公开(公告)号：US20120211748A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13029984

申请日：2011-02-17

申请人： Giuseppe Miccoli ,  Adolf Koller ,  Jayachandran Bhaskaran

发明人： Giuseppe Miccoli ,  Adolf Koller ,  Jayachandran Bhaskaran

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L29/30 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L21/78 ,  B23K26/032 ,  B23K26/042 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50

摘要： A method of dicing a semiconductor wafer includes forming a layer stack on a first main surface of a substrate. The layer stack and a portion of the substrate are etched according to a pattern defining an intended dicing location to obtain a trench structure. The substrate is irradiated with a laser beam to locally modify the substrate between a bottom of the trench structure and a second main surface of the substrate opposite to the first main surface.

摘要翻译： 切割半导体晶片的方法包括在基板的第一主表面上形成层叠体。 根据限定预定切割位置的图案蚀刻层叠层和基板的一部分以获得沟槽结构。 用激光束照射衬底以局部地修改沟槽结构的底部和与第一主表面相对的衬底的第二主表面之间的衬底。

公开(公告)号：US07772693B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US11677774

申请日：2007-02-22

申请人： Adolf Koller ,  Horst Theuss ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Reinhard Ploss

发明人： Adolf Koller ,  Horst Theuss ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Reinhard Ploss

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： A panel has a baseplate with an upper first metallic layer and a multiplicity of a vertical semiconductor components. The vertical semiconductor components in each case have a first side with a first load electrode and a control electrode and an opposite second side with a second load electrode. The second side of the semiconductor components is in each case mounted on the metallic layer of the baseplate. The semiconductor components are arranged in such a way that edge sides of adjacent semiconductor components are separated from one another. A second metallic layer is arranged in separating regions between the semiconductor components.

摘要翻译： 面板具有具有上部第一金属层和多个垂直半导体部件的基板。 每种情况下的垂直半导体部件具有第一侧，其具有第一负载电极和控制电极，而第二侧具有第二负载电极。 半导体部件的第二面分别安装在基板的金属层上。 半导体部件被配置成使得相邻的半导体部件的边缘彼此分离。 第二金属层布置在半导体部件之间的分离区域中。

公开(公告)号：US20090102054A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US11876241

申请日：2007-10-22

申请人： Horst Theuss ,  Adolf Koller

发明人： Horst Theuss ,  Adolf Koller

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/304

CPC分类号： H05K3/3442 ,  H01L21/78 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/035 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10156 ,  H05K2201/098 ,  H05K2201/10727 ,  Y02P70/613 ,  H01L2224/05552

摘要： A semiconductor package is disclosed. One embodiment provides a semiconductor package singulated from a wafer includes a chip defining an active surface, a back side opposite the active surface, and peripheral sides extending between the active surface and the back side; a contact pad disposed on the active surface; and a metallization layer extending from the contact pad onto a portion of the peripheral sides of the chip.

摘要翻译： 公开了半导体封装。 一个实施例提供了从晶片单个化的半导体封装，其包括限定有源表面的芯片，与有源表面相对的后侧，以及在有源表面和背面之间延伸的周边; 设置在所述活动表面上的接触垫; 以及从接触垫延伸到芯片周边的一部分上的金属化层。

公开(公告)号：US20080191359A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US11677774

申请日：2007-02-22

申请人： Adolf Koller ,  Horst Theuss ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Reinhard Ploss

发明人： Adolf Koller ,  Horst Theuss ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Reinhard Ploss

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： A panel has a baseplate with an upper first metallic layer and a multiplicity of a vertical semiconductor components. The vertical semiconductor components in each case have a first side with a first load electrode and a control electrode and an opposite second side with a second load electrode. The second side of the semiconductor components is in each case mounted on the metallic layer of the baseplate. The semiconductor components are arranged in such a way that edge sides of adjacent semiconductor components are separated from one another. A second metallic layer is arranged in separating regions between the semiconductor components.

摘要翻译： 面板具有具有上部第一金属层和多个垂直半导体部件的基板。 每种情况下的垂直半导体部件具有第一侧，其具有第一负载电极和控制电极，而第二侧具有第二负载电极。 半导体部件的第二面分别安装在基板的金属层上。 半导体部件被配置成使得相邻的半导体部件的边缘彼此分离。 第二金属层布置在半导体部件之间的分离区域中。

公开(公告)号：US08883565B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13252816

申请日：2011-10-04

申请人： Mathias Vaupel ,  Sebastian Bernrieder ,  Adolf Koller ,  Stefan Martens

发明人： Mathias Vaupel ,  Sebastian Bernrieder ,  Adolf Koller ,  Stefan Martens

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3107 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In accordance with an embodiment of the present invention, a semiconductor device is manufactured by arranging a plurality of semiconductor devices on a frame with an adhesive foil. The plurality of semiconductor devices is attached to the adhesive foil. The plurality of semiconductor devices is removed from the frame with the adhesive foil using a carbon dioxide snow jet and/or a laser process.

