公开(公告)号：CN118835310A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410887936.4

申请日：2024-07-03

申请人： 上海大学

发明人： 徐甲强 ,  胡庆敏 ,  高天歌

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/16

摘要： 本发明公开了一种特定晶面暴露的晶圆级单晶薄膜的可控制备方法，通过在ALD沉积过程中引入臭氧实现了(002)晶面暴露的晶圆级单晶TiO2薄膜的制备；通过在沉积过程后加入1个循环的ALD Pt与臭氧，在光照条件下的金属载体强相互作用(SMSI)实现了具有(001)晶面暴露的晶圆级TiO2单晶薄膜的可控制备。本发明实现了具有不同晶面暴露的单晶TiO2薄膜的制备。薄膜强度明显提升，相比于传统旋涂工艺，强度提高近100倍，且不同区域一致性好。晶薄膜具有优异的HF和NO传感性能。具有晶面暴露的晶圆级TiO2单晶薄膜在半导体制造领域和高性能催化剂制备方面展现出独特的价值。

公开(公告)号：CN118792735A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410858904.1

申请日：2024-06-28

申请人： 中国地质大学(武汉)

发明人： 戴志高 ,  叶嘉微 ,  李国岗

IPC分类号： C30B29/16 ,  C30B29/64 ,  C30B25/00 ,  G02B1/02

摘要： 本发明涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种三氧化钼二维晶体材料及其制备方法和应用。该材料以经热处理后的C面蓝宝石为生长衬底，通过物理气相沉积的方法成功制备了纯净的生长大面积、超薄二维锥形三氧化钼晶体，且沿C面蓝宝石衬底表面的原子台阶定向排列，其中60％～70％的三氧化钼锥形晶体的(001)晶面与原子台阶方向平行，30％～40％的三氧化钼锥形晶体的(001)晶面与原子台阶方向的夹角为60℃，所述的锥形夹角在15～25°之间。本发明所需原料成本较低，过程操作简单，符合环保要求，而且该材料在中红外光学超透镜成像中的应用前景可观。

公开(公告)号：CN118756330A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410736483.5

申请日：2024-06-07

申请人： 南京大学 ,  江苏集创原子团簇科技研究院有限公司

发明人： 宋凤麒 ,  费付聪 ,  张恒 ,  顾陆薇

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/46 ,  H01B17/56

摘要： 本发明公开了化学气相输运生长新型磁性拓扑绝缘体制备方法及装置。本发明的装置包括单温区管式炉、石英管高温原料端、石英管低温生长端、温度监测部件、温度控制部件；石英管高温原料端和石英管低温生长端处于单温区管式炉内，温度监测部件与所述温度控制部件分别于石英管低温生长端相接，用于控制石英管低温生长端的温度波动。本发明将原料单质锰、单质铋、单质碲和碘加入到真空状态下封闭石英管，匀速升温石英管低温生长端3的温度至所需要温度，运行程序在设定温度保持7天，得到相应的化学气相输运生长本征磁性拓扑绝缘体。本发明通过精确控制温度实现了本征磁性拓扑绝缘体的晶体生长以及磁性调控。

公开(公告)号：CN118668304A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410787270.5

申请日：2024-06-18

申请人： 西安交通大学

发明人： 张锦英 ,  翟锐

IPC分类号： C30B29/46 ,  C30B29/60 ,  C30B25/00 ,  B01J27/14 ,  B01J35/39 ,  B01J35/40 ,  C07C1/02 ,  C07C11/04

摘要： 本发明公开了一种zig‑zag型线性磷硒晶体、其制备方法及其在光还原二氧化碳中的应用，属于无机纳米材料领域。该晶体呈zig‑zag型线性分子构型，为正交晶型，晶格常数为a=9.927Å，b=3.228Å，c=13.385Å，α=90°，β=90°，γ=90°，硒原子在磷原子的P1位置处部分占据，硒含量约为5.5wt%。其微观结构为无数条极细的一维纳米带沿径向密堆积而形成的一维磷硒柱晶体。本发明首次通过硒气相辅助凝结法诱导磷沿特定晶面的优势生长，能实现一维磷硒新结构的高效率、高产量、低成本简单制备。本发明也首次公开了该zig‑zag型线性磷硒作为光催化剂高效催化二氧化碳还原制乙烯的应用，充分利用了其独特的一维纳米结构和适宜能带特性，有效提高了光生载流子的分离效率，实现了优异的光还原二氧化碳产乙烯性能。

公开(公告)号：CN118653210A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410936819.2

申请日：2024-07-12

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 ,  宁波杭州湾新材料研究院

发明人： 王跃忠 ,  刘陈成 ,  朱彤 ,  李莎莎 ,  杨国永 ,  杨科 ,  褚伍波 ,  江南

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B29/04 ,  C30B25/00

摘要： 本发明公开了一种金刚石吸波材料及其制备方法，该金刚石吸波材料的制备方法，包括将单晶硅片作为基底，对基底表面进行超声清洗、种晶处理；使用MPCVD设备，将CH4和H2作为气体源，将混合气体作为氮源，在基底表面生长金刚石；其中，CH4、H2的流量比例为1:100–5:100；混合气、H2的流量比例为1:100–4:100；混合气体为N2和H2，其中N2在混合气体中的体积含量为0.1‑5％；刻蚀掉基底得到金刚石吸波材料。利用该方法绿色环保的制备金刚石吸波材料，制得的金刚石吸波材料具有较好的吸波导热性能。

