发明公开
- 专利标题： 半导体装置
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申请号： CN201980011551.9申请日： 2019-02-08
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公开(公告)号： CN111684609A公开(公告)日： 2020-09-18
- 发明人: 田丸雅规 , 吉田一磨 , 大辻通也 , 福岛哲之
- 申请人： 松下半导体解决方案株式会社
- 申请人地址： 日本京都府
- 专利权人： 松下半导体解决方案株式会社
- 当前专利权人： 松下半导体解决方案株式会社
- 当前专利权人地址： 日本京都府
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 吕文卓
- 优先权： 62/629,553 2018.02.12 US
- 国际申请： PCT/JP2019/004626 2019.02.08
- 国际公布： WO2019/156215 JA 2019.08.15
- 进入国家日期： 2020-08-04
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78
摘要：
半导体装置具备第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)，第1晶体管(T1)具有第1体层(113)、第1连接部(113A)，第2晶体管(T2)具有第2体层(123)、第2连接部(123A)，在第2连接部(123A)以及第2体层(123)的路径中，从第1源极电极(115)到第2体层(123)中阻抗成为最大的位置为止的第2阻抗，比在第1连接部(113A)以及第1体层(113)的路径中，从第1源极电极(115)到第1体层(113)中阻抗成为最大的位置为止的第1阻抗大。
公开/授权文献
- CN111684609B 半导体装置 公开/授权日：2021-10-19
IPC分类:
