公开(公告)号：CN1009600B

公开(公告)日：1990-09-12

申请号：CN87107677

申请日：1987-11-03

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 吴彬中 ,  马克·A·霍勒 ,  恩德·霍克莱克 ,  桑德拉·S·李

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/265 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/66598 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7836 ,  Y10S148/053 ,  Y10S148/082 ,  Y10S148/106 ,  Y10S438/965

Abstract: 本发明叙述了一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，其中的源和漏区的配置是通过基本上垂直于衬底表面的离子注入方式分两个步骤实现的，使得杂质的浓度随着远离电极元件的横向距离而增加，以便抑制热电子注入，防止沟道效应，增加穿通电压以及增加对栅有利的击穿电压。

公开(公告)号：CN1007476B

公开(公告)日：1990-04-04

申请号：CN85108372

申请日：1985-11-01

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 罗伯特R·道尔林 ,  迈克尔P·德奈 ,  格雷戈里J·阿姆斯特朗

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/823892 ,  H01L27/0928 ,  Y10S148/082 ,  Y10S148/14

Abstract: 一种利用最少数量光掩膜板的双阱互补型金属氧化物半导体工艺来制造诸如动态读写存贮器等的半导体器件。在氮化物构成的凹口里形成场氧化物隔离区，因而提供一个比较平坦的表面，并且使产生的侵蚀最少。用硅化、离子注入、源极/漏极区、对栅的自对准、在侧壁氧化层安置好后使用一种注入物、提供轻掺杂的漏极来构成P沟和N沟晶体管。P沟和N沟晶体管的阈值电压是通过区槽注入，而不是通过对于阈值电压调整的分离离子注入步骤来建立的。

公开(公告)号：CN87107677A

公开(公告)日：1988-06-22

申请号：CN87107677

申请日：1987-11-03

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 吴彬中 ,  马克·A·霍勒 ,  恩德·霍克莱克 ,  桑德拉·S·李

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/66598 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7836 ,  Y10S148/053 ,  Y10S148/082 ,  Y10S148/106 ,  Y10S438/965

Abstract: 本发明叙述了一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，其中的源和漏区的配置是通过基本上垂直于衬底表面的离子注入方式分两个步骤实现的，使得杂质的浓度随着远离电极元件的横向距离而增加，以便抑制热电子注入，防止沟道效应，增加穿通电压以及增加对栅有利的击穿电压。

公开(公告)号：CN85108372A

公开(公告)日：1986-09-24

申请号：CN85108372

申请日：1985-11-01

Applicant: 得克萨斯仪器公司

Inventor： 罗伯特R·通尔林 ,  迈克尔P·德奎 ,  格雷戈里J·阿姆斯特朗

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L21/72 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/823892 ,  H01L27/0928 ,  Y10S148/082 ,  Y10S148/14

Abstract: 一种利用最少数量光掩膜板的双阱互补型金属氧化物半导体工艺来制造诸如动态读写存贮器等的半导体器件。在氮化物构成的凹口里形成场氧化物隔离区，因而提供一个比较平坦的表面，并且使产生的侵蚀最少。用硅化、离子注入，源极/漏极区、对栅的自对准、在侧壁氧化层安置好后使用一种注入物、提供轻掺杂的漏极来构成P沟和N沟晶体管。P沟和N沟晶体管的阈值电压是通过区槽注入，而不是通过对于阈值电压调整的分离离子注入步骤来建立的。