公开(公告)号：US20090047527A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US12013843

申请日：2008-01-14

申请人： Hsueh-An Yang ,  Weileun Fang ,  Tsung-Lin TANG

发明人： Hsueh-An Yang ,  Weileun Fang ,  Tsung-Lin TANG

IPC分类号： B32B15/04 ,  B44C1/22

CPC分类号： B81C1/00142 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/0019 ,  H01F7/122 ,  H01F7/14 ,  H01F41/041 ,  H01F2007/068 ,  H02K33/18

摘要： A magnetic element and its manufacturing method are provided. A magnetic element includes an actuation part having a first surface and a second surface, a torsion bar connected to the actuation part, and a frame connected to the first torsion bar, wherein the first surface of the actuation part is an uneven surface. The manufacturing method of the magnetic element starts with forming an passivation layer on a substrate and defining a special area by the mask method, then continues with forming the adhesion layer and electroplate-initializing layer on the substrate sequentially. The photoresist layer are formed and the magnetic-inductive material is electroformed on the electroplate area. Finally, the substrate is etched and the passivation layer is removed to obtain the magnetic element. The manufacturing method of magnetic element of the present invention can be applied in the microelectromechanical system field and other categories.

摘要翻译： 提供了磁性元件及其制造方法。 磁性元件包括具有第一表面和第二表面的致动部件，连接到致动部件的扭杆和连接到第一扭杆的框架，其中致动部件的第一表面是不平坦的表面。 磁性元件的制造方法首先在基板上形成钝化层，通过掩模法形成特殊区域，然后依次在基板上形成粘合层和电镀初始化层。 形成光致抗蚀剂层，并且将磁感应材料电铸在电镀区域上。 最后，蚀刻衬底并去除钝化层以获得磁性元件。 本发明的磁性元件的制造方法可以应用于微机电系统领域等。

公开(公告)号：US08368152B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US13089027

申请日：2011-04-18

申请人： Chia-Hua Chu ,  Yi Heng Tsai ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Pao Shu ,  Li-Cheng Chu ,  Kuei-Sung Chang ,  Hsueh-An Yang ,  Chung-Hsien Lin

发明人： Chia-Hua Chu ,  Yi Heng Tsai ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Pao Shu ,  Li-Cheng Chu ,  Kuei-Sung Chang ,  Hsueh-An Yang ,  Chung-Hsien Lin

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L27/14 ,  H01L21/00 ,  G01P15/08

CPC分类号： H01L29/84 ,  B81B2203/0307 ,  B81C1/00039 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure provides a micro-electro-mechanical systems (MEMS) device and a method for fabricating such a device. In an embodiment, a MEMS device includes a substrate, a dielectric layer above the substrate, an etch stop layer above the dielectric layer, and two anchor plugs above the dielectric layer, the two anchor plugs each contacting the etch stop layer or a top metal layer disposed above the dielectric layer. The device further comprises a MEMS structure layer disposed above a cavity formed between the two anchor plugs and above the etch stop layer from release of a sacrificial layer.

摘要翻译： 本公开提供了一种微机电系统（MEMS）装置及其制造方法。 在一个实施例中，MEMS器件包括衬底，在衬底上方的电介质层，在电介质层上方的蚀刻停止层，以及在电介质层上方的两个锚栓，两个锚栓每个接触蚀刻停止层或顶部金属 层，设置在电介质层的上方。 该装置还包括一个MEMS结构层，该MEMS结构层设置在形成在两个锚栓之间的空腔之上，并且位于蚀刻停止层上方，从牺牲层释放出来。

公开(公告)号：US20120261830A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13089027

申请日：2011-04-18

申请人： Chia-Hua Chu ,  Yi Heng Tsai ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Pao Shu ,  Li-Cheng Chu ,  Kuei-Sung Chang ,  Hsueh-An Yang ,  Chung-Hsien Lin

