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    Device and a method for forming a capacitor device
    13.
    发明授权
    Device and a method for forming a capacitor device 失效
    装置及形成电容器装置的方法

    公开(公告)号：US07041551B2

    公开(公告)日：2006-05-09

    申请号：US10677099

    申请日：2003-09-30

    申请人： Haoren Zhuang ,  Nicolas Nagel ,  Jenny Lian ,  Rainer Bruchhaus

    发明人： Haoren Zhuang ,  Nicolas Nagel ,  Jenny Lian ,  Rainer Bruchhaus

    IPC分类号： H01L21/8242

    CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L28/92

    摘要： A device and method for forming a capacitor device comprises forming a substrate, forming a first interlayer dielectric layer on the substrate and forming two or more contact plugs through the substrate. A conducting layer is formed on the first interlayer dielectric layer and an electrode is formed on alternate ones of the contact plugs by etching the conducting layer. The etched electrodes are then coated with a ferroelectric layer. The ferroelectric layer is etched from the surfaces separating the contact plugs and additional electrodes are created by filling the spaces between the electrodes on alternate ones of the contact plugs with a conductive material to establish electrical contact between the plugs and the electrodes.

    摘要翻译： 用于形成电容器器件的器件和方法包括形成衬底，在衬底上形成第一层间电介质层，并通过衬底形成两个或更多个接触插塞。 在第一层间电介质层上形成导电层，通过蚀刻导电层，在交替的接触插塞上形成电极。 然后用铁电层涂覆蚀刻的电极。 从分离接触塞的表面蚀刻铁电层，并且通过用导电材料填充交替的接触插塞上的电极之间的空间来产生附加电极，以建立插塞和电极之间的电接触。

    Process for fabrication of a ferrocapacitor
    14.
    发明申请
    Process for fabrication of a ferrocapacitor 有权
    制造铁电体的方法

    公开(公告)号：US20060003469A1

    公开(公告)日：2006-01-05

    申请号：US10881338

    申请日：2004-06-30

    申请人： Karl Hornik ,  Rainer Bruchhaus ,  Bum-Ki Moon

    发明人： Karl Hornik ,  Rainer Bruchhaus ,  Bum-Ki Moon

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/02197 ,  H01L21/02304 ,  H01L28/56

    摘要： In a process for fabricating a ferrocapacitor comprising providing ferroelectric PZT elements over an Al2O3 layer, the Al2O3 layer is covered with a seed layer comprising layers of PZT and TiO2. Then a thicker layer of PZT is formed over the seed layer and crystallized. By this process, the crystallinity of the thick PZT layer is much improved, and its orientation is improved to be in the (111) direction. Furthermore, the seed layer reduces downward diffraction of Pb from the thick PZT layer, such as through the Al2O3 into a TEOS structure beneath.

    摘要翻译： 在制造包括在Al 2 O 3层上提供铁电PZT元件的铁电体的方法中，Al 2 O 3 3 / SUB层用包含PZT和TiO 2层的种子层覆盖。 然后在种子层上形成较厚的PZT层并结晶。 通过该方法，厚PZT层的结晶度大大提高，其取向提高到（111）方向。 此外，种子层减少了从厚PZT层（例如通过Al 2 O 3 3）到下面的TEOS结构的Pb的向下衍射。

    Process for producing high-epsilon dielectric layer or ferroelectric layer
    16.
    发明授权
    Process for producing high-epsilon dielectric layer or ferroelectric layer 有权
    用于生产高ε电介质层或铁电层的方法

    公开(公告)号：US06346424B1

    公开(公告)日：2002-02-12

    申请号：US09282094

    申请日：1999-03-30

    申请人： Günther Schindler ,  Walter Hartner ,  Rainer Bruchhaus ,  Robert Primig

    发明人： Günther Schindler ,  Walter Hartner ,  Rainer Bruchhaus ,  Robert Primig

    IPC分类号： H01L2100

    CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/31691

    摘要： The process provides a multistage procedure, in which, in the first step the layer is sputtered at low temperature, in the second step an RTP process is carried out in an inert atmosphere at medium or high temperature, and in the third step the layer is heat treated in an atmosphere containing oxygen at low or medium temperature. The levels of heating are considerably reduced compared with conventional processes, so that when the process is being employed for producing an integrated memory cell it is possible to prevent oxidation of an underlying barrier layer.

    摘要翻译： 该方法提供了多级方法，其中在第一步骤中该层在低温下溅射，在第二步中，RTP过程在中等或高温的惰性气氛中进行，在第三步中，该层是 在低温或中等温度的含氧气氛中进行热处理。 与常规方法相比，加热水平显着降低，使得当该方法用于制造集成记忆单元时，可以防止下面的阻挡层的氧化。

    Memory cell and method of manufacturing thereof
    19.
    发明申请
    Memory cell and method of manufacturing thereof 审中-公开
    存储单元及其制造方法

    公开(公告)号：US20080073751A1

    公开(公告)日：2008-03-27

    申请号：US11525196

    申请日：2006-09-21

    申请人： Rainer Bruchhaus

    发明人： Rainer Bruchhaus

    IPC分类号： H01L29/12

    CPC分类号： G11C13/0011 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0054 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

    摘要： A memory cell includes a substrate, a first electrode disposed over the substrate a resistance element disposed over the first electrode, a second electrode disposed over the resistance element, the second electrode comprising an alloy, the alloy being formed from a first metal layer deposited on the resistance element, a second metal layer deposited on the first metal layer and heating the first and second metal layers.

    摘要翻译： 存储单元包括衬底，设置在衬底上的第一电极，设置在第一电极上的电阻元件，设置在电阻元件上的第二电极，第二电极包括合金，该合金由沉积在第一电极上的第一金属层形成 电阻元件，沉积在第一金属层上并加热第一和第二金属层的第二金属层。

    Process for fabrication of a ferrocapacitor
    20.
    发明授权
    Process for fabrication of a ferrocapacitor 有权
    制造铁电体的方法

    公开(公告)号：US07198959B2

    公开(公告)日：2007-04-03

    申请号：US10881338

    申请日：2004-06-30

    申请人： Karl Hornik ,  Rainer Bruchhaus ,  Bum-Ki Moon

    发明人： Karl Hornik ,  Rainer Bruchhaus ,  Bum-Ki Moon

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/02197 ,  H01L21/02304 ,  H01L28/56

    摘要： In a process for fabricating a ferrocapacitor comprising providing ferroelectric PZT elements over an Al2O3 layer, the Al2O3 layer is covered with a seed layer comprising layers of PZT and TiO2. Then a thicker layer of PZT is formed over the seed layer and crystallized. By this process, the crystallinity of the thick PZT layer is much improved, and its orientation is improved to be in the (111) direction. Furthermore, the seed layer reduces downward diffraction of Pb from the thick PZT layer, such as through the Al2O3 into a TEOS structure beneath.

    摘要翻译： 在制造包括在Al 2 O 3层上提供铁电PZT元件的铁电体的方法中，Al 2 O 3 3 / SUB层用包含PZT和TiO 2层的种子层覆盖。 然后在种子层上形成较厚的PZT层并结晶。 通过该方法，厚PZT层的结晶度大大提高，其取向提高到（111）方向。 此外，种子层减少了从厚PZT层（例如通过Al 2 O 3 3）到下面的TEOS结构的Pb的向下衍射。