公开(公告)号：US20150368557A1

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：US14312043

申请日：2014-06-23

申请人： Hyosan Lee ,  Yongsun Ko ,  Kyoungseob Kim ,  Kuntack Lee ,  Jihoon Jeong ,  Chen Lin ,  Christopher K. Ober

发明人： Hyosan Lee ,  Yongsun Ko ,  Kyoungseob Kim ,  Kuntack Lee ,  Jihoon Jeong ,  Chen Lin ,  Christopher K. Ober

IPC分类号： C09K13/00

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/76802 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104

摘要： The present inventive concepts provide metal etchant compositions and methods of fabricating a semiconductor device using the same. The metal etchant composition includes an organic peroxide in a range of about 0.1 wt % to about 20 wt %, an organic acid in a range of about 0.1 wt % to about 70 wt %, and an alcohol-based solvent in a range of about 10 wt % to about 99.8 wt %. The metal etchant composition may be used in an anhydrous system.

摘要翻译： 本发明构思提供金属蚀刻剂组合物和使用其制造半导体器件的方法。 金属蚀刻剂组合物包括约0.1重量％至约20重量％范围内的有机过氧化物，约0.1重量％至约70重量％范围内的有机酸和约0.001重量％至约70重量％范围内的醇系溶剂 10重量％至约99.8重量％。 金属蚀刻剂组合物可用于无水体系中。

公开(公告)号：US20120214296A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13458418

申请日：2012-04-27

申请人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-Ill Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

发明人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-Ill Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of forming the same. The method may include forming a metal oxide layer on a substrate and forming a sacrificial oxide layer on the metal oxide layer. An annealing process is performed on the substrate. A formation-free energy of the sacrificial oxide layer is greater than a formation-free energy of the metal oxide layer at a process temperature of the annealing process.

摘要翻译： 提供半导体器件及其形成方法。 该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层并在金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。 在基板上进行退火处理。 在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的无形成能大于金属氧化物层的无形成能。

公开(公告)号：US20090065032A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：US12230293

申请日：2008-08-27

申请人： Donggyun Han ,  Woosung Han ,  Changki Hong ,  Sangjun Choi ,  Hyungho Ko ,  Hyosan Lee

发明人： Donggyun Han ,  Woosung Han ,  Changki Hong ,  Sangjun Choi ,  Hyungho Ko ,  Hyosan Lee

IPC分类号： B32B38/10

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/02043 ,  Y10S438/906

摘要： An apparatus and method for removing photoresist from a substrate, which includes treating the photoresist with a first reactant to cause swelling, cracking or delamination of the photoresist, treating the photoresist with a second reactant to chemically alter the photoresist, and subsequently removing the chemically altered photoresist with a third reactant. In one example, the first reactant is supercritical carbon dioxide (SCCO2), the second reactant is ozone vapor, and the third reactant is deionized water.

摘要翻译： 一种用于从基底去除光致抗蚀剂的装置和方法，其包括用第一反应物处理光致抗蚀剂以引起光致抗蚀剂的溶胀，破裂或分层，用第二反应物处理光致抗蚀剂以化学改变光致抗蚀剂，随后除去化学改变的 具有第三反应物的光致抗蚀剂。 在一个实例中，第一反应物是超临界二氧化碳（SCCO 2），第二反应物是臭氧蒸气，第三反应物是去离子水。

公开(公告)号：US07431855B2

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：US10712775

申请日：2003-11-14

申请人： Donggyun Han ,  Woosung Han ,  Changki Hong ,  Sangjun Choi ,  Hyungho Ko ,  Hyosan Lee

发明人： Donggyun Han ,  Woosung Han ,  Changki Hong ,  Sangjun Choi ,  Hyungho Ko ,  Hyosan Lee

IPC分类号： H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/02043 ,  Y10S438/906

摘要： An apparatus and method for removing photoresist from a substrate, which includes treating the photoresist with a first reactant to cause swelling, cracking or delamination of the photoresist, treating the photoresist with a second reactant to chemically alter the photoresist, and subsequently removing the chemically altered photoresist with a third reactant. In one example, the first reactant is supercritical carbon dioxide (SCCO2), the second reactant is ozone vapor, and the third reactant is deionized water.