发明人： Chia-Hua Chu ,  Yi Heng Tsai ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Pao Shu ,  Li-Cheng Chu ,  Kuei-Sung Chang ,  Hsueh-An Yang ,  Chung-Hsien Lin

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/84 ,  B81B2203/0307 ,  B81C1/00039 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure provides a micro-electro-mechanical systems (MEMS) device and a method for fabricating such a device. In an embodiment, a MEMS device includes a substrate, a dielectric layer above the substrate, an etch stop layer above the dielectric layer, and two anchor plugs above the dielectric layer, the two anchor plugs each contacting the etch stop layer or a top metal layer disposed above the dielectric layer. The device further comprises a MEMS structure layer disposed above a cavity formed between the two anchor plugs and above the etch stop layer from release of a sacrificial layer.

摘要翻译： 本公开提供了一种微机电系统（MEMS）装置及其制造方法。 在一个实施例中，MEMS器件包括衬底，在衬底上方的电介质层，在电介质层上方的蚀刻停止层，以及在电介质层上方的两个锚栓，两个锚栓每个接触蚀刻停止层或顶部金属 层，设置在电介质层的上方。 该器件还包括一个MEMS结构层，该MEMS结构层设置在形成在两个锚栓之间的空腔之上，并且位于蚀刻停止层上方，从牺牲层释放出来。

公开(公告)号：US08277667B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12013843

申请日：2008-01-14

申请人： Hsueh-An Yang ,  Weileun Fang ,  Tsung-Lin Tang

发明人： Hsueh-An Yang ,  Weileun Fang ,  Tsung-Lin Tang

IPC分类号： H01L21/302 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00142 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/0019 ,  H01F7/122 ,  H01F7/14 ,  H01F41/041 ,  H01F2007/068 ,  H02K33/18

摘要： A magnetic element and its manufacturing method are provided. A magnetic element includes an actuation part having a first surface and a second surface, a torsion bar connected to the actuation part, and a frame connected to the first torsion bar, wherein the first surface of the actuation part is an uneven surface. The manufacturing method of the magnetic element starts with forming an passivation layer on a substrate and defining a special area by the mask method, then continues with forming the adhesion layer and electroplate-initializing layer on the substrate sequentially. The photoresist layer are formed and the magnetic-inductive material is electroformed on the electroplate area. Finally, the substrate is etched and the passivation layer is removed to obtain the magnetic element. The manufacturing method of magnetic element of the present invention can be applied in the microelectromechanical system field and other categories.

摘要翻译： 提供了磁性元件及其制造方法。 磁性元件包括具有第一表面和第二表面的致动部件，连接到致动部件的扭杆和连接到第一扭杆的框架，其中致动部件的第一表面是不平坦的表面。 磁性元件的制造方法首先在基板上形成钝化层，通过掩模法形成特殊区域，然后依次在基板上形成粘合层和电镀初始化层。 形成光致抗蚀剂层，并且将磁感应材料电铸在电镀区域上。 最后，蚀刻衬底并去除钝化层以获得磁性元件。 本发明的磁性元件的制造方法可以应用于微机电系统领域等。

公开(公告)号：US20120074554A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US12891062

申请日：2010-09-27

申请人： Chun-Wen Cheng ,  Hsueh-An Yang

发明人： Chun-Wen Cheng ,  Hsueh-An Yang

IPC分类号： H01L23/10 ,  H01L21/02

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C1/0038 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  H01L23/02 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure provides a device having a plurality of bonded substrates. The substrates are bonded by a first bond ring and a second bond ring. In an embodiment, the first bond ring is a eutectic bond and the second bond ring is at least one of an organic material and a eutectic bond. The second bond ring encircles the first bond ring. The first bond ring provides a hermetic region of the device. In a further embodiment, a plurality of wafers are bonded which include a third bond ring disposed at the periphery of the wafers.

