公开(公告)号：US09337414B2

公开(公告)日：2016-05-10

申请号：US13803362

申请日：2013-03-14

Applicant: Headway Technologies, Inc.

Inventor： Min Li ,  Ruhang Ding ,  Cherng Chyi Han ,  Jianing Zhou ,  Minghui Yu

IPC: G11B5/33 ,  H01L43/10 ,  H01L43/00 ,  H01L29/82 ,  G11B5/127 ,  H01L29/96 ,  H01L21/8246 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  H01L43/02 ,  G11B5/31 ,  G01R33/09

CPC classification number: H01L43/08 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3912 ,  G11B5/398 ,  G11B5/3983 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: A TMR (tunneling magnetoresistive) read sensor is formed in which a portion of the sensor stack containing the ferromagnetic free layer and the tunneling barrier layer is patterned to define a narrow trackwidth, but a synthetic antiferromagnetic pinning/pinned layer is left substantially unpatterned and extends in substantially as-deposited form beyond the lateral edges bounding the patterned portion. The narrow trackwidth of the patterned portion permits high resolution for densely recorded data. The larger pinning/pinned layer significantly improves magnetic stability and reduces thermal noise, while the method of formation eliminates possible ion beam etch (IBE) or reactive ion etch (RIE) damage to the edges of the pinning/pinned layer.

Abstract translation: 形成TMR（隧道磁阻）读取传感器，其中包含铁磁自由层和隧道势垒层的传感器堆叠的一部分被图案化以限定窄的轨道宽度，但是合成的反铁磁性钉扎/钉扎层基本上未被图案化地延伸 在基本上沉积的形式中超过限定图案化部分的横向边缘。 图案部分的窄轨道宽度允许高密度记录数据的分辨率。 较大的钉扎/钉扎层显着提高了磁稳定性并降低了热噪声，而形成方法消除了对钉扎/钉扎层边缘的可能的离子束蚀刻（IBE）或反应离子蚀刻（RIE）损伤。

公开(公告)号：US20140116984A1

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：US13660183

申请日：2012-10-25

Applicant: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： Ruhang Ding ,  Hui-Chuan Wang ,  Minghui Yu ,  Jianing Zhou ,  Min Li ,  Cherng Chyi Han

IPC: G11B5/84

CPC classification number: G11B5/3116 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/398 ,  H01J37/08 ,  H01L43/12

Abstract: A two part ion beam etch sequence involving low energy (

Abstract translation: 公开了涉及低能量（<300eV）的两部分离子束蚀刻序列，用于在MTJ元件中制造小至20-25nm的自由层宽度（FLW）。 第一蚀刻工艺具有一个或多个低入射角，并考虑去除未覆盖的光致抗蚀剂层的MTJ叠层的70％至100％。 第二蚀刻工艺采用在多个周期期间重复的一个或多个高入射角和扫掠运动。 可以通过在任一蚀刻工艺期间改变入射角来调节侧壁斜率。 FLW比光致抗蚀剂层中的初始临界尺寸小约30nm，同时保持MR比超过60％并且低RA（电阻×面积）值为1.0欧姆-2μm2。

公开(公告)号：US20230258747A1

公开(公告)日：2023-08-17

申请号：US17671413

申请日：2022-02-14

Applicant: Headway Technologies, Inc.

Inventor： Tom Zhong ,  Min Li ,  Ruhang Ding ,  Hiroshi Omine ,  QingJun Qin ,  Richard Zhou ,  Yunqing Cai ,  Yewhee Chye ,  Minghui Yu

IPC: G01R33/09 ,  H01F10/32 ,  G03F7/42 ,  G03F7/16 ,  G03F7/36 ,  B24B37/04

CPC classification number: G01R33/093 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3254 ,  G03F7/427 ,  G03F7/16 ,  G03F7/36 ,  B24B37/042 ,  B24B37/048

Abstract: A composite hard mask is disclosed. In some embodiments, a first sacrificial hard mask layer comprising an amorphous carbon or silicon nitride and a second sacrificial hard mask layer comprising a silicon nitride, silicon oxide, metal, metal oxide, or metal nitride, wherein the first and second sacrificial hard mask layers are not made of the same material.

公开(公告)号：US08865008B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13660183

申请日：2012-10-25

Applicant: Headway Technologies, Inc.

Inventor： Ruhang Ding ,  Hui-Chuan Wang ,  Minghui Yu ,  Jianing Zhou ,  Min Li ,  Cherng Chyi Han

IPC: B44C1/22 ,  H01J37/08 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3116 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/398 ,  H01J37/08 ,  H01L43/12

Abstract: A two part ion beam etch sequence involving low energy (

Abstract translation: 公开了涉及低能量（<300eV）的两部分离子束蚀刻序列，用于在MTJ元件中制造小至20-25nm的自由层宽度（FLW）。 第一蚀刻工艺具有一个或多个低入射角，并考虑去除未覆盖的光致抗蚀剂层的MTJ叠层的70％至100％。 第二蚀刻工艺采用在多个周期期间重复的一个或多个高入射角和扫掠运动。 可以通过在任一蚀刻工艺期间改变入射角来调节侧壁斜率。 FLW比光致抗蚀剂层中的初始临界尺寸小约30nm，同时保持MR比超过60％并且低RA（电阻×面积）值为1.0欧姆-2μm2。

公开(公告)号：US20140264665A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US13803362

申请日：2013-03-14

Applicant: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： Min Li ,  Ruhang Ding ,  Cherng Chyi Han ,  Jianing Zhou ,  Minghui Yu

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3912 ,  G11B5/398 ,  G11B5/3983 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: A TMR (tunneling magnetoresistive) read sensor is formed in which a portion of the sensor stack containing the ferromagnetic free layer and the tunneling barrier layer is patterned to define a narrow trackwidth, but a synthetic antiferromagnetic pinning/pinned layer is left substantially unpatterned and extends in substantially as-deposited form beyond the lateral edges bounding the patterned portion. The narrow trackwidth of the patterned portion permits high resolution for densely recorded data. The larger pinning/pinned layer significantly improves magnetic stability and reduces thermal noise, while the method of formation eliminates possible ion beam etch (IBE) or reactive ion etch (RIE) damage to the edges of the pinning/pinned layer.

Abstract translation: 形成TMR（隧道磁阻）读取传感器，其中包含铁磁自由层和隧道势垒层的传感器堆叠的一部分被图案化以限定窄的轨道宽度，但是合成的反铁磁性钉扎/钉扎层基本上未被图案化地延伸 在基本上沉积的形式中超过限定图案化部分的横向边缘。 图案部分的窄轨道宽度允许高密度记录数据的分辨率。 较大的钉扎/钉扎层显着提高了磁稳定性并降低了热噪声，而形成方法消除了对钉扎/钉扎层边缘的可能的离子束蚀刻（IBE）或反应离子蚀刻（RIE）损伤。