公开(公告)号：CN108139523B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201680059856.3

申请日：2016-10-14

申请人： 松下半导体解决方案株式会社

发明人： 山中一彦 ,  春日井秀纪 ,  上野博隆 ,  村上公博

IPC分类号： G02B5/20 ,  F21K9/64 ,  F21V7/22 ,  F21V29/502 ,  G02B5/02

摘要： 具备波长转换元件(1)、以及向波长转换元件(1)照射激发光(81)的激发光源(40)的发光装置，波长转换元件(1)，具备具有支撑面(2m)的支撑部件(2)、以及以从支撑面(2m)侧看支撑部件(2)时由支撑部件(2)包围的方式被配置在支撑面(2m)上的波长转换部件(4)，在支撑部件(2)上，配置有波长转换部件(4)的配置区域(2p)的外周部即从波长转换部件(4)露出的外周区域(2e)，具备能够吸收与激发光(81)同一波长的第一光的光吸收部、或能够使第一光散射的光散射部(2s)，在配置区域(2p)，在波长转换部件(4)与支撑部件(2)之间配置有与支撑部件(2)不同的反射部件(反射膜(3))。

公开(公告)号：CN107112281B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201580072311.1

申请日：2015-12-18

申请人： 松下半导体解决方案株式会社

发明人： 中西和幸 ,  松冈大辅

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L23/528 ,  H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/822 ,  H02H9/04 ,  G06F30/392

摘要： 半导体装置(1)具备：第一电路，与接地电源线连接(112)；第二电路，与独立于接地电源线(112)的接地电源线(122)连接，由多个标准单元(23至25)构成；以及保护电路，介于并连接于第一电路以及第二电路之间，保护电路，包括：电阻元件(211)，串联连接于第一电路与第二电路之间；以及保护元件，介于并连接于电阻元件(211)的第二电路侧的节点、与接地电源线(122)之间，将该节点与该接地电源线(122)之间的电位差保持在规定的电压以下，保护电路被形成在保护单元(21以及22)，保护单元(21以及22)是被配置在域(20)的、单元高度为标准单元(23至25)的整数倍的单元。

公开(公告)号：CN108141009B

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201680059866.7

申请日：2016-10-14

申请人： 松下半导体解决方案株式会社

发明人： 山中一彦 ,  森本廉 ,  春日井秀纪 ,  松村一幸 ,  山口秀雄 ,  铃木信靖

IPC分类号： H01S5/022

摘要： 光源装置(1)具备：半导体发光装置(10)，具备具有第一主面(18a)以及第二主面(18b)的平板状的底座(14)、以及被配置在底座(14)的第一主面(18a)侧的半导体发光元件(11)；第一固定部(40)，具备按压第一主面(18a)的第一按压面(44)，且设置有第一贯通孔(46)；以及第二固定部(20)，具备按压第二主面(18b)的第二按压面(24)，且设置有第二贯通孔(26)，通过围住第一固定部(40)的第一贯通孔(46)的第一内侧面(42)与第二固定部(20)的第二外侧面(22)嵌合，从而底座(14)被固定在第一按压面(44)与第二按压面(24)之间，第一按压面(44)与第二按压面(24)的距离为底座(14)的厚度以下，并且，在底座(14)侧方，在第一按压面(44)与第二按压面(24)之间形成有空隙部(35)。

公开(公告)号：CN111684609A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201980011551.9

申请日：2019-02-08

申请人： 松下半导体解决方案株式会社

发明人： 田丸雅规 ,  吉田一磨 ,  大辻通也 ,  福岛哲之

IPC分类号： H01L29/78

摘要： 半导体装置具备第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)，第1晶体管(T1)具有第1体层(113)、第1连接部(113A)，第2晶体管(T2)具有第2体层(123)、第2连接部(123A)，在第2连接部(123A)以及第2体层(123)的路径中，从第1源极电极(115)到第2体层(123)中阻抗成为最大的位置为止的第2阻抗，比在第1连接部(113A)以及第1体层(113)的路径中，从第1源极电极(115)到第1体层(113)中阻抗成为最大的位置为止的第1阻抗大。

公开(公告)号：CN111566935A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201880086069.7

申请日：2018-12-11

申请人： 松下半导体解决方案株式会社

发明人： 中西和幸

IPC分类号： H03K3/037 ,  G01R31/28 ,  H03K3/3562

摘要： 具备具有第一从锁存器的第一触发器(1a)、具有第二从锁存器的第二触发器(2a)、以及向第一触发器(1a)和第二触发器(2a)供给共通的时钟信号的时钟生成电路(3)，第一从锁存器具有第一反相器(I14)、以来自第一反相器(I14)的输出信号作为输入的第一反馈反相器(I15)、以及连接在第一反相器(I14)的输入端子与第一反馈反相器(I15)的输出端子之间的第一开关(S13)，从第一反馈反相器(I15)的输出端子输出第一触发器(1a)的输出信号。

