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公开(公告)号：CN107204325B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201710378230.5
申请日：2017-05-25
申请人： 成都线易科技有限责任公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
摘要： 本发明实施例提供的电容器阵列及制造方法。电容器阵列包括：第一组电容器和第二组电容器，第一组电容器包括第一电容器和第二电容器，第二组电容器包括第三电容器和第四电容器，第一电容器、第二电容器、第三电容器和第四电容器均为具有镜像对称平面极板的电容器，且包含上层极板和下层极板，第一电容器和第二电容器的同层平面极板以第一对称轴为轴成镜像对称分布，第三电容器和第四电容器的同层平面极板以第二对称轴为轴成镜像对称分布，第一对称轴与第二对称轴之间具有预设角度。所以从一组电容耦合到另一组电容的信号大小完全相等，构成共模信号，该共模信号可以被差分信号检测端口过滤，从而改善了不同电容通道之间的干扰问题。
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公开(公告)号：CN106128719B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610567285.6
申请日：2016-07-18
申请人： 成都线易科技有限责任公司 , 电子科技大学
摘要： 本发明提供的变压器及其制造方法包括第一螺旋形线圈、第二螺旋形线圈、衬底以及绝缘部。衬底的表面可以开设有螺旋形凹槽，第一螺旋形线圈可以放置于螺旋形凹槽中，第二螺旋形线圈可以设置于绝缘部内。第一螺旋形线圈与第二螺旋形线圈之间填充有绝缘材料。由于第一螺旋形线圈放置于螺旋形凹槽内，故可以加深螺旋形凹槽的深度从而增大第一螺旋形线圈的截面积，从而减小电阻。与现有的变压器相比，能够减小变压器中电流较大一侧绕组的功率损耗，并改善现有变压器的圈数与线圈的阻值难以兼顾的问题。
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公开(公告)号：CN107086119A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710371762.6
申请日：2017-05-24
申请人： 成都线易科技有限责任公司 , 电子科技大学
摘要： 本发明实施例提供的导体结构及电容器阵列包括第一主体和多个第一延伸部，第二主体和多个第二延伸部。第一延伸部均与第一主体连接，第一延伸部向第二主体延伸；第二延伸部均与第二主体连接，第二延伸部向第一主体延伸。以第一主体以及第二主体的中线为界，第一延伸部靠近第二主体的一端的面积大于第一延伸部靠近第一主体的一端的面积，第二延伸部靠近第一主体的一端的面积大于第二延伸部靠近第二主体的一端的面积。对于该导体结构一侧的干扰导体而言，远离干扰导体的导体的重心更靠近干扰导体，靠近干扰导体的导体的重心更远离干扰导体，从而使得结构上不能对称的导体结构同样可以产生共模信号，从而容易被差分信号检测端口过滤。
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公开(公告)号：CN106449550B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201610991911.4
申请日：2016-11-10
申请人： 成都线易科技有限责任公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L23/31
摘要： 本发明提供的芯片封装模块包括：待封装芯片、导磁性中间层以及封装基板，所述待封装芯片设置有集成磁性器件，所述导磁性中间层固定连接于所述待封装芯片与所述封装基板之间。由于导磁性中间层可以将集成磁性器件产生的磁场向边缘引导，从而可以减少进入封装基板中的磁场，进而可以减小磁场在封装基板中产生的涡流，提高上述待封装芯片的性能。
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公开(公告)号：CN107104120B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710374569.8
申请日：2017-05-24
申请人： 成都线易科技有限责任公司 , 电子科技大学
摘要： 本发明提供的磁感应器件包括：衬底、第一金属层以及第一介质层，所述衬底的第一表面开设有凹槽，所述第一金属层设置于所述凹槽内，所述第一金属层的表面低于所述第一表面，所述第一金属层的表面与所述第一表面构成第一凹陷部，所述第一介质层设置于所述衬底的第一表面且所述第一介质层填充所述第一凹陷部。本发明实施例提供的磁感应器件以及制造方法通过第一金属层的表面低于衬底表面形成第一凹陷部，且第一介质层设置于衬底表面并填充第一凹陷部，使得第一金属层与表面金属层之间的介质厚度增加而其他区域的介质厚度不变，既能减小寄生电容和提高击穿电压，又能降低衬底翘曲以及介质层剥离的风险。
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公开(公告)号：CN107123505B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201710374584.2