摘要翻译： 一种用于从基底去除光致抗蚀剂的装置和方法，其包括用第一反应物处理光致抗蚀剂以引起光致抗蚀剂的溶胀，破裂或分层，用第二反应物处理光致抗蚀剂以化学改变光致抗蚀剂，随后除去化学改变的 具有第三反应物的光致抗蚀剂。 在一个实例中，第一反应物是超临界二氧化碳（SCCO 2 H 2），第二反应物是臭氧蒸气，第三反应物是去离子水。

公开(公告)号：US20160027637A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：US14704912

申请日：2015-05-05

申请人： KYOUNGSEOB KIM ,  YONGSUN KO ,  KYOUNG HWAN KIM ,  SeokHoon KIM ,  KUNTACK LEE ,  HYOSAN LEE

发明人： KYOUNGSEOB KIM ,  YONGSUN KO ,  KYOUNG HWAN KIM ,  SeokHoon KIM ,  KUNTACK LEE ,  HYOSAN LEE

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/02068 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/78

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes: forming a pattern on a surface of a semiconductor substrate; placing the substrate on a platform of a substrate treatment apparatus; rotating the wafer while applying a cleaning liquid from a first nozzle and a wetting liquid from a second nozzle to treat a first region on the surface of the substrate; vertically changing the distance of the second nozzle together with the first nozzle with respect to the platform; after the vertical change, rotating the wafer while applying the cleaning liquid from the first nozzle and the wetting liquid from the second nozzle to treat a second region on the surface of the substrate; and forming a semiconductor device from the treated substrate.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底的表面上形成图案; 将基板放置在基板处理装置的平台上; 在从第一喷嘴施加清洁液体和来自第二喷嘴的润湿液体的同时旋转晶片以处理基板表面上的第一区域; 与第一喷嘴相对于平台垂直地改变第二喷嘴的距离; 在垂直变化之后，在从第一喷嘴施加清洁液体和来自第二喷嘴的润湿液体的同时转动晶片以处理基板表面上的第二区域; 以及从处理过的衬底形成半导体器件。

公开(公告)号：US08076198B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US12657092

申请日：2010-01-13

申请人： Hyosan Lee ,  Boun Yoon ,  Kuntack Lee ,  Donghyun Kim ,  Daehyuk Kang ,  Imsoo Park ,  Youngok Kim ,  Young-Hoo Kim ,  Sang Won Bae

发明人： Hyosan Lee ,  Boun Yoon ,  Kuntack Lee ,  Donghyun Kim ,  Daehyuk Kang ,  Imsoo Park ,  Youngok Kim ,  Young-Hoo Kim ,  Sang Won Bae

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

摘要： A method of fabricating a nonvolatile memory device with a three-dimensional structure includes alternately stacking first and second material layers in two or more layers on a semiconductor substrate, forming trenches penetrating the stacked first and second material layers by performing a first etching process, and removing the second material layers exposed in the trenches by performing a second etching process. The first and second material layers are formed of materials that have the same main component but have different impurity contents, respectively.

摘要翻译： 一种制造具有三维结构的非易失性存储器件的方法包括在半导体衬底上交替堆叠两层或多层第一和第二材料层，通过执行第一蚀刻工艺形成贯穿层叠的第一和第二材料层的沟槽，以及 通过执行第二蚀刻工艺去除在沟槽中暴露的第二材料层。 第一和第二材料层由具有相同主要成分但具有不同杂质含量的材料形成。

公开(公告)号：US20100099245A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12581223

申请日：2009-10-19

申请人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-III Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

发明人： Sangjin Hyun ,  Siyoung Choi ,  Yugyun Shin ,  Kang-III Seo ,  Hagju Cho ,  Hoonjoo Na ,  Hyosan Lee ,  Jun-Woong Park ,  Hye-Lan Lee ,  Hyung-Seok Hong

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of forming the same. The method may include forming a metal oxide layer on a substrate and forming a sacrificial oxide layer on the metal oxide layer. An annealing process is performed on the substrate. A formation-free energy of the sacrificial oxide layer is greater than a formation-free energy of the metal oxide layer at a process temperature of the annealing process.

