公开(公告)号：US08614052B2

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：US13522743

申请日：2011-01-12

申请人： Reinhard Galler

发明人： Reinhard Galler

IPC分类号： G03F1/20 ,  H01J37/317

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/78 ,  H01J37/3174

摘要： A method of electron beam lithography for producing wafers and masks. To reduce the impacts of the disturbing proximity effect, an expanded correction algorithm that enables a more accurate correction is used to control the electron beam. To create an improved correction method by means of which the contrast and the feature width (CD) of all figures of a pattern can be optimally controlled additional contrast frames (KR) and remaining figures (R) are produced using a geometric method for the purpose of contrast control with respect to all figures (F). Then smaller figures (KRsize-S and Rsize-S) are produced from the contrast frame figures (KR) and remaining figures (R) by means of a negative sizing operation, and subsequently figures (KRsize-S and Rsize-S) are transferred to the proximity correction algorithm with the condition that the resist threshold is reached at the edges of the figures (KR, R) by the dose assignment.

摘要翻译： 用于生产晶片和掩模的电子束光刻的方法。 为了减少干扰接近效应的影响，使用能够进行更精确校正的扩展校正算法来控制电子束。 为了创建改进的校正方法，通过该方法可以最佳地控制图案的所有图形的对比度和特征宽度（CD），使用用于该目的的几何方法来产生附加对比度框架（KR）和剩余图形（R） 对所有图（F）进行对比度控制。 然后通过负尺寸操作从对比帧图（KR）和剩余图（R）产生较小的数字（KRsize-S和Rsize-S），随后转移图（KRsize-S和Rsize-S） 到达接近校正算法，条件是通过剂量分配在图（KR，R）的边缘处达到抗蚀剂阈值。

公开(公告)号：US20130302726A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13943062

申请日：2013-07-16

申请人： FUJIFILM Corporation

发明人： Tomotaka TSUCHIMURA ,  Tadateru YATSUO

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F1/22 ,  G03F1/20

CPC分类号： G03F7/0382 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08F257/00 ,  C08K5/19 ,  C09D125/18 ,  G03F1/20 ,  G03F1/22 ,  G03F1/56 ,  G03F1/76 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/2039 ,  C08F212/32 ,  C08L25/18 ,  C08F2220/185 ,  C08F220/42

摘要： A chemical amplification resist composition contains: (A) a polymer compound having a structure where a hydrogen atom of a phenolic hydroxyl group is replaced by a group having a non-acid-decomposable polycyclic alicyclic hydrocarbon structure; and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation.

摘要翻译： 化学增幅抗蚀剂组合物包含：（A）具有酚羟基的氢原子被具有非酸可分解多环脂族烃结构的基团代替的结构的高分子化合物; 和（B）能够在用光化射线或辐射照射时能产生酸的化合物。

公开(公告)号：US08563224B1

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13487850

申请日：2012-06-04

申请人： Cheng-Hung Chen ,  Pei-Shiang Chen ,  Shih-Chi Wang ,  Jeng-Horng Chen

发明人： Cheng-Hung Chen ,  Pei-Shiang Chen ,  Shih-Chi Wang ,  Jeng-Horng Chen

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/20

CPC分类号： G06F17/50 ,  G03C5/00 ,  G03F1/20 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31769 ,  Y10S430/143

摘要： The present disclosure provides a dithering method of increasing wafer throughput by an electron beam lithography system. The dithering method generates an edge map from a vertex map. The vertex map is generated from an integrated circuit design layout (such as an original pattern bitmap). A gray map (also referred to as a pattern gray map) is also generated from the integrated circuit design layout. By combining the edge map with the gray map, a modified integrated circuit design layout (modified pattern bitmap) is generated for use by the electron beam lithography system.

摘要翻译： 本公开提供了通过电子束光刻系统增加晶片生产量的抖动方法。 抖动方法从顶点图生成边缘图。 顶点图是从集成电路设计布局（如原始图案位图）生成的。 也从集成电路设计布局生成灰色地图（也称为图案灰度图）。 通过将边缘图与灰度图组合，生成修改后的集成电路设计布局（修改图案位图），供电子束光刻系统使用。

公开(公告)号：US08512919B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US13650618

申请日：2012-10-12

申请人： D2S, Inc.

