公开(公告)号：US09577137B2

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：US12202647

申请日：2008-09-02

申请人： An-Thung Cho ,  Chih-Wei Chao ,  Chia-Tien Peng ,  Kun-Chih Lin

发明人： An-Thung Cho ,  Chih-Wei Chao ,  Chia-Tien Peng ,  Kun-Chih Lin

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/0352 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H01L31/06 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  G01J1/0247 ,  G01J1/4204 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/06 ,  H01L31/10 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： One aspect of the present invention relates to a photovoltaic cell. In one embodiment, the photovoltaic cell includes a first conductive layer, an N-doped semiconductor layer formed on the first conductive layer, a first silicon layer formed on the N-doped semiconductor layer, a nanocrystalline silicon (nc-Si) layer formed on a first silicon layer, a second silicon layer formed on the nc-Si layer, a P-doped semiconductor layer on the second silicon layer, and a second conductive layer formed on the P-doped semiconductor layer, where one of the first silicon layer and the second silicon layer is formed of amorphous silicon, and the other of the first silicon layer and the second silicon layer formed of polycrystalline silicon.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及一种光伏电池。 在一个实施例中，光伏电池包括第一导电层，形成在第一导电层上的N掺杂半导体层，形成在N掺杂半导体层上的第一硅层，形成在N掺杂半导体层上的纳米晶硅（nc-Si）层 第一硅层，形成在nc-Si层上的第二硅层，在第二硅层上的P掺杂半导体层，以及形成在P掺杂半导体层上的第二导电层，其中第一硅层 并且所述第二硅层由非晶硅形成，并且所述第一硅层和所述第二硅层中的另一个由多晶硅形成。

公开(公告)号：US08692250B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US12269041

申请日：2008-11-12

申请人： Ming-Hsien Lee ,  Ching-Chieh Shih ,  An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Kun-Chih Lin

发明人： Ming-Hsien Lee ,  Ching-Chieh Shih ,  An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Kun-Chih Lin

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L27/14687 ,  G02F2001/13312 ,  G02F2201/58 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/14632

摘要： A method for fabricating a TFT array substrate including the following steps is provided. A substrate having a pixel region and a photosensitive region is provided. A first patterned conductive layer is formed on the substrate, wherein the first patterned conductive layer includes a gate electrode disposed in the pixel region and a first electrode disposed in the photosensitive region, and a photosensitive dielectric layer is formed on the first electrode. A gate insulation layer is formed to cover the gate electrode, the photosensitive dielectric layer and the first electrode. A patterned semiconductor layer is formed on the gate insulation layer above the gate electrode. A source electrode and a drain electrode are formed on the patterned semiconductor layer at two sides of the gate electrode, wherein the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode constitute a TFT. A second electrode is formed on the photosensitive dielectric layer.

摘要翻译： 提供了一种制造包括以下步骤的TFT阵列基板的方法。 提供具有像素区域和感光区域的基板。 第一图案化导电层形成在基板上，其中第一图案化导电层包括设置在像素区域中的栅极电极和设置在感光区域中的第一电极，并且在第一电极上形成光敏介电层。 形成栅极绝缘层以覆盖栅电极，光敏介电层和第一电极。 在栅极电极上方的栅极绝缘层上形成有图案化的半导体层。 源电极和漏电极形成在栅电极两侧的图案化半导体层上，其中栅电极，源电极和漏电极构成TFT。 在感光介电层上形成第二电极。

公开(公告)号：US08674964B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US12830253

申请日：2010-07-02

申请人： Jung-yen Huang ,  An-thung Cho ,  Shih-feng Hsu ,  Wei-pang Huang ,  Chia-tien Peng

发明人： Jung-yen Huang ,  An-thung Cho ,  Shih-feng Hsu ,  Wei-pang Huang ,  Chia-tien Peng

IPC分类号： G06F3/042

CPC分类号： G06F3/042 ,  G06F3/0412

摘要： An OLED display is proposed. The OLED display includes a gate driver for generating a scanning signal, a source driver for generating a data signal, and a plurality of cells arranged in an array. Each cell includes a first transistor for delivering the data signal when receiving the scanning signal, a second transistor for generating a driving current based on a voltage difference between a first supply voltage signal and the data signal, a storage capacitor coupled between the first transistor and an output end of the driving circuit, for storing the data signal, an organic light emitting diode for generating light based on the driving current, an infrared emitting layer for producing infrared ray, and an infrared sensitive layer for sensing the infrared ray reflected by an object.

