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公开(公告)号：CN115376908B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202211034622.7
申请日：2022-08-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/28 , C09K13/00 , H10H20/01 , H10H20/831
Abstract: 本发明公开了一种GaN衬底的刻蚀方法，包括：在GaN衬底的顶面上形成第一掩膜层；在第一掩膜层的表面制作图案化的光刻胶层；刻蚀步骤，利用刻蚀气体连续刻蚀第一掩膜层和GaN衬底，以在GaN衬底形成由刻蚀沟槽相互隔离的多个微结构，微结构具有设定的侧壁倾角；其中，刻蚀气体包括氯基气体、含溴元素的气体以及含硼气体。本发明能够实现避免干法刻蚀高角度GaN微结构产生的微沟槽效应。
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公开(公告)号：CN118652696B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411070716.9
申请日：2024-08-06
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: G03F7/32 , C09K23/42 , C09K13/00 , H01L21/027
Abstract: 本申请涉及一种表面活性剂、显影液及其应用和制备方法，其中表面活性剂包括：10份至500份的聚氧乙烯油醚、1份至100份的仲醇聚氧乙烯醚。本申请的有益效果在于提供了一种既能改善显影液的浸润性能又能有效抑制气泡产生的表面活性剂、显影液及其应用和制备方法。
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公开(公告)号：CN119116397A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411320914.6
申请日：2024-09-23
Applicant: 飞博瑞光子(苏州)高科技有限公司
Abstract: 本发明属于聚酰亚胺膜制备领域，具体涉及一种聚酰亚胺膜表面形貌及粗糙度的控制方法。聚酰亚胺膜所需聚酰胺酸由等当量的二酐单体和二胺单体，按固含量20％的配比加入非质子极性溶剂，并在干燥氮气的保护下，完成合成；用所得聚酰胺酸在载体上涂成聚酰胺酸膜，在250℃至280℃下完成热酰亚胺化并得到初级聚酰亚胺膜；初级聚酰亚胺膜，通过非质子极性溶剂槽后直接进入温度控制在300‑400℃的高温炉完成溶剂的挥发，并完成聚酰亚胺膜的制备。本发明在聚酰胺酸成膜热酰亚胺化的过程中，用不同的非质子极性溶剂刻蚀聚酰亚胺的表面，并通过温度的改变来控制溶剂的挥发速率并形成聚酰亚胺的表面有序微结构以增加其表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN118755476A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410733841.7
申请日：2024-06-07
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种显示面板bottom‑ITO蚀刻液、其制备方法及应用，所述显示面板bottom‑ITO蚀刻液包括重量配比如下的各组分：两种或两种以上有机羧酸的混合物2‑10份；含氨基的芳烃化合物1‑5份；含羧基的芳烃化合物0.5‑3份；添加剂1‑5份；超纯水30‑50份；添加剂为含有羟基的苯酚类化合物。本发明还公开了显示面板bottom‑ITO蚀刻液的制备方法。本发明显示面板bottom‑ITO蚀刻液能避免SnO2颗粒残留和Ag析出，对于ITO有稳定的刻蚀速率，对于绝缘层与光刻胶均无损伤，可在OLED像素电极制造过程中使用，尤其适用于ITO/Ag/ITO三步刻蚀中的bottom‑ITO层蚀刻。
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公开(公告)号：CN118685773A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410334456.5
申请日：2024-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 蚀刻组合物可包括氧化剂、铵盐、水性溶剂和促进剂，所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，所述促进剂包括第一促进剂和第二促进剂，所述第一促进剂和所述第二促进剂彼此不同，并且所述第一促进剂和所述第二促进剂各自包括由下式A表示的基团、由下式B表示的基团和由下式C表示的基团的至少一个，其中Y1、T1、T1a和A1如本说明书中所定义的。可使用该蚀刻组合物进行蚀刻含金属的膜的方法，并且可使用该蚀刻组合物进行制造半导体器件的方法。#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118620622A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410651448.3