发明人： Akira Fujimura ,  Lance Glasser

IPC分类号： G03F1/20 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/144 ,  G03F1/20 ,  G03F1/78 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/2063 ,  G03F7/70441 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5081 ,  G06F2217/12 ,  H01J37/3174 ,  Y02P90/265 ,  Y10S430/143 ,  Y10T428/24479

摘要： A surface manufactured using variable shaped beam (VSB) shots is disclosed, where either: 1) the left edge of a first VSB shot intersects the top edge of a second VSB shot, and the bottom edge of the first VSB shot intersects the right edge of the second VSB shot; or 2) the left edge of the first VSB shot intersects the bottom edge of a second VSB shot, and the top edge of the first VSB shot intersects the right edge of the second VSB shot; and where neither shot crosses a field boundary of the VSB charged particle beam writer.

摘要翻译： 公开了使用可变形波束（VSB）射击制造的表面，其中：1）第一VSB射击的左边缘与第二VSB射击的顶部边缘相交，并且第一VSB射击的底部边缘与右边缘相交 的第二个VSB射击; 或者2）第一VSB镜头的左边缘与第二VSB镜头的底边相交，并且第一VSB镜头的顶边与第二VSB镜头的右边缘相交; 并且两者都没有穿过VSB带电粒子束写入器的场边界。

公开(公告)号：US08501374B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US13723329

申请日：2012-12-21

申请人： Akira Fujimura ,  Michael Tucker

发明人： Akira Fujimura ,  Michael Tucker

IPC分类号： G03F1/20 ,  G03F9/00

CPC分类号： G06F17/5081 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/36 ,  G03F1/68 ,  G03F1/70 ,  G03F1/78 ,  G03F7/2061 ,  G06F17/5045 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  Y10S430/143

摘要： In the field of semiconductor production using shaped charged particle beam lithography, a method and system for fracturing or mask data preparation or proximity effect correction is disclosed, in which a plurality of shaped beam shots is determined which will form a target pattern on a surface, within a predetermined tolerance, where the plurality of shaped beam shots includes a plurality of circular or nearly-circular character projection (CP) shots plus one or more non-circular shot, and where at least two shots in the plurality of circular or nearly-circular shots overlap. Methods for manufacturing a surface and for manufacturing a semiconductor device on a substrate are also disclosed.

摘要翻译： 在使用成形带电粒子束光刻的半导体生产领域中，公开了一种用于压裂或掩模数据准备或接近效应校正的方法和系统，其中确定将在表面上形成目标图案的多个成形射束， 在预定的公差范围内，其中多个成形射束包括多个圆形或近圆形的字符投影（CP）镜头加上一个或多个非圆形镜头，并且其中多个圆形或近似圆形的镜头中的至少两个镜头， 圆形镜头重叠。 还公开了用于制造表面和用于制造衬底上的半导体器件的方法。

公开(公告)号：US08404404B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12860814

申请日：2010-08-20

申请人： Akira Fujimura

发明人： Akira Fujimura

IPC分类号： G03F1/20 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F7/2047 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  H01J37/3174 ,  Y10S430/143

摘要： A character projection charged particle beam writer system is disclosed comprising a variable magnification reduction lens which will allow different shot magnifications on a shot by shot basis. A method for fracturing or mask data preparation or optical proximity correction is also disclosed comprising assigning a magnification to each calculated charged particle beam writer shot. A method for forming a pattern on a surface is also disclosed comprising using a charged particle beam writer system and varying the magnification from shot to shot. A method for manufacturing an integrated circuit using optical lithography is also disclosed, comprising using a charged particle beam writer system to form a pattern on a reticle, and varying the magnification of the charged particle beam writer system from shot to shot.

摘要翻译： 公开了一种字符投影带电粒子束写入器系统，其包括可变放大倍率减小透镜，其可以在逐个镜头的基础上允许不同的镜头放大率。 还公开了一种用于压裂或掩模数据准备或光学邻近校正的方法，包括为每个计算的带电粒子束写入器拍摄分配放大率。 还公开了一种用于在表面上形成图案的方法，包括使用带电粒子束写入器系统并且改变从镜头到镜头的放大率。 还公开了一种使用光刻法制造集成电路的方法，包括使用带电粒子束写入器系统在掩模版上形成图案，并且将带电粒子束写入器系统的放大率从镜头改变为镜头。

公开(公告)号：US08298730B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US13072227

申请日：2011-03-25

申请人： O Seo Park ,  Sun-Oo Kim ,  Klaus Herold

发明人： O Seo Park ,  Sun-Oo Kim ,  Klaus Herold

IPC分类号： G03F1/20

CPC分类号： H01L23/5226 ,  G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor devices, methods of manufacturing thereof, lithography masks, and methods of designing lithography masks are disclosed. In one embodiment, a semiconductor device includes a plurality of first features disposed in a first material layer. At least one second feature is disposed in a second material layer, the at least one second feature being disposed over and coupled to the plurality of first features. The at least one second feature includes at least one void disposed between at least two of the plurality of first features.