摘要翻译： 提出了OLED显示器。 OLED显示器包括用于产生扫描信号的栅极驱动器，用于产生数据信号的源极驱动器和排列成阵列的多个单元。 每个单元包括用于在接收扫描信号时传送数据信号的第一晶体管，用于基于第一电源电压信号和数据信号之间的电压差产生驱动电流的第二晶体管，耦合在第一晶体管和第二晶体管之间的存储电容器 用于存储数据信号的驱动电路的输出端，用于基于驱动电流产生光的有机发光二极管，用于产生红外线的红外发射层，以及用于感测由红外线反射的红外线的红外线敏感层 目的。

公开(公告)号：US08415182B2

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：US12645448

申请日：2009-12-22

申请人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Yuan-Jun Hsu ,  Ching-Chieh Shih ,  Chien-Sen Weng ,  Kun-Chih Lin ,  Hang-Wei Tseug ,  Ming-Huang Chuang

发明人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Yuan-Jun Hsu ,  Ching-Chieh Shih ,  Chien-Sen Weng ,  Kun-Chih Lin ,  Hang-Wei Tseug ,  Ming-Huang Chuang

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L27/1214 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/136213 ,  G02F2201/58 ,  G09G3/3406 ,  G09G3/3611 ,  G09G2320/0626 ,  G09G2320/066 ,  G09G2330/021 ,  G09G2360/144 ,  H01L27/127 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  H04N5/58 ,  H04N5/66 ,  H04N21/42202

摘要： A manufacturing method of a thin film transistor array substrate is provided. In the method, a substrate having a display region and a sensing region is provided. At least a display thin film transistor is formed in the display region, a first sensing electrode is formed in the sensing region, and an inter-layer dielectric layer is disposed on the substrate, covers the display thin film transistor, and exposes the first sensing electrode. A patterned photo sensitive dielectric layer is then formed on the first sensing electrode. A patterned transparent conductive layer is subsequently formed on the substrate, wherein the patterned transparent conductive layer includes a pixel electrode coupled to the corresponding display thin film transistor and includes a second sensing electrode located on the patterned photo sensitive dielectric layer. A manufacturing method of a liquid crystal display panel adopting the aforementioned thin film transistor array substrate is also provided.

摘要翻译： 提供薄膜晶体管阵列基板的制造方法。 在该方法中，提供具有显示区域和检测区域的基板。 在显示区域中形成至少一个显示薄膜晶体管，在感测区域中形成第一感测电极，并且在衬底上设置层间电介质层，覆盖显示薄膜晶体管，并暴露第一感测 电极。 然后在第一感测电极上形成图案化的光敏介电层。 随后在衬底上形成图案化的透明导电层，其中图案化的透明导电层包括耦合到对应的显示薄膜晶体管的像素电极，并且包括位于图案化的光敏介电层上的第二感测电极。 还提供了采用上述薄膜晶体管阵列基板的液晶显示面板的制造方法。

公开(公告)号：US08362484B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12534162

申请日：2009-08-03

申请人： Shin-Shueh Chen ,  Wan-Yi Liu ,  Chia-Tien Peng

发明人： Shin-Shueh Chen ,  Wan-Yi Liu ,  Chia-Tien Peng

IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L31/03921 ,  H01L31/0384 ,  Y02E10/50

摘要： An optical sensor, method of making the same, and a display panel having an optical sensor. The optical sensor includes a first electrode, a second electrode, a photosensitive silicon-rich dielectric layer, and a first interfacial silicon-rich dielectric layer. The photosensitive silicon-rich dielectric layer is disposed between the first and second electrodes. The first interfacial silicon-rich dielectric layer is disposed between the first electrode and the photosensitive silicon-rich dielectric layer.

