公开(公告)号：US6068540A

公开(公告)日：2000-05-30

申请号：US80912

申请日：1998-05-18

申请人： Wolfgang Dickenscheid ,  Goetz Springer

发明人： Wolfgang Dickenscheid ,  Goetz Springer

IPC分类号： B24B49/00 ,  B24D7/12 ,  B24D13/14 ,  B24D7/22

CPC分类号： B24B37/205 ,  B24B49/00

摘要： The polishing device grinds or polishes semiconductor substrates. The device includes a polishing table, into which a measuring device is integrated and a through opening. A polishing cloth covers the polishing table. The polishing cloth has at least one opening formed therein which corresponds to the through opening in the polishing table. The invention also relates to a polishing cloth for use in the polishing device.

摘要翻译： 抛光装置研磨或抛光半导体衬底。 该装置包括一个研磨台，一个测量装置整合到该抛光台中，一个通孔。 抛光布覆盖抛光台。 抛光布具有形成在其中的至少一个开口，其对应于抛光台中的通孔。 本发明还涉及一种用于抛光装置的抛光布。

公开(公告)号：US07785935B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US11983899

申请日：2007-11-13

申请人： Ole Bosholm ,  Marco Lepper ,  Goetz Springer ,  Detlef Weber ,  Grit Bonsdorf ,  Frank Pietzschmann

发明人： Ole Bosholm ,  Marco Lepper ,  Goetz Springer ,  Detlef Weber ,  Grit Bonsdorf ,  Frank Pietzschmann

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76816 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides a manufacturing method for forming an integrated circuit device and to a corresponding integrated circuit device. The manufacturing method for forming an integrated circuit device comprises the steps of: forming a first level on a substrate; forming a second level above the first level; forming a cap layer on the second level which covers a first region of the level and leaves a second region uncovered; and simultaneously etching a first contact hole in the first region and a second contact hole in the second region such that the etching is selective to the cap layer in the second region and proceeds to a greater depth in the first region.

摘要翻译： 本发明提供一种用于形成集成电路器件和相应的集成电路器件的制造方法。 形成集成电路器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成第一电平; 形成第一级以上的第二级; 在所述第二层上形成覆盖所述层的第一区域并留下未覆盖的第二区域的覆盖层; 同时蚀刻第一区域中的第一接触孔和第二区域中的第二接触孔，使得蚀刻对第二区域中的覆盖层具有选择性，并且在第一区域中进一步增加深度。

公开(公告)号：US20110290297A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13083766

申请日：2011-04-11

申请人： Goetz Springer ,  Annemarie Röuspies ,  Arthur R. Buechel

发明人： Goetz Springer ,  Annemarie Röuspies ,  Arthur R. Buechel

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： H02S20/00 ,  F24S25/12 ,  F24S25/33 ,  F24S25/632 ,  F24S40/80 ,  F24S2025/6002 ,  F24S2025/6007 ,  Y02E10/47 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/49826

摘要： A photovoltaic system features at least one photovoltaic module, a substructure for accommodating the at least one photovoltaic module, a first supporting element and a second supporting element can be at least partially pushed one into another such that at least two guide elements on a first supporting element engage in the second supporting element. One of the supporting elements is arranged on the rear side of the photovoltaic module and the other supporting element is arranged on the substructure.

摘要翻译： 光伏系统具有至少一个光伏模块，用于容纳至少一个光伏模块的子结构，第一支撑元件和第二支撑元件可以至少部分地推动到另一个中，使得在第一支撑件上的至少两个引导元件 元件接合在第二支撑元件中。 一个支撑元件布置在光伏模块的后侧，另一个支撑元件设置在子结构上。

公开(公告)号：US20090121314A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US11983899

申请日：2007-11-13

申请人： Ole Bosholm ,  Marco Lepper ,  Goetz Springer ,  Detlef Weber ,  Grit Bonsdorf ,  Frank Pietzschmann

发明人： Ole Bosholm ,  Marco Lepper ,  Goetz Springer ,  Detlef Weber ,  Grit Bonsdorf ,  Frank Pietzschmann

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76816 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides a manufacturing method for forming an integrated circuit device and to a corresponding integrated circuit device. The manufacturing method for forming an integrated circuit device comprises the steps of: forming a first level on a substrate; forming a second level above the first level; forming a cap layer on the second level which covers a first region of the level and leaves a second region uncovered; and simultaneously etching a first contact hole in the first region and a second contact hole in the second region such that the etching is selective to the cap layer in the second region and proceeds to a greater depth in the first region.

摘要翻译： 本发明提供一种用于形成集成电路器件和相应的集成电路器件的制造方法。 形成集成电路器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成第一电平; 形成第一级以上的第二级; 在所述第二层上形成覆盖所述层的第一区域并留下未覆盖的第二区域的覆盖层; 同时蚀刻第一区域中的第一接触孔和第二区域中的第二接触孔，使得蚀刻对第二区域中的覆盖层具有选择性，并且在第一区域中进一步增加深度。