公开(公告)号：CN105308496A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201380026516.7

申请日：2013-04-04

Applicant: P·韩

Inventor： P·韩 ,  W·严

IPC: G02F1/03

CPC classification number: G02F1/055 ,  B29D11/00932 ,  G02F1/0027 ,  G02F1/0136 ,  G02F1/05 ,  G02F1/21 ,  G02F1/3558 ,  G02F2001/212

Abstract: 本发明涉及电光(E-O)晶体元件、其应用及制造方法。更具体而言，本发明涉及E-O晶体元件(其可以由掺杂的或未掺杂的PMN-PT、PIN-PMN-PT或PZN-PT铁电晶体制造)，该晶体元件显示出超高的线性E-O系数γc(例如横向有效线性E-O系数γTc高于1100pm/V，而纵向有效线性E-O系数γlc至多达到527pm/V)，这使得在多种调变、通讯、激光和工业用途中，得到低于200V的Vlπ和低于大约87V的VTπ的极低的半波电压。