公开(公告)号：CN111034179A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880050717.3

申请日：2018-08-09

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 松尾纯一 ,  铃木静

IPC分类号： H04N5/3745 ,  G01S17/89 ,  H04N5/33

摘要： 固体摄像装置(100)，具备：多个像素(13C)，具有光电转换部(1)和多个第一传送电极(3)，以矩阵状配置；以及多个控制线(12)，与在特定的行上排列的多个像素(13C)中的相互对应的第一传送电极(3)的每一个连接；多个像素(13C)包括将可视光受光的多个第1像素(13Ca)和将红外光受光的多个第2像素(13Cb)，多个像素(13C)的一部分即浮置扩散层保有像素(13Cc)具备浮置扩散层(4)和读出电路(5)，浮置扩散层非保有像素(13Cd)与在列方向上排列的第1像素(13Ca)中的1个共用浮置扩散层(4)，多个控制线(12)中的至少一部分，还与相对于在上述特定的行上排列的多个像素(13C)的每一个分别在列方向上邻接而排列的共用至少1个浮置扩散层(4)的像素的第一传送电极(3)连接。

公开(公告)号：CN110326091A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201880013005.4

申请日：2018-02-26

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 山本兴辉 ,  上谷昌稔 ,  松田慎吾 ,  杉山宽 ,  本吉要 ,  中山雅央

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/812

摘要： 高频用晶体管具有源极电极(3)、漏极电极(2)、栅极电极(1)、以及向栅极电极(1)施加电压的栅极驱动布线(12)，在栅极电极(1)与栅极驱动布线(12)之间连接有阻抗调整电路(4)，从阻抗调整电路(4)来看与栅极电极(1)的连接点时的栅极电极(1)的特性阻抗为Z1，从阻抗调整电路(4)来看与栅极驱动布线(12)的连接点时的栅极驱动布线(12)的特性阻抗为Z2，阻抗调整电路(4)的特性阻抗X为Z1与Z2之间的值。

公开(公告)号：CN109891313A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780067686.8

申请日：2017-10-26

申请人： 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

发明人： 铃木润 ,  吉泽昭浩 ,  野崎秀树 ,  远藤聪 ,  福田贤二 ,  后藤洋昭

IPC分类号： G02F1/1368 ,  G01R31/00 ,  G02F1/13 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

摘要： 一种具有有源矩阵方式的液晶面板的液晶显示装置。液晶显示装置具有源极线及栅极线、像素电极、开关元件、源极驱动器、栅极驱动器以及故障检查电路。源极线和栅极线被配置成格子状。像素电极配置于由源极线和栅极线划分出的像素区域。开关元件与像素电极对应地配置。源极驱动器对源极线进行驱动。栅极驱动器对栅极线进行驱动。故障检查电路与源极线或栅极线连接，进行源极线或栅极线的检查。故障检查电路具有：监视输入信号线；监视输出信号线；判定电路，其对来自监视输出信号线的输出信号的电压水平进行检测；以及期待值比较电路，其对来自判定电路的输出与期待值进行比较。

公开(公告)号：CN109564877A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201880002960.8

申请日：2018-05-24

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 生田晃久 ,  樱井浩司 ,  金井悟

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

摘要： 在具备SOI结构的半导体装置中，源极区域(9)和漏极区域(7)沿着相对置的长度最长的方向即长边方向伸长，且在与长边方向正交的方向即短边方向上排列配置。体区域(4)配置为，在平面视图下，在长边方向上伸长，且被漂移区域(5)及绝缘体区域(11)包围。在此，随着从体区域(4)的长边方向的中央部朝向末端部，绝缘体区域(11)与体区域(4)的短边方向的间隔变窄。由此实现高耐压化。

公开(公告)号：CN104137416B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201380010983.0

申请日：2013-02-06

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 宫本信次 ,  山根一郎 ,  藤山博邦

IPC分类号： H03K17/22

CPC分类号： H03K17/223

摘要： 本发明提供一种电压检测电路，设置：基准电压电流源(153)，其生成基准电压(VREF)和基准电流(IREF)；开关元件(102)，其在基准电压(VREF)比规定的阈值电压高时，从断开状态转变为接通状态；电流镜电路(104)，其使相当于基准电流(IREF)的电流流过接通状态的开关元件(102)；电容元件(101)，其被流过开关元件(102)的电流充电；和反相器(105)，其将基于电容元件(101)的端子电压而被激活的使能信号(EN)输出。