摘要翻译： 根据本发明的实施例，通过在框架上配置多个半导体器件来制造半导体器件，所述半导体器件具有粘合箔。 多个半导体器件附接到粘合箔。 使用二氧化碳喷射和/或激光工艺，使用粘合剂箔从框架中移除多个半导体器件。

公开(公告)号：US20130075869A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13247162

申请日：2011-09-28

申请人： Gunther Mackh ,  Gerhard Leschik ,  Adolf Koller ,  Harald Seidl

发明人： Gunther Mackh ,  Gerhard Leschik ,  Adolf Koller ,  Harald Seidl

IPC分类号： H01L23/544 ,  G06F17/50 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  G06F17/5068 ,  H01L21/82 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A chip includes a dielectric layer and a fill structure in the dielectric layer, wherein the fill structure extends along a dicing edge of the chip, with the fill structure abutting the dicing edge.

摘要翻译： 芯片包括电介质层中的电介质层和填充结构，其中填充结构沿芯片的切割边缘延伸，填充结构邻接切割边缘。

公开(公告)号：US08323996B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US12396123

申请日：2009-03-02

申请人： Adolf Koller ,  Horst Theuss

发明人： Adolf Koller ,  Horst Theuss

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L23/492 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/36 ,  H01L23/525 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes attaching a first semiconductor substrate to a support substrate, and thinning the first semiconductor substrate to form a thinned semiconductor layer. The method additionally includes integrating a functional element with the thinned semiconductor layer, and forming at least one through-connect through the thinned semiconductor layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括将第一半导体衬底附接到支撑衬底，并且使第一半导体衬底变薄以形成变薄的半导体层。 该方法还包括将功能元件与减薄的半导体层集成，以及通过薄化的半导体层形成至少一个通孔连接。

公开(公告)号：US20120225544A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13407731

申请日：2012-02-28

申请人： Manfred SCHNEEGANS ,  Carsten AHRENS ,  Adolf KOLLER ,  Gerald LACKNER ,  Anton MAUDER ,  Hans-Joachim SCHULZE

发明人： Manfred SCHNEEGANS ,  Carsten AHRENS ,  Adolf KOLLER ,  Gerald LACKNER ,  Anton MAUDER ,  Hans-Joachim SCHULZE

IPC分类号： H01L21/22

CPC分类号： H01L21/02658 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/8611 ,  Y10T428/218

摘要： Exemplary embodiments of a method for producing a semiconductor component having a polycrystalline semiconductor body region are disclosed, wherein the polycrystalline semiconductor body region is produced between the first and second surfaces of the semiconductor body in a semiconductor component section, wherein an electromagnetic radiation having a wavelength of at least 1064 nm is introduced into the semiconductor body in a manner focused onto a position in the semiconductor component section of the semiconductor body and wherein the power density of the radiation at the position is less than 1×108 W/cm2.

摘要翻译： 公开了一种用于制造具有多晶半导体体区域的半导体部件的制造方法的实施例，其中在半导体部件部分中在半导体主体的第一和第二表面之间产生多晶半导体本体区域，其中具有波长 至少1064nm的光束以聚焦到半导体主体的半导体部件部分中的位置的方式被引入半导体本体，并且其中该位置处的辐射的功率密度小于1×108W / cm 2。

公开(公告)号：US07863104B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US12246983

申请日：2008-10-07

申请人： Werner Kroeninger ,  Manfred Kotek ,  Adolf Koller ,  Abdul Rahman Mohamed

发明人： Werner Kroeninger ,  Manfred Kotek ,  Adolf Koller ,  Abdul Rahman Mohamed

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68331

摘要： A method of fabricating a semiconductor chip includes the providing an adhesive layer on the outer area of the active surface of a device wafer and attaching a rigid body to the active surface by the adhesive layer. The device wafer is thinned by treating the passive surface of the device wafer. A first backing tape is connected to the passive surface of the device wafer. The outer portion of the rigid body is separated from the central portion of the rigid body and the outer portion of the device wafer is separated from the central portion of the device wafer. The central portion of the rigid body, the outer portion of the device wafer and the outer portion of the rigid body are removed from the first backing tape. The device wafer may be diced into semiconductor chips.

摘要翻译： 制造半导体芯片的方法包括在器件晶片的有源表面的外部区域上提供粘合剂层，并通过粘合剂层将刚性体附着到活性表面。 通过处理器件晶片的被动表面来使器件晶片变薄。 第一背衬带连接到器件晶片的被动表面。 刚体的外部与刚体的中心部分分离，并且装置晶片的外部与装置晶片的中心部分分开。 刚性体的中心部分，装置晶片的外部部分和刚体的外部部分从第一背衬带上移除。 器件晶片可以切成半导体芯片。

公开(公告)号：US20100264523A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12828327

申请日：2010-07-01

申请人： Adolf Koller ,  Horst Theuss ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Reinhard Ploss

发明人： Adolf Koller ,  Horst Theuss ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Reinhard Ploss

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： A panel has a baseplate with an upper first metallic layer and a multiplicity of a vertical semiconductor components. The vertical semiconductor components in each case have a first side with a first load electrode and a control electrode and an opposite second side with a second load electrode. The second side of the semiconductor components is in each case mounted on the metallic layer of the baseplate. The semiconductor components are arranged in such a way that edge sides of adjacent semiconductor components are separated from one another. A second metallic layer is arranged in separating regions between the semiconductor components.

摘要翻译： 面板具有具有上部第一金属层和多个垂直半导体部件的基板。 每种情况下的垂直半导体部件具有第一侧，其具有第一负载电极和控制电极，而第二侧具有第二负载电极。 半导体部件的第二面分别安装在基板的金属层上。 半导体部件被配置成使得相邻的半导体部件的边缘彼此分离。 第二金属层布置在半导体部件之间的分离区域中。