摘要翻译： 光学传感器，其制造方法以及具有光学传感器的显示面板。 光学传感器包括第一电极，第二电极，感光富硅介电层和第一界面富硅介电层。 感光性富硅介电层配置在第一电极和第二电极之间。 第一界面富硅介电层设置在第一电极和感光富硅电介质层之间。

公开(公告)号：US08264760B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US13004436

申请日：2011-01-11

申请人： Ho-Chien Wu ,  Chih-Cheng Chan ,  Chia-Tien Peng

发明人： Ho-Chien Wu ,  Chih-Cheng Chan ,  Chia-Tien Peng

IPC分类号： G02F1/03 ,  G02B26/00 ,  H01J9/26

CPC分类号： G02F1/133308 ,  G02B26/005 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/167 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T156/1062

摘要： An E-ink display device includes an active element array substrate, an E-ink layer, a protective layer and a sealant. The active element array substrate has a surface, and the surface includes a contacting region and a sealing region. The E-ink layer is disposed on the contacting region and has a first side wall, and a first included angle defined between the first side wall and the surface being smaller than 90 degrees or larger than 90 degrees. The protective layer is disposed on the E-ink layer and has a second side wall, and a second included angle defined between the second side wall and the surface is smaller than 90 degrees or larger than 90 degrees. The sealant is disposed on the sealing region and surrounds the E-ink layer and the protective layer. A method for manufacturing the E-ink display device is also provided.

摘要翻译： 电子墨水显示装置包括有源元件阵列基板，E墨层，保护层和密封剂。 有源元件阵列基板具有表面，并且该表面包括接触区域和密封区域。 电子墨水层设置在接触区域上并具有第一侧壁，并且限定在第一侧壁和表面之间的第一夹角小于90度或大于90度。 保护层设置在E油墨层上并具有第二侧壁，并且限定在第二侧壁和表面之间的第二夹角小于90度或大于90度。 密封剂设置在密封区域上并且围绕着E油墨层和保护层。 还提供了一种用于制造电子墨水显示装置的方法。

公开(公告)号：US08178882B2

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US12557131

申请日：2009-09-10

申请人： Long-Sheng Liao ,  Kun-Chih Lin ,  Chia-Tien Peng

发明人： Long-Sheng Liao ,  Kun-Chih Lin ,  Chia-Tien Peng

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/2205 ,  H01L21/268 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

摘要： A buffer layer for promoting electron mobility. The buffer layer comprises amorphous silicon layer (a-Si) and an oxide-containing layer. The a-Si has high enough density that the particles in the substrate are prevented by the a-Si buffer layer from diffusing into the active layer. As well, the buffer, having thermal conductivity, provides a good path for thermal diffusion during the amorphous active layer's recrystallization by excimer laser annealing (ELA). Thus, the uniformity of the grain size of the crystallized silicon is improved, and electron mobility of the TFT is enhanced.

摘要翻译： 用于促进电子迁移率的缓冲层。 缓冲层包括非晶硅层（a-Si）和含氧化物层。 a-Si具有足够高的密度，通过a-Si缓冲层防止衬底中的颗粒扩散到有源层中。 同样，具有导热性的缓冲器为通过受激准分子激光退火（ELA）的无定形有源层重结晶期间的热扩散提供了良好的途径。 因此，结晶硅的晶粒尺寸的均匀性提高，TFT的电子迁移率提高。

公开(公告)号：US08154020B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US12464118

申请日：2009-05-12

申请人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Yu-Cheng Chen ,  Hong-Zhang Lin ,  Yi-Chien Wen ,  Wei-Min Sun ,  Chi-Mao Hung ,  Chun-Hsiun Chen

发明人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Yu-Cheng Chen ,  Hong-Zhang Lin ,  Yi-Chien Wen ,  Wei-Min Sun ,  Chi-Mao Hung ,  Chun-Hsiun Chen

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0384 ,  Y02E10/548

摘要： A photo-voltaic cell device includes a first electrode, an N-type doped silicon-rich dielectric layer, a P-type doped silicon-rich dielectric layer, and a second electrode. The N-type doped silicon-rich dielectric layer is disposed on the first electrode, and the N-type doped silicon-rich dielectric layer is doped with an N-type dopant. The P-type doped silicon-rich dielectric layer is disposed on the N-type doped silicon-rich dielectric layer, and the P-type doped silicon-rich dielectric layer is doped with a P-type dopant. The second electrode is disposed on the P-type doped silicon-rich dielectric layer. A display panel including the photo-voltaic cell device is also provided.

摘要翻译： 光伏电池器件包括第一电极，N型掺杂的富硅介电层，P型掺杂的富硅介电层和第二电极。 N型掺杂富硅介电层设置在第一电极上，并且N型掺杂富硅介电层掺杂有N型掺杂剂。 P型掺杂富硅介电层设置在N型掺杂富硅介电层上，P型掺杂富硅介电层掺杂有P型掺杂剂。 第二电极设置在P型掺杂的富硅介电层上。 还提供了包括光伏电池装置的显示面板。

公开(公告)号：US20110037729A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：US12717938

申请日：2010-03-04

申请人： An-Thung Cho ,  Jung-Yen Huang ,  Chia-Tien Peng ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Jung-Yen Huang ,  Chia-Tien Peng ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： G06F3/042 ,  H01L21/00 ,  H01L33/16

CPC分类号： G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  G06F2203/04108 ,  H01L27/323

摘要： A displaying region and a sensing region are defined in each pixel region of the OLED touch panel of the present invention. The readout thin film transistor of the sensing region is formed by the same processes with the drive thin film transistor of the displaying region. The top and bottom electrodes of the optical sensor are formed by the same processes with the top and bottom electrodes of the OLED. Accordingly, the present invention can just add a step of forming the patterned sensing dielectric layer to the processes of forming an OLED panel to integrate the optical sensor into the pixel region of the OLED panel. Thus, an OLED touch panel is formed.

摘要翻译： 在本发明的OLED触摸面板的每个像素区域中限定显示区域和感测区域。 感测区域的读出薄膜晶体管通过与显示区域的驱动薄膜晶体管相同的工艺形成。 光学传感器的顶部和底部电极通过与OLED的顶部和底部电极相同的工艺形成。 因此，本发明可以仅添加形成图案化的感测电介质层的步骤，以形成OLED面板以将光学传感器集成到OLED面板的像素区域中的过程。 因此，形成OLED触摸面板。

公开(公告)号：US20100330735A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12874203

申请日：2010-09-01

申请人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Kun-Chih Lin

发明人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Kun-Chih Lin

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0384 ,  H01L27/14667 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/03921 ,  Y02E10/50

摘要： A method of forming an optical sensor includes the following steps. A substrate is provided, and a read-out device is formed on the substrate. a first electrode electrically connected to the read-out device is formed on the substrate. a photosensitive silicon-rich dielectric layer is formed on the first electrode, wherein the photosensitive silicon-rich dielectric layer comprises a plurality of nanocrystalline silicon crystals. A second electrode is formed on the photosensitive silicon-rich dielectric layer.

摘要翻译： 形成光学传感器的方法包括以下步骤。 提供基板，并且在基板上形成读出装置。 电连接到读出装置的第一电极形成在基板上。 在第一电极上形成感光性富硅介电层，其中感光性富硅介电层包含多个纳米晶体硅晶体。 第二电极形成在感光富硅电介质层上。