摘要翻译： 提供半导体器件及其形成方法。 该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层并在金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。 在基板上进行退火处理。 在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的无形成能大于金属氧化物层的无形成能。

公开(公告)号：US10155903B2

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：US15075709

申请日：2016-03-21

申请人： Hyosan Lee ,  Yongsun Ko ,  Kyoungseob Kim ,  Kuntack Lee ,  Jihoon Jeong ,  Chen Lin ,  Christopher K. Ober

发明人： Hyosan Lee ,  Yongsun Ko ,  Kyoungseob Kim ,  Kuntack Lee ,  Jihoon Jeong ,  Chen Lin ,  Christopher K. Ober

IPC分类号： B44C1/22 ,  C23F1/00 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  C25F3/00 ,  C09K13/08 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/00 ,  C23F1/26 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  C23F1/18 ,  C23F1/20

摘要： The present inventive concepts provide metal etchant compositions and methods of fabricating a semiconductor device using the same. The metal etchant composition includes an organic peroxide in a range of about 0.1 wt % to about 20 wt %, an organic acid in a range of about 0.1 wt % to about 70 wt %, and an alcohol-based solvent in a range of about 10 wt % to about 99.8 wt %. The metal etchant composition may be used in an anhydrous system.

公开(公告)号：US20160204001A1

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：US15075709

申请日：2016-03-21

申请人： Hyosan Lee ,  Yongsun Ko ,  Kyoungseob Kim ,  Kuntack Lee ,  Jihoon Jeong ,  Chen Lin ,  Christopher K. Ober

发明人： Hyosan Lee ,  Yongsun Ko ,  Kyoungseob Kim ,  Kuntack Lee ,  Jihoon Jeong ,  Chen Lin ,  Christopher K. Ober

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L23/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/76802 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104

摘要： The present inventive concepts provide metal etchant compositions and methods of fabricating a semiconductor device using the same. The metal etchant composition includes an organic peroxide in a range of about 0.1 wt % to about 20 wt %, an organic acid in a range of about 0.1 wt % to about 70 wt %, and an alcohol-based solvent in a range of about 10 wt % to about 99.8 wt %. The metal etchant composition may be used in an anhydrous system.

公开(公告)号：US20150343495A1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：US14682349

申请日：2015-04-09

申请人： Kyoungseob KIM ,  Yongsun KO ,  SeokHoon KIM ,  Kuntack LEE ,  Hyosan LEE ,  Gilheyun CHOI

发明人： Kyoungseob KIM ,  Yongsun KO ,  SeokHoon KIM ,  Kuntack LEE ,  Hyosan LEE ,  Gilheyun CHOI

IPC分类号： B08B3/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67051 ,  B08B3/024

摘要： An apparatus for treating a substrate includes a spin chuck supporting a substrate, a nozzle movably disposed on the spin chuck, the nozzle providing droplets of a treatment liquid onto a surface of the substrate, and a nozzle arm moving the nozzle above the spin chuck, wherein the nozzle arm moves the nozzle horizontally along the surface of the substrate, and vertically with respect to the surface of the substrate, wherein the nozzle arm moves the nozzle between an edge of the substrate and a center of the substrate, the nozzle moving away from the surface of the substrate while approaching toward the center of the substrate, and wherein droplets provided onto the center of the substrate have a smaller vertical spacing than that of droplets provided onto the edge of the substrate.

摘要翻译： 一种用于处理基板的设备包括支撑基板的旋转卡盘，可移动地设置在旋转卡盘上的喷嘴，喷嘴将处理液体的液滴提供到基板的表面上，喷嘴臂使喷嘴移动到旋转卡盘上方， 其中所述喷嘴臂沿着所述基板的表面水平地移动所述喷嘴，并相对于所述基板的表面垂直移动，其中所述喷嘴臂使所述喷嘴在所述基板的边缘和所述基板的中心之间移动，所述喷嘴移开 从衬底的表面接近朝向衬底的中心，并且其中设置在衬底的中心上的液滴具有比设置在衬底的边缘上的液滴更小的垂直间隔。