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公开(公告)号：CN117822107A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410245701.5
申请日：2024-03-05
Applicant: 南京大学 , 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及拓扑绝缘体薄膜领域，具体涉及一种化学气相沉积法生成拓扑绝缘体薄膜的方法及设备。所述设备包括外管和内管，所述外管两端分别设有阀门；所述外管左端为抽真空口，并连接真空泵，所述外管右端为辅助气体进气口，以通入辅助气体；所述内管置于外管内，内管左端部设置拓扑绝缘体单晶，右端部相对设置衬底。本发明通过在升温、降温时，通入辅助气体，带走拓扑绝缘体单晶在此过程中挥发的气体，使得薄膜只在温度稳定时进行生长，使得薄膜成分均匀，满足拓扑绝缘体这一特殊材料的需求。
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公开(公告)号：CN118756330A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410736483.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 南京大学 , 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了化学气相输运生长新型磁性拓扑绝缘体制备方法及装置。本发明的装置包括单温区管式炉、石英管高温原料端、石英管低温生长端、温度监测部件、温度控制部件；石英管高温原料端和石英管低温生长端处于单温区管式炉内，温度监测部件与所述温度控制部件分别于石英管低温生长端相接，用于控制石英管低温生长端的温度波动。本发明将原料单质锰、单质铋、单质碲和碘加入到真空状态下封闭石英管，匀速升温石英管低温生长端3的温度至所需要温度，运行程序在设定温度保持7天，得到相应的化学气相输运生长本征磁性拓扑绝缘体。本发明通过精确控制温度实现了本征磁性拓扑绝缘体的晶体生长以及磁性调控。
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公开(公告)号：CN117822107B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410245701.5
申请日：2024-03-05
Applicant: 南京大学 , 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及拓扑绝缘体薄膜领域，具体涉及一种化学气相沉积法生成拓扑绝缘体薄膜的方法及设备。所述设备包括外管和内管，所述外管两端分别设有阀门；所述外管左端为抽真空口，并连接真空泵，所述外管右端为辅助气体进气口，以通入辅助气体；所述内管置于外管内，内管左端部设置拓扑绝缘体单晶，右端部相对设置衬底。本发明通过在升温、降温时，通入辅助气体，带走拓扑绝缘体单晶在此过程中挥发的气体，使得薄膜只在温度稳定时进行生长，使得薄膜成分均匀，满足拓扑绝缘体这一特殊材料的需求。
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公开(公告)号：CN109881254A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910131441.8
申请日：2019-02-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种通过多次溶剂热生长控制拓扑绝缘体纳米片尺寸的方法，第一步，通过传统的溶剂热法合成直径约为500±200纳米左右的六角形Bi2Te3纳米片。第二步，将第一步合成的产物投入前驱液，进行第二次溶剂热合成；或再将第二步合成的产物投入前驱液，进行第三次溶剂热合成。通过生长次数的变化，有效对拓扑绝缘体纳米片尺寸进行控制。第一步生长使用预先配制的前驱液作为反应原料，其中含有产物所需的化学元素及适当的表面活性剂；第二步使用前驱液与第一步溶剂热合成的产物混合，作为第二步反应原料；后续步骤则重复使用前驱液与前一步的合成产物混合，作为反应原料进行溶剂热合成。
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