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公开(公告)号：CN118980190A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411089707.4
申请日：2024-08-09
申请人： 南京航空航天大学
摘要： 本发明公开了一种结构着色的光子晶体辐射制冷器件及其制备方法，该器件包括位于顶部的双层微圆台三维光栅和位于底部的多层膜结构，其中，上下两层的微圆台三维光栅母线分别与底面的夹角为不同角度，底部多层膜结构自下而上包括金属层、电介质层和基片。其制法为：在基片上旋涂一层光刻胶、前烘，在掩模版下进行接触式曝光、后烘，在溶液中显影，得到表面构筑有微光栅互补结构的基片，在其表面蒸镀一层MgF2，得到表面沉积有MgF2微结构的基片，接着进行表面SiO2的沉积和底部电介质层沉积，最后进行金属层的沉积。本发明的角度组合可使两种微结构角度的发射率波峰波谷相互中和，实现宽光谱红外辐射调控效果；在不同光线环境下均具有良好的彩色效果；平均反射率和红外波段的平均发射率均为0.9以上，实现比环境温度平均下降6.1～7.7℃。
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公开(公告)号：CN118954425A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411318882.6
申请日：2024-09-21
申请人： 安徽北方微电子研究院集团有限公司
摘要： 本发明提供一种MEMS压力芯片的制备方法，其特征在于：它包括在第一SOI晶圆上制备氧化硅图形层、将第一二SOI晶圆键合在一起，在第一SOI晶圆上设置上氧化层、压敏电阻、引线和第二腔体，在第二SOI晶圆上设有下氧化层、槽体和腔体。本发明提供的制备方案，使得MEMS压力芯片背面岛结构的尺寸可以比常规工艺减小很多倍，芯片尺寸也可以大幅缩小，同时该制备工艺还可以形成常规工艺难以形成的各种形状的梁和岛结构，结构的大小和厚度可以自由设计，实现了设计自由度最大化。
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公开(公告)号：CN118954418A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411049351.1
申请日：2024-08-01
申请人： 北京理工大学重庆微电子研究院
摘要： 本发明公开了一种CMOS‑MEMS集成电热微镜及制备方法，属于微机电系统领域。在硅晶圆上设置读出/控制电路，其介质层上设置光学吸收层或电容位置检测电路下电极，功能层上设置导电支撑结构与顶层金属通过金属钨塞连接，在导电支撑结构上设置电热微镜。电热微镜有同层和双层两种结构。而电热微镜的镜面结构间设置连续的缝隙或不连续的孔。该集成电热微镜通过在硅晶圆上制备读出/控制电路，其上依次沉积功能层、牺牲层、导电支撑结构和光学微镜，最后去除牺牲层得到。本发明通过结构设计和调控驱动结构的应力，可实现电热微镜释放后的初始位置控制；所设计的多种功能可以集成到同一层拓展功能层的层结构中，该拓展功能层可以提高电热微镜的功能集成度。
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公开(公告)号：CN118943081A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411259989.8
申请日：2024-09-10
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
发明人： 许杨
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/308 , H01L23/48 , B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种T型通孔结构及其制造方法，包括步骤一：在基板的第一表面上刻蚀形成沟槽，所述沟槽的底部停止于所述基板内；步骤二：在所述沟槽的底部和侧壁表面形成阻挡层；步骤三：刻蚀去除位于所述沟槽底部的部分阻挡层，以暴露所述沟槽底部的一部分；步骤四：沿着所述沟槽底部暴露的一部分进行二次刻蚀，直至所述基板的第二表面，去除其余阻挡层，形成T型通孔结构。通过上述方式，本发明采用单面刻蚀工艺使用一层掩膜达到了双面刻蚀工艺使用两层掩膜相同的技术效果，优化了工艺流程。
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公开(公告)号：CN118936643A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410938961.0
申请日：2024-07-12
申请人： 北京信息科技大学
IPC分类号： G01J5/20 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01N21/3504
摘要： 本申请公开一种连续可调窄带红外辐射源及其制备方法与应用，包括：基板；加热电极，位于所述基板表面；绝缘绝热薄膜，位于所述加热电极远离所述基板的表面；超材料，所述超材料包括金属背板、超表面层和介质；所述金属背板位于所述绝缘绝热薄膜的远离所述基板的表面；以及执行器，包括执行器基底、驱动下极板、执行器层；其中，所述超表面与所述金属背板之间的距离能够被调节，从而调节发射的红外辐射峰的波长。采用MEMS压电执行器作为超表面的载体，通过改变执行器位移进而改变超材料结构参数进而达到调节中心波长的目的，而无需外部电路控制或者更换辐射源操作。
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公开(公告)号：CN118929562A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310538233.6
申请日：2023-05-12
申请人： 润芯感知科技(南昌)有限公司 , 华润微电子控股有限公司
摘要： 一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成敏感材料层；在敏感材料层上形成第一牺牲层和环绕所述第一牺牲层的第一边墙层，所述第一边墙层具有第一宽度；在所述第一牺牲层和所述第一边墙层上方形成第二牺牲层和包围所述第二牺牲层的第二边墙层，所述第二边墙层连接所述第一边墙层，所述第二边墙层具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度；在所述第二边墙层中形成连接所述第二牺牲层的释放孔；通过所述释放孔去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，以在所述第一边墙层和所述第二边墙层中形成空腔结构。本发明能够降低敏感材料层与边墙层之间的界面层的腐蚀速度，避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。
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公开(公告)号：CN118929561A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310535678.9
申请日：2023-05-12
申请人： 润芯感知科技(南昌)有限公司 , 华润微电子控股有限公司
摘要： 一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成敏感材料层；在所述敏感材料层上形成牺牲层，所述牺牲层中形成有贯穿所述牺牲层的沟槽，所述沟槽用于定义空腔结构的边界；刻蚀所述沟槽底部露出的所述敏感材料层，以在所述敏感材料层的表面形成凹陷部；形成填充所述沟槽、并且覆盖所述牺牲层表面的边墙层；在所述边墙层中形成连接所述牺牲层的释放孔；通过所述释放孔去除被所述边墙层所包围的牺牲层，以在所述边墙层中形成空腔结构。本发明能够降低敏感材料层与边墙层之间的界面层的腐蚀速度，避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。
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公开(公告)号：CN118929559A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410564621.6
申请日：2024-05-08
申请人： 恩智浦美国有限公司
发明人： 柳连俊 , 约翰·斯莱顿·麦基洛普
摘要： 描述一种用于制造高纵横比MEMS传感器装置的方法和设备，所述高纵横比MEMS传感器装置具有形成于多层半导体结构中的惯性变换器元件，其中第一惯性变换器元件包括彼此分离开空气感测间隙的第一单晶半导体检验质量块元件和第二导电电极元件，并且其中至少所述第一单晶半导体检验质量块元件的第一感测间隙表面是已被选择性地蚀刻以减小所述第一单晶半导体检验质量块元件与所述第二导电电极元件之间的静摩擦的第一粗糙表面。
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