申请日：2017-05-24
申请人： 成都线易科技有限责任公司 , 电子科技大学
摘要： 本发明实施例提供的磁感应器件及制造方法在衬底的第一表面开设有第一凹槽，第一金属层设置在第一凹槽内，且第一金属层的表面低于第一表面，第一金属层的表面与第一表面共同构成第一凹陷部，第一保护层的形状与第一凹陷部的形状相同，且第一保护层覆盖第一凹陷部。本发明实施例中，由于第一金属层的表面低于第一表面，使得覆盖第一金属层的第一保护层互相接触的可能性更小，更有利于提高第一金属层的布线密度，使得磁感应器件在嵌入式金属线的布线密度提高的情况下，不容易由于第一保护层的相互接触而导致短路，有利于提高使用嵌入式金属线的磁感应器件的性能。
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公开(公告)号：CN107204325A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710378230.5
申请日：2017-05-25
申请人： 成都线易科技有限责任公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L21/768 , H01L2221/10
摘要： 本发明实施例提供的电容器阵列及制造方法。电容器阵列包括：第一组电容器和第二组电容器，第一组电容器包括第一电容器和第二电容器，第二组电容器包括第三电容器和第四电容器，第一电容器、第二电容器、第三电容器和第四电容器均为具有镜像对称平面极板的电容器，且包含上层极板和下层极板，第一电容器和第二电容器的同层平面极板以第一对称轴为轴成镜像对称分布，第三电容器和第四电容器的同层平面极板以第二对称轴为轴成镜像对称分布，第一对称轴与第二对称轴之间具有预设角度。所以从一组电容耦合到另一组电容的信号大小完全相等，构成共模信号，该共模信号可以被差分信号检测端口过滤，从而改善了不同电容通道之间的干扰问题。
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公开(公告)号：CN107123505A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710374584.2
申请日：2017-05-24
申请人： 成都线易科技有限责任公司 , 电子科技大学
CPC分类号： H01F17/0013 , C23C28/023 , H01F27/2804 , H01F2017/004 , H01F2017/0086 , H01L28/10
摘要： 本发明实施例提供的磁感应器件及制造方法在衬底的第一表面开设有第一凹槽，第一金属层设置在第一凹槽内，且第一金属层的表面低于第一表面，第一金属层的表面与第一表面共同构成第一凹陷部，第一保护层的形状与第一凹陷部的形状相同，且第一保护层覆盖第一凹陷部。本发明实施例中，由于第一金属层的表面低于第一表面，使得覆盖第一金属层的第一保护层互相接触的可能性更小，更有利于提高第一金属层的布线密度，使得磁感应器件在嵌入式金属线的布线密度提高的情况下，不容易由于第一保护层的相互接触而导致短路，有利于提高使用嵌入式金属线的磁感应器件的性能。
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公开(公告)号：CN107104120A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710374569.8
申请日：2017-05-24
申请人： 成都线易科技有限责任公司 , 电子科技大学
摘要： 本发明提供的磁感应器件包括：衬底、第一金属层以及第一介质层，所述衬底的第一表面开设有凹槽，所述第一金属层设置于所述凹槽内，所述第一金属层的表面低于所述第一表面，所述第一金属层的表面与所述第一表面构成第一凹陷部，所述第一介质层设置于所述衬底的第一表面且所述第一介质层填充所述第一凹陷部。本发明实施例提供的磁感应器件以及制造方法通过第一金属层的表面低于衬底表面形成第一凹陷部，且第一介质层设置于衬底表面并填充第一凹陷部，使得第一金属层与表面金属层之间的介质厚度增加而其他区域的介质厚度不变，既能减小寄生电容和提高击穿电压，又能降低衬底翘曲以及介质层剥离的风险。
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公开(公告)号：CN106449550A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610991911.4
申请日：2016-11-10
申请人： 成都线易科技有限责任公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L23/31
摘要： 本发明提供的芯片封装模块包括：待封装芯片、导磁性中间层以及封装基板，所述待封装芯片设置有集成磁性器件，所述导磁性中间层固定连接于所述待封装芯片与所述封装基板之间。由于导磁性中间层可以将集成磁性器件产生的磁场向边缘引导，从而可以减少进入封装基板中的磁场，进而可以减小磁场在封装基板中产生的涡流，提高上述待封装芯片的性能。
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