公开(公告)号：US08710632B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US13606007

申请日：2012-09-07

申请人： Tien-Wei Yu ,  Chin-Cheng Chien ,  I-Ming Lai ,  Shin-Chi Chen ,  Chih-Yueh Li ,  Fong-Lung Chuang ,  Chin-I Liao ,  Kuan-Yu Lin

发明人： Tien-Wei Yu ,  Chin-Cheng Chien ,  I-Ming Lai ,  Shin-Chi Chen ,  Chih-Yueh Li ,  Fong-Lung Chuang ,  Chin-I Liao ,  Kuan-Yu Lin

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02639 ,  C30B25/165 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A method for fabricating a compound semiconductor epitaxial structure includes the following steps. Firstly, a first compound epitaxial layer is formed on a substrate. Then, a continuous epitaxial deposition process is performed to form a second compound epitaxial layer on the first compound epitaxial layer, so that the second compound epitaxial layer has a linearly-decreased concentration gradient of metal. Afterwards, a semiconductor material layer is formed on the second compound epitaxial layer.

摘要翻译： 一种制备化合物半导体外延结构的方法包括以下步骤。 首先，在基板上形成第一复合外延层。 然后，进行连续的外延沉积工艺以在第一复合外延层上形成第二化合物外延层，使得第二化合物外延层具有线性降低的金属浓度梯度。 之后，在第二复合外延层上形成半导体材料层。

公开(公告)号：US20140070377A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：US13606007

申请日：2012-09-07

申请人： Tien-Wei YU ,  Chin-Cheng CHIEN ,  I-Ming LAI ,  Shin-Chi CHEN ,  Chih-Yueh LI ,  Fong-Lung CHUANG ,  Chin-I LIAO ,  Kuan-Yu LIN

发明人： Tien-Wei YU ,  Chin-Cheng CHIEN ,  I-Ming LAI ,  Shin-Chi CHEN ,  Chih-Yueh LI ,  Fong-Lung CHUANG ,  Chin-I LIAO ,  Kuan-Yu LIN

IPC分类号： C30B25/14 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L21/02639 ,  C30B25/165 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A method for fabricating a compound semiconductor epitaxial structure includes the following steps. Firstly, a first compound epitaxial layer is formed on a substrate. Then, a continuous epitaxial deposition process is performed to form a second compound epitaxial layer on the first compound epitaxial layer, so that the second compound epitaxial layer has a linearly-decreased concentration gradient of metal. Afterwards, a semiconductor material layer is formed on the second compound epitaxial layer.

摘要翻译： 一种制备化合物半导体外延结构的方法包括以下步骤。 首先，在基板上形成第一复合外延层。 然后，进行连续的外延沉积工艺以在第一复合外延层上形成第二化合物外延层，使得第二化合物外延层具有线性降低的金属浓度梯度。 之后，在第二复合外延层上形成半导体材料层。