摘要翻译： 公开了半导体器件，其制造方法，光刻掩模和设计光刻掩模的方法。 在一个实施例中，半导体器件包括设置在第一材料层中的多个第一特征。 至少一个第二特征被布置在第二材料层中，所述至少一个第二特征被布置在多个第一特征上并耦合到多个第一特征。 至少一个第二特征包括设置在多个第一特征中的至少两个之间的至少一个空隙。

公开(公告)号：US08268515B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US12567515

申请日：2009-09-25

申请人： Osamu Nozawa

发明人： Osamu Nozawa

IPC分类号： G03F1/20

CPC分类号： G03F1/40 ,  G03F1/32 ,  G03F1/38 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80

摘要： A mask blank having, on a light-transmissive substrate, a light-shielding film made of a material mainly containing chromium, and adapted to use a resist film for electron beam writing when forming a transfer pattern in the light-shielding film. In the mask blank, an etching mask film made of a material containing a nitride or oxynitride of silicon is formed on an upper surface of the light-shielding film and a conductive mask film made of a conductive material dry-etchable with a fluorine-based gas and a mixed gas of chlorine and oxygen is formed on an upper surface of the etching mask film.

摘要翻译： 在透光性基板上具有由主要含有铬的材料构成的遮光膜，并且在遮光膜中形成转印图案时适用于电子束写入用的抗蚀剂膜的掩模坯料。 在掩模坯料中，在遮光膜的上表面上形成由包含硅的氮化物或氧氮化物的材料制成的蚀刻掩模膜，以及由导电材料制成的导电掩模膜，该导电掩模膜可用氟基 气体和氯和氧的混合气体形成在蚀刻掩模膜的上表面上。

公开(公告)号：US08263295B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US13161487

申请日：2011-06-15

申请人： Akira Fujimura ,  Lance Glasser

发明人： Akira Fujimura ,  Lance Glasser

IPC分类号： G03F1/20 ,  G03F1/36

CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  G03F1/36 ,  G03F1/78 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265 ,  Y10S430/143

摘要： A method for optical proximity correction (OPC) of a desired pattern for a substrate is disclosed in which a plurality of variable shaped beam (VSB) shots are determined which can form on a surface an OPC-corrected version of the desired substrate pattern. Shots within the plurality of VSB shots are allowed to overlap each other. Dosages of the shots may also be allowed to vary with respect to each other. The union of the plurality of shots may deviate from the OPC-corrected version of the desired pattern for the substrate. In some embodiments, optimization may be used to minimize shot count. In other embodiments, the plurality of shots may be optionally selected from one or more pre-computed VSB shots or groups of VSB shots, that is, glyphs. A method for creating glyphs is also disclosed, in which patterns that would result on a surface from one or a group of VSB shots are pre-calculated.

摘要翻译： 公开了一种用于衬底的期望图案的光学邻近校正（OPC）的方法，其中确定可以在表面上形成所需衬底图案的OPC校正版本的多个可变形波束（VSB）镜头。 在多个VSB拍摄之间的拍摄被允许彼此重叠。 镜头的剂量也可以被允许相对于彼此而变化。 多个镜头的联合可能偏离用于衬底的期望图案的OPC校正版本。 在一些实施例中，可以使用优化来最小化镜头计数。 在其他实施例中，多个镜头可以可选地选自一个或多个预先计算的VSB镜头或VSB镜头组，即字形。 还公开了一种用于创建字形的方法，其中将导致来自一个或一组VSB镜头的表面的图案被预先计算。

公开(公告)号：US08236464B1

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US13071443

申请日：2011-03-24

申请人： Tah-Te Shih

发明人： Tah-Te Shih

IPC分类号： G03F1/20

CPC分类号： G03F1/76 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/42 ,  G03F1/78 ,  G03F7/0002 ,  Y10S430/143

摘要： A method for making a mask, in which, an imprinting lithography process is employed to form a pattern in a first region of a mask substrate, and an E-beam writing process is employed to form another pattern in a second region of the mask substrate. Furthermore, these two patterns may be well stitched through an optical alignment process in an E-beam writing chamber.