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公开(公告)号：CN1299472A
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：CN99805915.3
申请日：1999-04-08
Applicant: 科英应用技术公司
IPC: G02F1/03
CPC classification number: G02F1/055 , G02F1/0555 , G02F1/0556 , G02F2201/17 , G02F2203/06 , G02F2203/48
Abstract: 本发明提供了一种控制透射或反射光强度的光调制器。在透射模式中,分束器把任意偏振光分成两个偏振光束,并且使其中一束与另一束从不同单独的路径传输。复合器致使两光束在输出端复合,除非电光相位延迟器改变两束光的偏振,在这种情况下,错过输出端的光量是延迟器上电压的函数。通过改变复合器的取向得到低偏振模式散射的常断型调制器。通过被动的偏振方向旋转得到低偏振模式的常合型调制器。在反射模式中输入和输出处于调制器的同一侧的地方可以得到类似地结果。使用GRIN透镜的调制器特别适合于调制光输出或输入光缆。该装置可以做为一个可变光衰减器、光学开关、或高速调制器工作,并且对入射光的偏振态不敏感。对于相位延迟器的优选材料是一种热压陶瓷铅镧锆钛酸盐复合物。
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公开(公告)号：CN100418919C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN01808268.8
申请日：2001-12-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/00
CPC classification number: C04B35/457 , B32B18/00 , B32B38/0004 , B32B38/145 , B32B2311/06 , C04B35/46 , C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/495 , C04B35/6262 , C04B35/62695 , C04B35/6365 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6587 , C04B2235/72 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C04B2237/408 , C04B2237/50 , C04B2237/704 , G02B1/02 , G02B3/0087 , G02B6/12002 , G02B6/132 , G02B2006/121 , G02F1/0018 , G02F1/055 , H01Q15/02 , Y10S264/91
Abstract: 使透光性陶瓷用陶瓷原料粉末和粘结剂一起成形，将所得成形体埋入与上述陶瓷原料粉末组成相同的陶瓷粉末中，以此状态除去粘结剂后，在氧浓度高于除粘结剂时的氧浓度的氛围气中进行烧结处理，获得通式I：Ba[(SnuZr1-u)xMgyTaz]vOw、通式II：Ba(ZrxMgyTaz)vOw、通式III：Ba[(SnuZr1-u)x(ZntMg1-t)yNbz]vOw表示的折射率在1.9以上、且显现常介电性的透光性陶瓷。
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公开(公告)号：CN105308496A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201380026516.7
申请日：2013-04-04
Applicant: P·韩
IPC: G02F1/03
CPC classification number: G02F1/055 , B29D11/00932 , G02F1/0027 , G02F1/0136 , G02F1/05 , G02F1/21 , G02F1/3558 , G02F2001/212
Abstract: 本发明涉及电光(E-O)晶体元件、其应用及制造方法。更具体而言，本发明涉及E-O晶体元件(其可以由掺杂的或未掺杂的PMN-PT、PIN-PMN-PT或PZN-PT铁电晶体制造)，该晶体元件显示出超高的线性E-O系数γc(例如横向有效线性E-O系数γTc高于1100pm/V，而纵向有效线性E-O系数γlc至多达到527pm/V)，这使得在多种调变、通讯、激光和工业用途中，得到低于200V的Vlπ和低于大约87V的VTπ的极低的半波电压。
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公开(公告)号：CN1424990A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN01808268.8
申请日：2001-12-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/00
CPC classification number: C04B35/457 , B32B18/00 , B32B38/0004 , B32B38/145 , B32B2311/06 , C04B35/46 , C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/495 , C04B35/6262 , C04B35/62695 , C04B35/6365 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6587 , C04B2235/72 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C04B2237/408 , C04B2237/50 , C04B2237/704 , G02B1/02 , G02B3/0087 , G02B6/12002 , G02B6/132 , G02B2006/121 , G02F1/0018 , G02F1/055 , H01Q15/02 , Y10S264/91
Abstract: 使透光性陶瓷用陶瓷原料粉末和粘结剂一起成形，将所得成形体埋入与上述陶瓷原料粉末组成相同的陶瓷粉末中，以此状态除去粘结剂后，在氧浓度高于除粘结剂时的氧浓度的氛围气中进行烧结处理，获得通式I：Ba[(SnuZr1－u)xMgyTaz]vOw、通式II：Ba(ZrxMgyTaz)vOw、通式III：Ba[(SnuZr1－u)x(ZntMg1－t)yNbz]vOw表示的折射率在1.9以上、且显现常介电性的透光性陶瓷。
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公开(公告)号：CN105954892A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610490158.0
申请日：2016-06-28
Applicant: 东南大学
CPC classification number: G02F1/0316 , G02F1/035 , G02F1/055
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI的Si‑PLZT异质结结构的混合型电光环形调制器，包括硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导，硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导相耦合，硅矩形平板直波导作为该混合型电光环形调制器的直通端，硅矩形平板环形波导作为该混合型电光环形调制器的谐振环；硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导通过一个PLZT矩形通道完全包覆住，形成Si‑PLZT混合型结构；在环形波导部分的内外两侧设置有一对半包裹型的弯曲共面行波电极对，通过弯曲共面行波电极对该混合型电光环形调制器进行加电调制，使PLZT矩形通道的折射率发生变化。本发明具有调制灵敏度高、器件尺寸小、可靠性好以及调制带宽大等特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100541265C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710146552.3
申请日：2007-08-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/29 , G02F1/055 , H04N9/3129
Abstract: 本发明提供一种扫描式光学装置，可以充分得到偏角，在不使射出的激光受到影响的状况下扫描激光，能够在因某些原因使扫描部停止时防止激光持续照射装置外部的一点。其特征为，具备：光源装置(11)，射出激光；电光元件(12)，通过相应于施加电压的大小使折射率分布产生变化，来扫描从光源装置(11)射出的激光；和遮光部件(13)，配置于电压不施加时从电光元件(12)所射出的激光的光路上的激光扫描范围的端部侧。
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公开(公告)号：CN101131474A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710146552.3
申请日：2007-08-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/29 , G02F1/055 , H04N9/3129
Abstract: 本发明提供一种扫描式光学装置，可以充分得到偏角，在不使射出的激光受到影响的状况下扫描激光，能够在因某些原因使扫描部停止时防止激光持续照射装置外部的一点。其特征为，具备：光源装置(11)，射出激光；电光元件(12)，通过相应于施加电压的大小使折射率分布产生变化，来扫描从光源装置(11)射出的激光；和遮光部件(13)，配置于电压不施加时从电光元件(12)所射出的激光的光路上的激光扫描范围的端部侧。
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公开(公告)号：CN107797312A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610809930.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 深圳市光峰光电技术有限公司
IPC: G02F1/055
CPC classification number: G02F1/055 , G02F1/0551 , G02F1/0558
Abstract: 一种陶瓷复合材料，包括陶瓷本体，所述陶瓷本体为铈掺杂石榴石结构发光陶瓷，所述铈作为所述陶瓷复合材料的光学活性中心。所述陶瓷复合材料还包括若干间隔设置且均匀分布的离子注入件，所述离子注入件通过离子注入的方式形成并容纳于所述陶瓷本体中，所述离子注入件中为气孔和/或固体颗粒，所述气孔内含有氢气、氮气或稀有气体中的至少一种，所述固体颗粒为光吸收系数小于0.01cm-1的氧化物颗粒。本发明还公开了该陶瓷复合材料的制备方法以及包含该陶瓷复合材料的波长转换器。本发明的陶瓷复合材料具有较高的光转换效率。
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公开(公告)号：CN1688926A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03824182.X
申请日：2003-01-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G02F1/055 , G02F1/0553 , G02F1/295
Abstract: 在硅单晶基板(21)之上，依次层叠镁氧尖晶石膜(22)、下部电极(23)、下部覆盖层(24)、核心层(25)、上部电极(26)而构成光偏转元件，其中，镁氧尖晶石膜(22)、下部电极(23)、下部覆盖层(24)的PLZT膜、及核心层(25)的PZT膜是相对于各自的下层由外延生长而形成的。相应于在下部电极(23)和上部电极(26)之间施加的电压，形成由光电效应而改变折射率的折射率变化区域(25A、24A)，在与折射率变化区域(25A)的交界处，入射到核心层(25)的光偏转向核心层(25)的面内方向。
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公开(公告)号：CN1283282A
公开(公告)日：2001-02-07
申请号：CN98810677.9
申请日：1998-10-27
Applicant: 光学通信公司
Inventor： 亚历山大·B·罗曼诺夫斯基
IPC: G02F1/03
CPC classification number: G02F1/315 , G02B6/3556 , G02B2006/12145 , G02F1/055 , G02F1/0551 , G02F1/3137 , H04Q11/0003
Abstract: 一种具有许多由电光材料制成的分立的鼓突(16)的光调制或切换阵列(10),其中每个鼓突都是与其它鼓突电光隔离的。鼓突(16)具有定义的顶面(20)、底面(30)、第一和第二侧面(26、28)、正面(26)和背面(28)。还有许多电极(34)与每个鼓突(16)缔合,这些电极可以在电光材料中感生电场,以便独立地调制入射在鼓突(16)的各个面(22、24、26、28、30)上的众多光束。电光材料可以是 PLZT型的,或者是电光晶体、多晶的电光陶瓷、电光半导体、电光玻璃和电光活性聚合物。还揭示了一种电光材料基体(136)型的光调制阵列(10),在基体(136)中镶嵌着许多相邻的电极(134)。这些电极(134)可以在电光材料中感生电场,以便独立地调制入射在电光材料基体(134)上的众多光束。这个基体(134)可以用各种各样的方法构成,包括溶胶一凝胶法。此外,还揭示了一种把调光阵列(10)用于调制入射光束(42)并且把它们分成众多数据信道(94、96)的系统(11)。
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