公开(公告)号：US20060205167A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11078267

申请日：2005-03-11

申请人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Brian Doyle ,  Robert Chau ,  Everett Wang ,  Philippe Matagne ,  Lucian Shifren ,  Been Jin ,  Mark Stettler ,  Martin Giles

发明人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Brian Doyle ,  Robert Chau ,  Everett Wang ,  Philippe Matagne ,  Lucian Shifren ,  Been Jin ,  Mark Stettler ,  Martin Giles

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/44 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/933

摘要： A transistor may be formed of different layers of silicon germanium, a lowest layer having a graded germanium concentration and upper layers having constant germanium concentrations such that the lowest layer is of the form Si1-xGex. The highest layer may be of the form Si1-yGey on the PMOS side. A source and drain may be formed of epitaxial silicon germanium of the form Si1-zGez on the PMOS side. In some embodiments, x is greater than y and z is greater than x in the PMOS device. Thus, a PMOS device may be formed with both uniaxial compressive stress in the channel direction and in-plane biaxial compressive stress. This combination of stress may result in higher mobility and increased device performance in some cases.

摘要翻译： 晶体管可以由不同层的硅锗形成，具有梯度锗浓度的最低层和具有恒定锗浓度的上层，使得最底层具有Si 1-x Ge Ge > x 。 在PMOS侧，最高层可以是Si 1-y N y O y的形式。 源极和漏极可以由PMOS侧的Si 1-z N z z z的外延硅锗形成。 在一些实施例中，在PMOS器件中，x大于y且z大于x。 因此，PMOS器件可以在通道方向上具有单轴压应力和面内双轴压应力。 在某些情况下，应力的这种组合可能导致较高的移动性和增加的设备性能。

公开(公告)号：US20060226453A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US11105215

申请日：2005-04-12

申请人： Everett Wang ,  Martin Giles ,  Philippe Matagne ,  Roza Kotlyar ,  Borna Obradovic ,  Mark Stettler

发明人： Everett Wang ,  Martin Giles ,  Philippe Matagne ,  Roza Kotlyar ,  Borna Obradovic ,  Mark Stettler

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include providing a gate structure disposed on a substrate comprising at least one recess, wherein a channel region is in a direction, and then forming a compressive layer in the at least one recess.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括提供设置在包括至少一个凹部的基底上的栅极结构，其中沟道区在<110>方向上，然后在该至少一个凹部中形成压缩层。

公开(公告)号：US20060133719A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11019718

申请日：2004-12-21

申请人： Everett Wang ,  Sai Yu ,  Yi Ding ,  Dmitri Nikonov

发明人： Everett Wang ,  Sai Yu ,  Yi Ding ,  Dmitri Nikonov

IPC分类号： G02B6/26

CPC分类号： G02B6/12007 ,  G02B6/13

摘要： Provided are a method and a system, wherein optical beams of a plurality of wavelengths are directed through a plurality of optical devices, wherein waveguides comprising the optical devices have different fabrication errors, and wherein the waveguides have a plurality of waveguide lengths and a plurality of waveguide widths. Optical phase errors corresponding to the waveguides are measured by the optical devices. A determination is made of the components of the optical phase errors for the waveguides from the measured phase errors.

摘要翻译： 提供了一种方法和系统，其中多个波长的光束被引导通过多个光学器件，其中包括光学器件的波导具有不同的制造误差，并且其中波导具有多个波导长度和多个 波导宽度。 通过光学器件测量与波导对应的光学相位误差。 根据测量的相位误差确定波导的光学相位误差的分量。