公开(公告)号：US20100019292A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12461992

申请日：2009-08-31

申请人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

发明人： Sang-Yong Kim ,  Ji-Hoon Cha ,  Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi

IPC分类号： H01L29/78 ,  C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  C09K13/04 ,  C09K13/08 ,  C09K13/06

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/02 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A transistor having a metal nitride layer pattern, etchant and methods of forming the same is provided. A gate insulating layer and/or a metal nitride layer may be formed on a semiconductor substrate. A mask layer may be formed on the metal nitride layer. Using the mask layer as an etching mask, an etching process may be performed on the metal nitride layer, forming the metal nitride layer pattern. An etchant, which may have an oxidizing agent, a chelate agent and/or a pH adjusting mixture, may perform the etching. The methods may reduce etching damage to a gate insulating layer under the metal nitride layer pattern during the formation of a transistor.

摘要翻译： 提供具有金属氮化物层图案的晶体管，蚀刻剂及其形成方法。 可以在半导体衬底上形成栅极绝缘层和/或金属氮化物层。 掩模层可以形成在金属氮化物层上。 使用掩模层作为蚀刻掩模，可以对金属氮化物层进行蚀刻处理，形成金属氮化物层图案。 可以具有氧化剂，螯合剂和/或pH调节混合物的蚀刻剂可以进行蚀刻。 在形成晶体管期间，这些方法可以减少金属氮化物层图案下的栅极绝缘层的蚀刻损伤。

公开(公告)号：US07562662B2

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：US11736260

申请日：2007-04-17

申请人： Sang-Yong Kim ,  Sang-Jun Choi ,  Chang-Ki Hong

发明人： Sang-Yong Kim ,  Sang-Jun Choi ,  Chang-Ki Hong

IPC分类号： B08B3/04 ,  B08B3/08 ,  C11D1/00 ,  C11D3/02 ,  C11D3/24

CPC分类号： C23F1/16 ,  C11D3/042 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814

摘要： A cleaning method for removing foreign bodies during the fabrication of semiconductor devices including treating a substrate with a cleaning solution including an oxidizer to form a chemical oxide layer and then removing the chemical oxide layer, thereby removing foreign bodies from a surface of the semiconductor substrate. Accordingly, the foreign bodies can be substantially removed from the surface of the substrate without corroding a metal.

摘要翻译： 一种用于在制造半导体器件期间去除异物的清洁方法，包括用包括氧化剂的清洁溶液处理基底以形成化学氧化物层，然后除去化学氧化物层，从而从半导体衬底的表面去除异物。 因此，异物可以基本上从基板的表面除去而不会腐蚀金属。

公开(公告)号：US07216653B2

公开(公告)日：2007-05-15

申请号：US11502011

申请日：2006-08-10

申请人： Sang-Yong Kim ,  Sang-Jun Choi ,  Chang-Ki Hong

发明人： Sang-Yong Kim ,  Sang-Jun Choi ,  Chang-Ki Hong

IPC分类号： B08B3/04 ,  B08B3/08 ,  C11D1/00 ,  C11D3/02 ,  C11D3/24

CPC分类号： C23F1/16 ,  C11D3/042 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814

摘要： A cleaning method for removing foreign bodies during the fabrication of semiconductor devices including treating a substrate with a cleaning solution including an oxidizer to form a chemical oxide layer and then removing the chemical oxide layer, thereby removing foreign bodies from a surface of the semiconductor substrate. Accordingly, the foreign bodies can be substantially removed from the surface of the substrate without corroding a metal.

摘要翻译： 一种用于在制造半导体器件期间去除异物的清洁方法，包括用包括氧化剂的清洁溶液处理基底以形成化学氧化物层，然后除去化学氧化物层，从而从半导体衬底的表面去除异物。 因此，异物可以基本上从基板的表面除去而不会腐蚀金属。

公开(公告)号：US20060189064A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11329577

申请日：2006-01-11

申请人： Woo-Gwan Shim ,  Jung-Min Oh ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Sang-Yong Kim

发明人： Woo-Gwan Shim ,  Jung-Min Oh ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Sang-Yong Kim

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

摘要： Provided is a method of manufacturing a capacitor of a semiconductor device, which can prevent tilting or an electrical short of a lower electrode. In the method, a mesh-type bridge insulating layer is formed above the contact plug on a mold oxide layer. The mold oxide layer and the bridge insulating layer are etched to define an electrode region. The mold oxide layer is removed using an etching gas having an etch selectivity of 500 or greater for the mold oxide layer with respect to the bridge insulating layer.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的电容器的方法，其可以防止下电极的倾斜或电短路。 在该方法中，在模具氧化物层上的接触插塞上方形成网状桥接绝缘层。 蚀刻模具氧化物层和桥接绝缘层以限定电极区域。 使用相对于桥接绝缘层的模具氧化物层的蚀刻选择性为500以上的蚀刻气体去除模具氧化物层。

公开(公告)号：US20070254425A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：US11654543

申请日：2007-01-18

申请人： Sang-Yong Kim ,  Mong-Sup Lee ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

发明人： Sang-Yong Kim ,  Mong-Sup Lee ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/1052

摘要： Example embodiments of the present invention relates to methods of fabricating a semiconductor device. Other example embodiments of the present invention relate to methods of fabricating a semiconductor device using a metal nitride layer as a gate electrode. The methods may include providing a semiconductor substrate having a first region and a second region. A gate insulating layer, a metal nitride layer and/or an amorphous carbon layer may be sequentially formed on the substrate. The amorphous carbon layer may be selectively etched, forming an amorphous carbon mask covering the first region. The metal nitride layer, exposed by the amorphous carbon mask, may be etched, forming a preliminary metal nitride pattern. The amorphous carbon mask may be removed.

摘要翻译： 本发明的示例性实施例涉及制造半导体器件的方法。 本发明的其他示例性实施例涉及使用金属氮化物层作为栅电极制造半导体器件的方法。 所述方法可以包括提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底。 可以在衬底上依次形成栅极绝缘层，金属氮化物层和/或非晶碳层。 可以选择性地蚀刻无定形碳层，形成覆盖第一区域的无定形碳掩模。 可以蚀刻由非晶碳掩模曝光的金属氮化物层，形成初步的金属氮化物图案。 可以除去无定形碳掩模。

公开(公告)号：US20070178706A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：US11656470

申请日：2007-01-23

申请人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

发明人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02063

摘要： A cleaning solution and methods of fabricating semiconductor devices using the same are provided. A cleaning solution used for cleaning a silicon surface and methods of fabricating a semiconductor device using the same are also provided. The cleaning solution may include 0.01 to 1 wt % of fluoric acid, 20 to 50 wt % of oxidizer and 50 to 80 wt % of water. The cleaning solution may further include 1 to 20 wt % of acetic acid. The cleaning solution may be used Lo clean a silicon surface exposed during fabrication processes of a semiconductor device. The cleaning solution may reduce damage of other material layers (e.g., a tungsten layer or a silicon oxide layer) and enable the silicon surface to be selectively etched.

摘要翻译： 提供一种清洁溶液和使用其制造半导体器件的方法。 还提供了用于清洁硅表面的清洁溶液以及使用其制造半导体器件的方法。 清洗液可以含有0.01〜1重量％的氟酸，20〜50重量％的氧化剂和50〜80重量％的水。 清洗溶液还可以含有1〜20重量％的乙酸。 可以使用清洁溶液Lo清洁在半导体器件的制造过程中暴露的硅表面。 清洁溶液可以减少其它材料层（例如，钨层或氧化硅层）的损伤，并且能够选择性地蚀刻硅表面。

公开(公告)号：US20070163618A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11489494

申请日：2006-07-20

申请人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

发明人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

IPC分类号： B08B6/00

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/02 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063

摘要： There are provided a cleaning solution for a silicon surface containing a buffer solution including acetic acid (CH3COOH) and ammonium acetate (CH3COONH4), iodine oxidizer, hydrofluoric acid (HF), and water. In a method for fabricating a semiconductor device, a silicon substrate may have an exposed silicon surface, which may be cleaned using a cleaning solution that contains a buffer solution including acetic acid and ammonium acetate, iodine oxidizer, hydrofluoric acid, and water.

摘要翻译： 提供了含有含有乙酸（CH 3 COOH）和乙酸铵（CH 3 COCO 4）的缓冲溶液的硅表面的清洗溶液 >），碘氧化剂，氢氟酸（HF）和水。 在制造半导体器件的方法中，硅衬底可以具有暴露的硅表面，其可以使用包含含有乙酸和乙酸铵，碘氧化剂，氢氟酸和水的缓冲溶液的清洁溶液进行清洁。

公开(公告)号：US07879735B2

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：US11656470

申请日：2007-01-23

申请人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

发明人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02063

摘要： A cleaning solution and methods of fabricating semiconductor devices using the same are provided. A cleaning solution used for cleaning a silicon surface and methods of fabricating a semiconductor device using the same are also provided. The cleaning solution may include 0.01 to 1 wt % of fluoric acid, 20 to 50 wt % of oxidizer and 50 to 80 wt % of water. The cleaning solution may further include 1 to 20 wt % of acetic acid. The cleaning solution may be used to clean a silicon surface exposed during fabrication processes of a semiconductor device. The cleaning solution may reduce damage of other material layers (e.g., a tungsten layer or a silicon oxide layer) and enable the silicon surface to be selectively etched.

摘要翻译： 提供一种清洁溶液和使用其制造半导体器件的方法。 还提供了用于清洁硅表面的清洁溶液以及使用其制造半导体器件的方法。 清洗液可以含有0.01〜1重量％的氟酸，20〜50重量％的氧化剂和50〜80重量％的水。 清洗溶液还可以含有1〜20重量％的乙酸。 清洁溶液可用于清洁在半导体器件的制造工艺期间暴露的硅表面。 清洁溶液可以减少其它材料层（例如，钨层或氧化硅层）的损伤，并且能够选择性地蚀刻硅表面。

公开(公告)号：US07449417B2

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：US11489494

申请日：2006-07-20

申请人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

发明人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/02 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063

摘要： There are provided a cleaning solution for a silicon surface containing a buffer solution including acetic acid (CH3COOH) and ammonium acetate (CH3COONH4), iodine oxidizer, hydrofluoric acid (HF), and water. In a method for fabricating a semiconductor device, a silicon substrate may have an exposed silicon surface, which may be cleaned using a cleaning solution that contains a buffer solution including acetic acid and ammonium acetate, iodine oxidizer, hydrofluoric acid, and water.

摘要翻译： 提供了含有含有乙酸（CH 3 COOH）和乙酸铵（CH 3 COCO 4）的缓冲溶液的硅表面的清洗溶液 >），碘氧化剂，氢氟酸（HF）和水。 在制造半导体器件的方法中，硅衬底可以具有暴露的硅表面，其可以使用包含含有乙酸和乙酸铵，碘氧化剂，氢氟酸和水的缓冲溶液的清洁溶液进行清洁。

公开(公告)号：US07265040B2

公开(公告)日：2007-09-04

申请号：US10728517

申请日：2003-12-05

申请人： Sang-Yong Kim ,  Kun-Tack Lee

发明人： Sang-Yong Kim ,  Kun-Tack Lee

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C11D3/3956 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31111

摘要： A cleaning solution selectively removes a titanium nitride layer and a non-reacting metal layer. The cleaning solution includes an acid solution and an oxidation agent with iodine. The cleaning solution also effectively removes a photoresist layer and organic materials. Moreover, the cleaning solution can be employed in tungsten gate electrode technologies that have been spotlighted because of the capability to improve device operation characteristics.

摘要翻译： 清洁溶液选择性地除去氮化钛层和非反应性金属层。 清洗液包括酸溶液和碘的氧化剂。 清洁溶液还有效地除去光致抗蚀剂层和有机材料。 此外，由于能够提高器件工作特性，所以清洗液可以用于已被聚光的钨栅电极技术中。