公开(公告)号：US20090121314A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US11983899

申请日：2007-11-13

申请人： Ole Bosholm ,  Marco Lepper ,  Goetz Springer ,  Detlef Weber ,  Grit Bonsdorf ,  Frank Pietzschmann

发明人： Ole Bosholm ,  Marco Lepper ,  Goetz Springer ,  Detlef Weber ,  Grit Bonsdorf ,  Frank Pietzschmann

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76816 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides a manufacturing method for forming an integrated circuit device and to a corresponding integrated circuit device. The manufacturing method for forming an integrated circuit device comprises the steps of: forming a first level on a substrate; forming a second level above the first level; forming a cap layer on the second level which covers a first region of the level and leaves a second region uncovered; and simultaneously etching a first contact hole in the first region and a second contact hole in the second region such that the etching is selective to the cap layer in the second region and proceeds to a greater depth in the first region.

摘要翻译： 本发明提供一种用于形成集成电路器件和相应的集成电路器件的制造方法。 形成集成电路器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成第一电平; 形成第一级以上的第二级; 在所述第二层上形成覆盖所述层的第一区域并留下未覆盖的第二区域的覆盖层; 同时蚀刻第一区域中的第一接触孔和第二区域中的第二接触孔，使得蚀刻对第二区域中的覆盖层具有选择性，并且在第一区域中进一步增加深度。

公开(公告)号：US20130160832A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13335370

申请日：2011-12-22

申请人： Andreas Krause ,  Frank Martin ,  Grit Bonsdorf ,  Matthias Georgi ,  Bernd Scheibe ,  Matthias Wagner

发明人： Andreas Krause ,  Frank Martin ,  Grit Bonsdorf ,  Matthias Georgi ,  Bernd Scheibe ,  Matthias Wagner

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0236

CPC分类号： H01L31/02168 ,  H01L31/02 ,  Y02E10/50

摘要： The present invention relates to a solar-cell-marking method. The method comprises providing a substrate for a solar cell, forming an etching mask on the substrate, and carrying out an etching process, wherein an elevated marking structure defined by the etching mask is formed on the substrate. The invention further relates to a solar cell comprising such a marking structure.

摘要翻译： 本发明涉及一种太阳能电池标记方法。 该方法包括提供太阳能电池用衬底，在衬底上形成蚀刻掩模，并进行蚀刻工艺，其中在衬底上形成由蚀刻掩模限定的升高的标记结构。 本发明还涉及一种包括这种标记结构的太阳能电池。

公开(公告)号：US07785935B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US11983899

申请日：2007-11-13

申请人： Ole Bosholm ,  Marco Lepper ,  Goetz Springer ,  Detlef Weber ,  Grit Bonsdorf ,  Frank Pietzschmann

发明人： Ole Bosholm ,  Marco Lepper ,  Goetz Springer ,  Detlef Weber ,  Grit Bonsdorf ,  Frank Pietzschmann

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76816 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides a manufacturing method for forming an integrated circuit device and to a corresponding integrated circuit device. The manufacturing method for forming an integrated circuit device comprises the steps of: forming a first level on a substrate; forming a second level above the first level; forming a cap layer on the second level which covers a first region of the level and leaves a second region uncovered; and simultaneously etching a first contact hole in the first region and a second contact hole in the second region such that the etching is selective to the cap layer in the second region and proceeds to a greater depth in the first region.

摘要翻译： 本发明提供一种用于形成集成电路器件和相应的集成电路器件的制造方法。 形成集成电路器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成第一电平; 形成第一级以上的第二级; 在所述第二层上形成覆盖所述层的第一区域并留下未覆盖的第二区域的覆盖层; 同时蚀刻第一区域中的第一接触孔和第二区域中的第二接触孔，使得蚀刻对第二区域中的覆盖层具有选择性，并且在第一区域中进一步增加深度。

公开(公告)号：US07157381B2

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：US10868309

申请日：2004-06-15

申请人： Dirk Efferenn ,  Jens Hahn ,  Uwe Kahler ,  Chung-Hsin Lin ,  Jens Bachmann ,  Wen-Bin Lin ,  Grit Bonsdorf

发明人： Dirk Efferenn ,  Jens Hahn ,  Uwe Kahler ,  Chung-Hsin Lin ,  Jens Bachmann ,  Wen-Bin Lin ,  Grit Bonsdorf

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/32134 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76849

摘要： A method for providing whisker-free aluminum metal lines or aluminum alloy lines in integrated circuits includes the following steps: providing a substrate; providing a whisker-containing layer made of aluminum metal or an aluminum alloy on the substrate; back-etching and/or resputtering the whisker-containing layer such that the whiskers are essentially removed; and structuring the whisker-free layer into the lines.

摘要翻译： 一种在集成电路中提供无晶须的铝金属线或铝合金线的方法包括以下步骤：提供基板; 在基板上提供由铝金属或铝合金制成的含晶须层; 背面蚀刻和/或重新溅射含晶须层，使得晶须基本上被除去; 并将不含晶须的层结构化成线。

公开(公告)号：US20050277300A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：US10868309

申请日：2004-06-15

申请人： Dirk Efferenn ,  Jens Hahn ,  Uwe Kahler ,  Chung-Hsin Lin ,  Jens Bachmann ,  Wen-Bin Lin ,  Grit Bonsdorf

发明人： Dirk Efferenn ,  Jens Hahn ,  Uwe Kahler ,  Chung-Hsin Lin ,  Jens Bachmann ,  Wen-Bin Lin ,  Grit Bonsdorf

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/32134 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76849

摘要： A method for providing whisker-free aluminum metal lines or aluminum alloy lines in integrated circuits includes the following steps: providing a substrate; providing a whisker-containing layer made of aluminum metal or an aluminum alloy on the substrate; back-etching and/or resputtering the whisker-containing layer such that the whiskers are essentially removed; and structuring the whisker-free layer into the lines.

摘要翻译： 一种在集成电路中提供无晶须的铝金属线或铝合金线的方法包括以下步骤：提供基板; 在基板上提供由铝金属或铝合金制成的含晶须层; 背面蚀刻和/或重新溅射含晶须层，使得晶须基本上被除去; 并将不含晶须的层结构化成线。

公开(公告)号：US06833324B2

公开(公告)日：2004-12-21

申请号：US10424173

申请日：2003-04-25

申请人： Grit Bonsdorf ,  Wolfgang Dickenscheid

发明人： Grit Bonsdorf ,  Wolfgang Dickenscheid

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/67028 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： A surface of a semiconductor wafer is cleaned following a chemical mechanical polishing process. With the semiconductor wafer rotating continuously, an integrated process sequence is used to etch the surface, rinse the surface, and they dry the surface. The apparatus for cleaning the semiconductor wafer has a turntable in a process chamber for rotating the wafer, a feed for cleaning medium, and a return.

摘要翻译： 在化学机械抛光工艺之后，清洁半导体晶片的表面。 在半导体晶片连续旋转的情况下，使用整合的工艺顺序蚀刻表面，冲洗表面，并干燥表面。 用于清洁半导体晶片的装置在用于旋转晶片的处理室中具有转台，用于清洁介质的进给和返回。