公开(公告)号：CN87107677A

公开(公告)日：1988-06-22

申请号：CN87107677

申请日：1987-11-03

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 吴彬中 ,  马克·A·霍勒 ,  恩德·霍克莱克 ,  桑德拉·S·李

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/66598 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7836 ,  Y10S148/053 ,  Y10S148/082 ,  Y10S148/106 ,  Y10S438/965

Abstract: 本发明叙述了一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，其中的源和漏区的配置是通过基本上垂直于衬底表面的离子注入方式分两个步骤实现的，使得杂质的浓度随着远离电极元件的横向距离而增加，以便抑制热电子注入，防止沟道效应，增加穿通电压以及增加对栅有利的击穿电压。

公开(公告)号：CN1009600B

公开(公告)日：1990-09-12

申请号：CN87107677

申请日：1987-11-03

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 吴彬中 ,  马克·A·霍勒 ,  恩德·霍克莱克 ,  桑德拉·S·李

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/265 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/66598 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7836 ,  Y10S148/053 ,  Y10S148/082 ,  Y10S148/106 ,  Y10S438/965

Abstract: 本发明叙述了一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，其中的源和漏区的配置是通过基本上垂直于衬底表面的离子注入方式分两个步骤实现的，使得杂质的浓度随着远离电极元件的横向距离而增加，以便抑制热电子注入，防止沟道效应，增加穿通电压以及增加对栅有利的击穿电压。