申请日：2024-05-23
Applicant: 环晟光伏(江苏)有限公司
IPC: C09K13/00 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供了一种光诱导氮化硅腐蚀浆料及其制备方法、应用、氮化硅开槽方法，涉及太阳能电池制造的技术领域，该腐蚀浆料包括按质量份数计的以下组分：氮化硅腐蚀剂2‑10份、硅粉20‑70份、金属5‑20份，以及有机溶剂8‑20份；其中，氮化硅腐蚀剂包括以下组分：SiO210％‑20％、Bi2O35％‑25％、ZnO 1％‑10％、PbO 5％‑30％、Al2O31％‑10％，以及TeO23％‑30％；金属包括银、镍和钛中的至少一种。本发明解决了现有的电池片电镀工艺在氮化硅开槽时，精度差、能耗高以及Uoc损失大的技术问题，达到了显著提高氮化硅开槽精度、有效减少Uoc损失以及节能减排的技术效果。
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公开(公告)号：CN118580859A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410683562.4
申请日：2024-05-30
Applicant: 江苏晶久微电子材料有限公司
Abstract: 本发明一种用于IGZO导电薄膜的蚀刻液添加剂，包括以下组分：PH调节剂、复合表面活性剂、超纯水。一种用于IGZO导电薄膜的蚀刻液，包括添加剂和基础液，基础液包括草酸和水。一种用于IGZO导电薄膜的蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：将超纯水、PH调节剂、复合表面活性剂搅拌得到添加剂；将添加剂按照一定比例添加至IGZO基础液中，搅拌过滤得到IGZO蚀刻液。本发明的添加剂能够降低液体表面的张力，螯合剂与金属层表面形成一层保护膜，防止导电杂质渗入至IGZO体系中，提升了IGZO‑TFT器件的稳定性。同时本发明的IGZO蚀刻液的制备方法，通过强酸性离子交换树脂降低了IGZO蚀刻液中的杂质金属离子浓度。
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公开(公告)号：CN118255779B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410686726.9
申请日：2024-05-30
Applicant: 浙江奥首材料科技有限公司
IPC: C07D493/04 , C07C211/63 , C07C209/00 , C09K13/00 , H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及一种异山梨醇基强碱性季铵碱，及包含其的多晶硅蚀刻液、其制备方法及应用。所述多晶硅蚀刻液，组分中包含异山梨醇基强碱性季铵碱，非离子表面活性剂和超纯水。本发明蚀刻液在多叠层蚀刻过程可保证多晶硅蚀刻均一性，与此同时在最佳蚀刻条件下，蚀刻液具有良好的使用寿命与稳定性，可在3D闪存芯片领域应用，用于解决以往蚀刻过程中底部多晶硅蚀刻深度与顶部不一致，蚀刻液浓度受温度影响变大问题。
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公开(公告)号：CN118388386A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410543548.4
申请日：2024-04-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种Gemini型吡咯烷酮表面活性剂及其制备方法和在制备四甲基氢氧化铵硅蚀刻液中的应用，属于表面活性剂和蚀刻液技术领域。Gemini型吡咯烷酮表面活性剂与传统的单体表面活性剂相比，有着反应产率较高和临界胶束浓度较低等特点，将其与四甲基氢氧化铵水溶液复配得到硅蚀刻液，具有表面张力低、润湿能力强、杂质金属离子含量少、有效控制氢气气泡、改善硅片表面粗糙度、蚀刻效果优异的特点，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN115074131B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210252495.1
申请日：2022-03-11
Applicant: 李长荣化学工业股份有限公司
IPC: H01L21/336 , C09K13/00 , H01L29/78 , C30B33/10
Abstract: 本公开提供一种蚀刻剂的组合物、使用其的半导体装置的形成方法、以及半导体装置，该组合物包括约0.1～13wt％的四级铵盐以及约45～90wt％的极性非质子溶剂。
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