公开(公告)号：US09570293B2

公开(公告)日：2017-02-14

申请号：US13647443

申请日：2012-10-09

申请人： Yang Wei ,  Shou-Shan Fan

发明人： Yang Wei ,  Shou-Shan Fan

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02444 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664

摘要： A method for making an epitaxial base includes the following steps. A plurality of grooves and a plurality of bulges are formed on an epitaxial growth surface of a substrate by etching the epitaxial growth surface. A carbon nanotube layer is located on the epitaxial growth surface, wherein the carbon nanotube layer defines a first part attached on top surface of bulges, and a second part suspended on the grooves. The second part of the carbon nanotube layer is attached on bottom surface of the grooves by treating the carbon nanotube layer.

摘要翻译： 制造外延基底的方法包括以下步骤。 通过蚀刻外延生长表面，在衬底的外延生长表面上形成多个凹槽和多个凸起。 碳纳米管层位于外延生长表面上，其中碳纳米管层限定了附着在凸起顶表面上的第一部分和悬挂在凹槽上的第二部分。 通过处理碳纳米管层，将碳纳米管层的第二部分附着在凹槽的底表面上。

公开(公告)号：US09548416B2

公开(公告)日：2017-01-17

申请号：US14925098

申请日：2015-10-28

申请人： LG INNOTEK CO., LTD.

发明人： Jae-Hoon Choi ,  Buem Yeon Lee ,  Ki Young Song ,  Rak Jun Choi

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/387 ,  H01L33/42 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/95

摘要： Disclosed is a light emitting device. The light emitting device includes a nano-structure, a first semiconductor layer on the nano-structure, an active layer on the first semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer on the active layer. The nano-structure includes a graphene layer disposed under the first semiconductor layer to make contact with the first semiconductor layer; and a plurality of nano-textures extending from a top surface of the graphene layer to the first semiconductor layer and contacted with the first semiconductor layer.

摘要翻译： 公开了一种发光器件。 发光器件包括纳米结构，纳米结构上的第一半导体层，第一半导体层上的有源层和有源层上的第二导电半导体层。 纳米结构包括设置在第一半导体层下方以与第一半导体层接触的石墨烯层; 以及从所述石墨烯层的顶表面延伸到所述第一半导体层并与所述第一半导体层接触的多个纳米纹理。

公开(公告)号：US09524869B2

公开(公告)日：2016-12-20

申请号：US14154149

申请日：2014-01-13

申请人： EPISTAR CORPORATION

发明人： Wen Hsiang Lin ,  Chang-Hua Hsieh

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： A nitride-based semiconductor light-emitting device includes a light-emitting stack comprising a first semiconductor structure having a first conductivity, a second semiconductor structure having a second conductivity, and an active region interposed the first semiconductor structure and the second semiconductor structure; a semiconductor buffer structure formed under the first semiconductor structure; and an un-doped AlGaN layer formed between the first semiconductor structure and the semiconductor buffer structure.

摘要翻译： 氮化物系半导体发光元件包括具有第一导电性的第一半导体结构，具有第二导电性的第二半导体结构的发光叠层和插入第一半导体结构和第二半导体结构的有源区; 形成在所述第一半导体结构下的半导体缓冲结构; 以及形成在第一半导体结构和半导体缓冲结构之间的未掺杂的AlGaN层。

公开(公告)号：US20160336171A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：US15159976

申请日：2016-05-20

申请人： The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy

发明人： Jennifer K. Hite ,  Francis J. Kub ,  Charles R. Eddy, JR. ,  Nelson Garces

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

摘要： Disclosed herein is a method of: depositing a patterned mask layer on an N-polar GaN epitaxial layer of a sapphire, silicon, or silicon carbide substrate; depositing an AlN inversion layer on the open areas; removing any remaining mask; and depositing a III-N epitaxial layer to simultaneously produce N-polar material and III-polar material. Also disclosed herein is: depositing an AlN inversion layer on an N-polar bulk III-N substrate and depositing a III-N epitaxial layer to produce III-polar material. Also disclosed herein is: depositing an inversion layer on a III-polar bulk III-N substrate and depositing a III-N epitaxial layer to produce N-polar material. Also disclosed herein is a composition having: a bulk III-N substrate; an inversion layer on portions of the substrate; and a III-N epitaxial layer on the inversion layer. The III-N epitaxial layer is of the opposite polarity of the surface of the substrate.

摘要翻译： 本文公开了一种方法：在蓝宝石，硅或碳化硅衬底的N极GaN外延层上沉积图案化掩模层; 在开放区域上沉积AlN反转层; 去除任何剩余的面罩; 并沉积III-N外延层以同时产生N-极性材料和III-极性材料。 本文还公开的是：在N极本体III-N衬底上沉积AlN反转层并沉积III-N外延层以产生III极性材料。 本文还公开：在III极本体III-N衬底上沉积反型层并沉积III-N外延层以产生N-极性材料。 本文还公开了具有：本体III-N底物的组合物; 在基板的部分上的反转层; 和反型层上的III-N外延层。 III-N外延层具有与衬底表面相反的极性。

公开(公告)号：US09425352B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US13057136

申请日：2009-07-29

申请人： Yong Jin Kim ,  Dong Kun Lee ,  Doo Soo Kim

发明人： Yong Jin Kim ,  Dong Kun Lee ,  Doo Soo Kim

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/308 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3081 ,  H01L33/007 ,  H01L33/382

