发明授权
- 专利标题: 磁感应器件及制造方法
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申请号: CN201710374569.8申请日: 2017-05-24
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公开(公告)号: CN107104120B公开(公告)日: 2019-03-15
- 发明人: 方向明 , 伍荣翔 , 单建安
- 申请人: 成都线易科技有限责任公司 , 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市天府新区天府大道南段846号
- 专利权人: 成都线易科技有限责任公司,电子科技大学
- 当前专利权人: 深圳芯驱半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 518000 广东省深圳市福田区福保街道福保社区深圳福田保税区桃花路东侧福保物流大厦六层D30
- 代理机构: 北京超凡志成知识产权代理事务所
- 代理商 赵志远
- 主分类号: H01L27/22
- IPC分类号: H01L27/22 ; H01L21/82
摘要:
本发明提供的磁感应器件包括:衬底、第一金属层以及第一介质层,所述衬底的第一表面开设有凹槽,所述第一金属层设置于所述凹槽内,所述第一金属层的表面低于所述第一表面,所述第一金属层的表面与所述第一表面构成第一凹陷部,所述第一介质层设置于所述衬底的第一表面且所述第一介质层填充所述第一凹陷部。本发明实施例提供的磁感应器件以及制造方法通过第一金属层的表面低于衬底表面形成第一凹陷部,且第一介质层设置于衬底表面并填充第一凹陷部,使得第一金属层与表面金属层之间的介质厚度增加而其他区域的介质厚度不变,既能减小寄生电容和提高击穿电压,又能降低衬底翘曲以及介质层剥离的风险。
公开/授权文献
- CN107104120A 磁感应器件及制造方法 公开/授权日:2017-08-29
IPC分类: