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公开(公告)号：CN100418919C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN01808268.8
申请日：2001-12-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/00
CPC classification number: C04B35/457 , B32B18/00 , B32B38/0004 , B32B38/145 , B32B2311/06 , C04B35/46 , C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/495 , C04B35/6262 , C04B35/62695 , C04B35/6365 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6587 , C04B2235/72 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C04B2237/408 , C04B2237/50 , C04B2237/704 , G02B1/02 , G02B3/0087 , G02B6/12002 , G02B6/132 , G02B2006/121 , G02F1/0018 , G02F1/055 , H01Q15/02 , Y10S264/91
Abstract: 使透光性陶瓷用陶瓷原料粉末和粘结剂一起成形，将所得成形体埋入与上述陶瓷原料粉末组成相同的陶瓷粉末中，以此状态除去粘结剂后，在氧浓度高于除粘结剂时的氧浓度的氛围气中进行烧结处理，获得通式I：Ba[(SnuZr1-u)xMgyTaz]vOw、通式II：Ba(ZrxMgyTaz)vOw、通式III：Ba[(SnuZr1-u)x(ZntMg1-t)yNbz]vOw表示的折射率在1.9以上、且显现常介电性的透光性陶瓷。
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公开(公告)号：CN100386830C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN03801124.7
申请日：2003-07-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 寺浦亮
IPC: H01C7/10 , C04B35/453
CPC classification number: H01C17/06546 , B32B2311/06 , C04B35/453 , C04B35/62625 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B35/6342 , C04B35/63464 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3284 , C04B2235/3289 , C04B2235/44 , C04B2235/442 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/446 , C04B2235/447 , C04B2235/448 , C04B2235/6025 , C04B2235/96 , C04B2237/34 , C04B2237/408 , H01C7/112 , H01C7/18 , Y10T29/49082
Abstract: 当通过向用于ZnO-Pr体系的压敏电阻器材料中添加Co或K来制备陶瓷材料粉末时，碱金属K是以KClO4、KHC4H4O6、K2(PtCl6)或K2[Co(NO2)6]的形式加入的。在该陶瓷材料粉末的湿磨期间，向其中加入了0.1至5.0重量%的多羧酸盐分散剂。因此，可以制备出具有高可靠性、高质量、良好而且几乎不变的压敏电阻器特征例如压敏电阻器电压V1mA和绝缘电阻IR的压敏电阻器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1304323C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410045652.3
申请日：2004-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/495 , B32B18/00 , B32B2311/06 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/6025 , C04B2237/345 , C04B2237/40 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , H01L41/187
Abstract: 一种压电陶瓷组合物，它以包含Sr、Bi、Nb、氧以及单价金属元素的层型铋化合物为基础。所述压电陶瓷组合物的居里点高，在较高温度下很可靠，即能使压电效应的降低很小，它能用作压电陶瓷装置用的材料，它几乎不包含铅或铅化合物。对每摩尔Nb来说，所述层型铋化合物包含不超过约0.125摩尔，且大于0摩尔的单价金属元素。
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公开(公告)号：CN1572751A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410045652.3
申请日：2004-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/495 , B32B18/00 , B32B2311/06 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/6025 , C04B2237/345 , C04B2237/40 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , H01L41/187
Abstract: 一种压电陶瓷组合物，它以包含Sr、Bi、Nb、氧以及单价金属元素的层型铋化合物为基础。所述压电陶瓷组合物的居里点高，在较高温度下很可靠，即能使压电效应的降低很小，它能用作压电陶瓷装置用的材料，它几乎不包含铅或铅化合物。对每摩尔Nb来说，所述层型铋化合物包含不超过约0.125摩尔，且大于0摩尔的单价金属元素。
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公开(公告)号：CN1424990A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN01808268.8
申请日：2001-12-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/00
CPC classification number: C04B35/457 , B32B18/00 , B32B38/0004 , B32B38/145 , B32B2311/06 , C04B35/46 , C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/495 , C04B35/6262 , C04B35/62695 , C04B35/6365 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6587 , C04B2235/72 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C04B2237/408 , C04B2237/50 , C04B2237/704 , G02B1/02 , G02B3/0087 , G02B6/12002 , G02B6/132 , G02B2006/121 , G02F1/0018 , G02F1/055 , H01Q15/02 , Y10S264/91
Abstract: 使透光性陶瓷用陶瓷原料粉末和粘结剂一起成形，将所得成形体埋入与上述陶瓷原料粉末组成相同的陶瓷粉末中，以此状态除去粘结剂后，在氧浓度高于除粘结剂时的氧浓度的氛围气中进行烧结处理，获得通式I：Ba[(SnuZr1－u)xMgyTaz]vOw、通式II：Ba(ZrxMgyTaz)vOw、通式III：Ba[(SnuZr1－u)x(ZntMg1－t)yNbz]vOw表示的折射率在1.9以上、且显现常介电性的透光性陶瓷。
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公开(公告)号：CN1557003A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN03801124.7
申请日：2003-07-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 寺浦亮
IPC: H01C7/10 , C04B35/453
CPC classification number: H01C17/06546 , B32B2311/06 , C04B35/453 , C04B35/62625 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B35/6342 , C04B35/63464 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3284 , C04B2235/3289 , C04B2235/44 , C04B2235/442 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/446 , C04B2235/447 , C04B2235/448 , C04B2235/6025 , C04B2235/96 , C04B2237/34 , C04B2237/408 , H01C7/112 , H01C7/18 , Y10T29/49082
Abstract: 当通过向用于ZnO－Pr体系的可变电阻材料中添加Co或K来制备陶瓷材料粉末时，碱金属K是以KClO4、KHC4H4O6、K2(PtCl6)或K2[Co(NO2)4]的形式加入的。在该陶瓷材料粉末的湿磨期间，向其中加入了0.1至5.0重量％的多羧酸盐分散剂。因此，可以制备出具有高可靠性、高质量、良好而且几乎不变的可变电阻特征例如可变电阻电压VlmA曲和绝缘电阻IR的可变电阻。
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公开(公告)号：CN1368904A
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：CN00811496.X
申请日：2000-07-07
Applicant: 希普雷公司
Inventor： 理查德·W·卡彭特 , 小爱德华·J·里尔登
CPC classification number: B32B27/281 , B32B15/08 , B32B15/092 , B32B15/20 , B32B27/38 , B32B37/025 , B32B2038/0092 , B32B2255/10 , B32B2255/205 , B32B2311/06 , B32B2311/12 , B32B2311/22 , B32B2363/00 , B32B2457/08 , C23C16/18 , C23C16/453 , C23C16/45519 , C23C16/45561 , C23C16/45595 , H05K1/162 , H05K1/167 , H05K3/025 , H05K3/20
Abstract: 本发明涉及在树脂基板(307)上形成非常薄的、均匀的金属层(306),例如在环氧基基板上形成铜涂层。该铜/树脂叠片(306、307)例如可用作制造印刷电路的坯件。
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