公开(公告)号：CN118619330A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410672094.0

申请日：2024-05-28

申请人： 成都大学

发明人： 程银芬 ,  欧建臻 ,  李中 ,  马年忠

IPC分类号： C01G15/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/46 ,  G01N33/00

摘要： 本发明公开了一种厚度可控的超薄二维InxSyOz的制备方法及其在气敏领域的应用。所述制备方法首先以金属铟作为原料，采用液态金属印刷法制备得到二维In2O3薄膜；制备过程中通过控制氧气含量的不同来调控制备的二维In2O3薄膜的厚度；然后将二维In2O3薄膜置于管式炉中，通入氮气完全排出管式炉中空气，接着向管式炉中通入H2S气体，使H2S在氮气中的浓度为50‑300ppm，然后在持续通入H2S的条件下将管式炉加热至200～300℃并保温1‑3小时进行硫化反应，反应结束后自然冷却至室温，得到厚度可控的超薄二维InxSyOz材料。本发明的方法结合液态金属印刷法和硫化处理制备出厚度可控的超薄二维InxSyOz材料，解决了现有技术中本征非层状二维材料制备困难和厚度不可控等技术难题。

公开(公告)号：CN118422163A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410583633.3

申请日：2024-05-11

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 李春晓 ,  宋文涛 ,  吴伟汉 ,  陈科蓓 ,  韩厦 ,  徐科

IPC分类号： C23C16/34 ,  C30B25/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/64 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/02 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种制备单原子层氮化物的方法，包括：提供金属单晶为衬底；选择金属有机物作为蒸发源，使其吸附于所述金属单晶的表面；将所述衬底升温至350℃‑450℃，所述衬底表面的金属有机物分解并发生表面在位化学反应，生成单原子层氮化物。本发明的制备单原子层氮化物的方法，其能够实现单原子层氮化物的可控生长，生长出的单层子层氮化物晶体结晶性好且高度平整，为高集成化的氮化物器件制备奠定了良好的基础。

公开(公告)号：CN114974471B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202210519106.7

申请日：2022-05-13

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 朱嘉琦 ,  郝晓斌 ,  代兵 ,  李一村 ,  刘雪冬

IPC分类号： G16C60/00 ,  C23C16/27 ,  C23C16/50 ,  C30B25/00 ,  C30B29/04 ,  G06F30/27 ,  G06N3/048 ,  G06N3/08

摘要： 一种MPCVD金刚石生长设备的优化方法，本发明是为了解决现有MPCVD设备设计过程中，仅依靠有限元仿真难以实现设备高效设计的问题。优化方法：一、建立MPCVD设备仿真计算几何模型；二、利用多物理场仿真软件计算下腔体半径r1和上腔体高度h2与目标函数值M的相关性最大；三、建立前馈神经网络，以下腔体半径r1和上腔体高度h2作为输入数据，输出层为预测值M*进行训练；四、采用训练后的人工神经网络对目标函数进行预测，当预测值M*取最大值时，下腔体半径r1和上腔体高度h2的取值作为金刚石生长设备的优化尺寸。本发明基于人工神经网络优化MPCVD设备的尺寸，能够对不同几何参数下的微波谐振效果进行快速预测。

公开(公告)号：CN118147741A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202211562384.7

申请日：2022-12-07

申请人： 河南宝晶新材料科技有限公司

发明人： 邵增明 ,  张存升

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/04 ,  C30B28/14

摘要： 本发明属于钻石培育领域，具体的说是一种钻石培育合成温控装置，包括培育箱；所述培育箱的内部插接有密封板；所述培育箱内壁的顶面固接有电推缸；通过设置的下模放置打磨后的钻石晶种，密封板和两组二号封堵板将培育箱封堵，以上模将下模覆盖，抽取专用的碳氢和甲烷气体从弹性泵管输入上模内部，利用导流通道流动，将气体和加热器产生的热能均匀分布在晶种的周围，随着晶种培育周期的增加，利用多组铂铑热电偶对晶种周围监测，当单组铂铑热电偶处温度出现偏差时，电热圈局部产生热能补温，降低晶种出现发裂的情况，利用封闭盒固定在下模周围，与上模配合减少晶种培育的空间，充分提高气体和热能的分布，进一步提高晶种的培育效果。

公开(公告)号：CN118087033A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410308723.1

申请日：2024-03-18

申请人： 厦门福纳新材料科技有限公司

发明人： 雷斌 ,  朱常锋 ,  廖炳文 ,  高鹏举 ,  李新德 ,  梁业明

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/36

摘要： 本发明涉及一种物理气相传输法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置，在碳源料仓内放置碳源，在硅源料仓内放置硅源，在长晶室内安装籽晶，加热碳源料仓使碳源升华产生气态单质碳，将气态单质碳传输至硅源料仓内与硅源料仓内的硅源反应生成碳化硅原料气，而后将碳化硅原料气传输至长晶室进行长晶。本发明的制备方法能够将充足的气态单质碳输送至硅源料仓，同时还能及时将硅源料仓中生成的碳化硅原料气传送至长晶室，硅源料仓中始终保持充足的硅源，使得硅源料仓中的原料始终保持相同的碳化程度，从而使硅源料仓和长晶室中的气相组分保持均匀性，提高碳源和硅源的反应速率和利用率，最终得到高品质的碳化硅晶体。