摘要翻译： 本公开提供了一种具有多个键合衬底的器件。 基板通过第一键环和第二键环键合。 在一个实施方案中，第一键环是共晶键，第二键环是有机材料和共晶键中的至少一种。 第二个键环围绕第一个结合环。 第一粘结环提供该装置的密封区域。 在另一实施例中，多个晶片被结合，其包括设置在晶片周边的第三接合环。

公开(公告)号：US08030111B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12326355

申请日：2008-12-02

申请人： Mingching Wu ,  Hsueh-An Yang ,  Hung-Yi Lin ,  Weileun Fang

发明人： Mingching Wu ,  Hsueh-An Yang ,  Hung-Yi Lin ,  Weileun Fang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B81C1/00301 ,  B81B2201/042 ,  B81B2207/097

摘要： A method for manufacturing an MEMS device is provided. The method includes steps of a) providing a first substrate having a concavity located thereon, b) providing a second substrate having a connecting area and an actuating area respectively located thereon, c) forming plural microstructures in the actuating area, d) mounting a conducting element in the connecting area and the actuating area, e) forming an insulating layer on the conducting element and f) connecting the first substrate to the connecting area to form the MEMS device. The concavity contains the plural microstructures.

摘要翻译： 提供了一种用于制造MEMS器件的方法。 该方法包括以下步骤：a）提供具有位于其上的凹面的第一基底，b）提供具有分别位于其上的连接区域和致动区域的第二基底，c）在致动区域中形成多个微结构，d） 在所述连接区域和所述致动区域中的元件，e）在所述导电元件上形成绝缘层，以及f）将所述第一基板连接到所述连接区域以形成所述MEMS器件。 凹面包含多个微结构。

公开(公告)号：US20080303167A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：US12050601

申请日：2008-03-18

申请人： Wei Chung WANG ,  Po Jen CHENG ,  Hsueh An YANG ,  Pei Chun CHEN

发明人： Wei Chung WANG ,  Po Jen CHENG ,  Hsueh An YANG ,  Pei Chun CHEN

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/312 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041

摘要： A method for manufacturing a device having a via structure includes the following steps. A seed metallic layer is formed on a substrate. A patterned metallic-trace layer is formed on the seed metallic layer. A positive-type photoresist layer is formed on the patterned metallic-trace layer and seed metallic layer. The photoresist layer is patterned for defining a through hole which exposes a part of the patterned metallic-trace layer, wherein the through hole has a high aspect ratio. A metallic material is electroplated in the through hole so as to form a metallic pillar. The photoresist layer is removed. A part of the seed metallic layer is etched, whereby traces of the patterned metallic-trace layer are electrically isolated from each other. A dielectric material layer is formed on the substrate for sealing the patterned metallic-trace layer and a part of the metallic pillar and exposing a top surface of the metallic pillar.

摘要翻译： 用于制造具有通孔结构的器件的方法包括以下步骤。 种子金属层形成在基片上。 在种子金属层上形成图案化的金属痕迹层。 在图案化的金属痕迹层和种子金属层上形成正型光致抗蚀剂层。 图案化光致抗蚀剂层以限定暴露图案化的金属 - 迹线层的一部分的通孔，其中通孔具有高纵横比。 在通孔中电镀金属材料，形成金属柱。 去除光致抗蚀剂层。 蚀刻种子金属层的一部分，由此图案化的金属迹线层的迹线彼此电隔离。 在基板上形成电介质材料层，用于密封图案化的金属迹线层和金属柱的一部分并暴露金属柱的顶表面。

公开(公告)号：US20080188026A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US12023274

申请日：2008-01-31

申请人： Meng-Jen Wang ,  Hsueh-An Yang

发明人： Meng-Jen Wang ,  Hsueh-An Yang

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81B2201/047 ,  B81C2203/0127 ,  H01L2924/16235

摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor package structure having Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS). A plurality of Micro-Electro-Mechanical Systems is disposed on a plurality of substrate units of a substrate, and a plurality of cover units of a cover plate is used to seal the corresponding Micro-Electro-Mechanical Systems. Next, a body of the cover plate is removed, and the substrate is then cut, so as to form a plurality of semiconductor package structures. In doing so, the body is removed and the substrate is cut without patterning the cover plate and the substrate in advance to form aligning marks, such that the packaging process of the present invention is simpler. In addition, the cover plate is not limited to transparent material, so that various materials can be used in various applications. Furthermore, the body can be removed by using a simple grinding process, such that the manufacturing cost can be reduced.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造具有微机电系统（MEMS）的半导体封装结构的方法。 多个微电子机械系统设置在基板的多个基板单元上，并且使用盖板的多个盖单元来密封相应的微机电系统。 接下来，去除盖板的主体，然后切割基板，以便形成多个半导体封装结构。 在这样做时，物体被去除并且基板被预先切割而未图案化盖板和基板以形成对准标记，使得本发明的包装过程更简单。 此外，盖板不限于透明材料，因此可以在各种应用中使用各种材料。 此外，可以通过使用简单的研磨工艺去除主体，从而可以降低制造成本。

公开(公告)号：US20110174058A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US13072879

申请日：2011-03-28

申请人： Mingching Wu ,  Hsueh-An Yang ,  Hung-Yi Lin ,  Weileun Fang

发明人： Mingching Wu ,  Hsueh-An Yang ,  Hung-Yi Lin ,  Weileun Fang

IPC分类号： G01M3/04 ,  H01L21/02

CPC分类号： B81C1/00301 ,  B81B2201/042 ,  B81B2207/097

摘要： A method for manufacturing an MEMS device is provided. The method includes steps of a) providing a first substrate having a concavity located thereon, b) providing a second substrate having a connecting area and an actuating area respectively located thereon, c) forming plural microstructures in the actuating area, d) mounting a conducting element in the connecting area and the actuating area, e) forming an insulating layer on the conducting element and f) connecting the first substrate to the connecting area to form the MEMS device. The concavity contains the plural microstructures.

摘要翻译： 提供了一种用于制造MEMS器件的方法。 该方法包括以下步骤：a）提供具有位于其上的凹面的第一基底，b）提供具有分别位于其上的连接区域和致动区域的第二基底，c）在致动区域中形成多个微结构，d） 在所述连接区域和所述致动区域中的元件，e）在所述导电元件上形成绝缘层，以及f）将所述第一基板连接到所述连接区域以形成所述MEMS器件。 凹面包含多个微结构。

公开(公告)号：US20100230759A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12647856

申请日：2009-12-28

申请人： Hsueh-An Yang ,  Pei-Chun Chen ,  Chien-Hua Chen

发明人： Hsueh-An Yang ,  Pei-Chun Chen ,  Chien-Hua Chen

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L27/092 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898

摘要： The present invention relates to a silicon chip having a through via and a method for making the same. The silicon chip includes a silicon substrate, a passivation layer, at least one electrical device and at least one through via. The passivation layer is disposed on a first surface of the silicon substrate. The electrical device is disposed in the silicon substrate, and exposed to a second surface of the silicon substrate. The through via includes a barrier layer and a conductor, and penetrates the silicon substrate and the passivation layer. A first end of the through via is exposed to the surface of the passivation layer, and a second end of the through via connects the electrical device. When a redistribution layer is formed on the surface of the passivation layer, the redistribution layer will not contact the silicon substrate, thus avoiding a short circuit. Therefore, a lower resolution process can be used, which results in low manufacturing cost and simple manufacturing process.

摘要翻译： 本发明涉及具有贯通孔的硅芯片及其制造方法。 硅芯片包括硅衬底，钝化层，至少一个电器件和至少一个通孔。 钝化层设置在硅衬底的第一表面上。 电气设备设置在硅衬底中，并暴露于硅衬底的第二表面。 通孔包括阻挡层和导体，并且穿透硅衬底和钝化层。 通孔的第一端暴露于钝化层的表面，通孔的第二端连接电气装置。 当在钝化层的表面上形成再分布层时，再分布层将不会接触硅衬底，从而避免短路。 因此，可以使用较低分辨率的工艺，这导致制造成本低和制造工艺简单。