摘要： Disclosed are a semiconductor device, a light emitting device, and a method of manufacturing the same. The semiconductor device includes a substrate, a plurality of rods aligned on the substrate, a metal layer disposed on the substrate between the rods, and a semiconductor layer disposed on and between the rods. Electrical and optical characteristics of the semiconductor device are improved due to the metal layer.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，发光器件及其制造方法。 半导体器件包括衬底，在衬底上对准的多个杆，设置在杆之间的衬底上的金属层和设置在杆之间和之间的半导体层。 由于金属层，半导体器件的电气和光学特性得到改善。

公开(公告)号：US20160233305A1

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：US15132666

申请日：2016-04-19

申请人： SunEdison Semiconductor Limited (UEN201334164H) ,  Kansas State University Research Foundation

发明人： Michael R. Seacrist ,  Vikas Berry

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L29/167

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/283 ,  H01L29/06 ,  H01L29/167

摘要： The invention generally related to a method for preparing a layer of graphene directly on the surface of a semiconductor substrate. The method includes forming a carbon-containing layer on a front surface of a semiconductor substrate and depositing a metal film on the carbon layer. A thermal cycle degrades the carbon-containing layer, which forms graphene directly upon the semiconductor substrate upon cooling. In some embodiments, the carbon source is a carbon-containing gas, and the thermal cycle causes diffusion of carbon atoms into the metal film, which, upon cooling, segregate and precipitate into a layer of graphene directly on the semiconductor substrate.

摘要翻译： 本发明一般涉及直接在半导体衬底的表面上制备石墨烯层的方法。 该方法包括在半导体衬底的前表面上形成含碳层并在碳层上沉积金属膜。 热循环降解含碳层，其在冷却时直接在半导体衬底上形成石墨烯。 在一些实施方案中，碳源是含碳气体，并且热循环导致碳原子扩散到金属膜中，其在冷却时，直接在半导体衬底上分离并沉淀到石墨烯层中。

公开(公告)号：US20160225608A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：US15008663

申请日：2016-01-28

申请人： AIXTRON

发明人： Maxim Kelman ,  Shahab Khandan ,  Scott Dunham ,  Tac van Huynh ,  Kenneth B.K. Teo

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02049 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/0245 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67207

摘要： Provided is a method of epitaxial deposition, which involves dry-etching a semiconductor substrate with a fluorine containing species and exposing the dry-etched substrate to hydrogen atoms, prior to epitaxially depositing a semiconductor layer to the surface of the substrate.

摘要翻译： 提供了外延沉积的方法，其包括在将半导体层外延沉积到衬底的表面之前，将具有含氟物质的半导体衬底干蚀刻并将该干蚀刻衬底暴露于氢原子。

公开(公告)号：US09401452B2

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：US13619598

申请日：2012-09-14

申请人： John E. Northrup ,  Bowen Cheng ,  Christopher L. Chua ,  Thomas Wunderer ,  Noble M. Johnson ,  Zhihong Yang

发明人： John E. Northrup ,  Bowen Cheng ,  Christopher L. Chua ,  Thomas Wunderer ,  Noble M. Johnson ,  Zhihong Yang

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L21/02 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/20 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343 ,  H01S5/30 ,  H01S5/34

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/04 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/34333

摘要： A light emitting device includes a p-side heterostructure having a short period superlattice (SPSL) formed of alternating layers of AlxhighGa1-xhighN doped with a p-type dopant and AlxlowGa1-xlowN doped with the p-type dopant, where xlow≦xhigh≦0.9. Each layer of the SPSL has a thickness of less than or equal to about six bi-layers of AlGaN.

摘要翻译： 发光器件包括具有由掺杂有p型掺杂剂的Al x Ga Ga x Ga x Ga x Ga N交替层和掺杂有p型掺杂剂的Al x O x Ga 1-x low N形成的短周期超晶格（SPSL）的p侧异质结构，其中xlow≤xhigh≤ 0.9。 SPSL的每个层具有小于或等于约六个双层AlGaN的厚度。

公开(公告)号：US09401433B1

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：US14982899

申请日：2015-12-29

申请人： INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： Shan-Haw Chiou ,  Tzu-Chi Chou ,  Wen-Hsuan Chao ,  Hsin-Ming Cheng ,  Mu-Tung Chang ,  Tien-Heng Huang ,  Ren-Fong Cai

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24

摘要： A p-type metal oxide semiconductor material is provided, which is composed of AlxGe(1-x)Oy, wherein 0

摘要翻译： 提供了由Al x Ge（1-x）O y组成的p型金属氧化物半导体材料，其中0

公开(公告)号：US20160211411A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：US14681327

申请日：2015-04-08

申请人： Trustees of Boston University

发明人： Yitao Liao ,  Theodore D. Moustakas

IPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02625 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06

摘要： A method of growing an AlGaN semiconductor material utilizes an excess of Ga above the stoichiometric amount typically used. The excess Ga results in the formation of band structure potential fluctuations that improve the efficiency of radiative recombination and increase light generation of optoelectronic devices, in particular ultraviolet light emitting diodes, made using the method. Several improvements in UV LED design and performance are also provided for use together with the excess Ga growth method. Devices made with the method can be used for water purification, surface sterilization, communications, and data storage and retrieval.

摘要翻译： 生长AlGaN半导体材料的方法利用高于通常使用的化学计量量的过量的Ga。 多余的Ga导致形成带结构电位波动，从而提高辐射复合的效率并增加使用该方法制造的光电器件，特别是紫外发光二极管的光产生。 还提供了紫外LED设计和性能的几项改进，以及多余的Ga生长方法。 使用该方法制造的设备可用于水净化，表面灭菌，通信和数据存储和检索。