILD）。

公开(公告)号：US08822283B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US13244365

申请日：2011-09-24

申请人： Jin-Aun Ng ,  Maxi Chang ,  Jen-Sheng Yang ,  Ta-Wei Lin ,  Shih-Hao Lo ,  Chih-Yang Yeh ,  Hui-Wen Lin ,  Jung-Hui Kao ,  Yuan-Tien Tu ,  Huan-Just Lin ,  Chih-Tang Peng ,  Pei-Ren Jeng ,  Bao-Ru Young ,  Hak-Lay Chuang

发明人： Jin-Aun Ng ,  Maxi Chang ,  Jen-Sheng Yang ,  Ta-Wei Lin ,  Shih-Hao Lo ,  Chih-Yang Yeh ,  Hui-Wen Lin ,  Jung-Hui Kao ,  Yuan-Tien Tu ,  Huan-Just Lin ,  Chih-Tang Peng ,  Pei-Ren Jeng ,  Bao-Ru Young ,  Hak-Lay Chuang

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/28229 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： A method of making an integrated circuit includes providing a semiconductor substrate and forming a gate dielectric over the substrate, such as a high-k dielectric. A metal gate structure is formed over the semiconductor substrate and the gate dielectric and a thin dielectric film is formed over that. The thin dielectric film includes oxynitride combined with metal from the metal gate. The method further includes providing an interlayer dielectric (ILD) on either side of the metal gate structure.

摘要翻译： 制造集成电路的方法包括提供半导体衬底并在诸如高k电介质的衬底上形成栅极电介质。 在半导体衬底上形成金属栅极结构，并在其上形成一个薄的电介质膜。 薄介电膜包括从金属栅极与金属组合的氮氧化合物。 该方法还包括在金属栅极结构的两侧提供层间电介质（ILD）。

公开(公告)号：US20070241386A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：US11716164

申请日：2007-03-09

申请人： Shih Wei Wang ,  Derek Lin ,  Chen-Ming Huang ,  Chang-Jen Hsieh ,  Chi-Hsin Lo ,  Chung-Yi Yu ,  Feng-Jia Shiu ,  Yeur-Luen Tu ,  Yi-Shin Chu ,  Jen-Sheng Yang

发明人： Shih Wei Wang ,  Derek Lin ,  Chen-Ming Huang ,  Chang-Jen Hsieh ,  Chi-Hsin Lo ,  Chung-Yi Yu ,  Feng-Jia Shiu ,  Yeur-Luen Tu ,  Yi-Shin Chu ,  Jen-Sheng Yang

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11573

摘要： A method for forming a semiconductor structure includes providing a substrate; forming a gate stack of a flash memory cell, wherein a top portion of the gate stack comprises a capping layer; forming a gate having at least a portion over the capping layer; and reducing a thickness of the portion of the gate over the capping layer. The topography height difference between the flash memory cell and MOS devices on the same chip is reduced.

摘要翻译： 一种形成半导体结构的方法包括：提供衬底; 形成闪存单元的栅极堆叠，其中所述栅极堆叠的顶部部分包括覆盖层; 形成具有覆盖层上方的至少一部分的栅极; 并且在所述封盖层上减小所述栅极的所述部分的厚度。 闪存单元和同一芯片上的MOS器件之间的地形高差减小。