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公开(公告)号：CN100375263C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410085563.1
申请日：2000-05-25
IPC: H01L21/68
CPC classification number: B23Q3/15 , B23Q3/154 , H01L21/6833 , H02N13/00
Abstract: 根据本发明，提供一种用于静电吸引绝缘基片的静电吸盘、使用静电吸盘加热/冷却绝缘基片的装置、和控制绝缘基片温度的方法。公开了形成静电吸盘的绝缘材料的形状和特性、和电极的形状。还公开了包括板、气体输送管道和温度控制系统的用于加热/冷却绝缘基片的装置、和其中安装了用于加热/冷却绝缘基片的装置的用于处理绝缘基片的装置。
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公开(公告)号：CN105000384B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201510192376.1
申请日：2015-04-22
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: B65G49/06 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种保持装置和真空处理装置。不向真空环境中排出粘附衬垫的排出气体地对保持对象物进行真空处理。在保持装置（11）的真空容器（15）的内部设置粘附衬垫（17），在将保持对象物（5）粘附保持的状态下，向配置在真空容器（15）的边缘上的接触部（18）按压，使真空容器（15）的内部空间（25）从外部空间（26）分离。预先将真空容器（15）的内部空间（25）从设置在真空容器（15）上的排气孔（14）真空排气，当进行真空处理时，使排气孔（14）成为气体不穿过的状态，使得来自粘附衬垫（17）的排出气体不排出到对保持对象物（5）进行真空处理的环境内。
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公开(公告)号：CN107615474A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680032106.7
申请日：2016-04-01
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15
Abstract: 本发明提供一种抑制吸附对象物的吸附和剥离时的灰尘的产生并且能够以使吸附装置的吸附力均匀的方式进行控制的技术。本发明的吸附装置具有在电介质中具有吸附电极11、12的主体部50、以及被设置在主体部50的吸附侧的表面并且对基板进行吸附的吸附部51。吸附部51具有与基板接触来支承的接触支承部52、以及不与基板接触的非接触部53，在吸附部51中，被构成为接触支承部52的材料的体积电阻率比非接触部53的材料的体积电阻率大。
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公开(公告)号：CN103733318B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280040387.2
申请日：2012-08-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: B01J3/006 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01L21/6831
Abstract: 提供一种真空处理装置以及真空处理方法，能够在进行等离子处理时强力吸附保持绝缘性基板。真空处理装置（1）具有：接地的真空槽（11），与真空槽（11）相连的真空排气装置（19），配置在真空槽（11）内部的吸附装置（40），对设在吸附装置（40）上的单极（3）外加输出电压的吸附用电源（16），向真空槽（11）内导入等离子生成气体的等离子生成气体导入装置（21），以及使等离子生成气体为等离子的等离子生成部（20），将处理对象物（6）配置在吸附装置（40）上，当通过吸附用电源（16）对单极（3）外加输出电圧时，在真空槽内（11）内生成等离子，并且当将处理对象物（6）吸附在吸附装置上时，通过等离子进行处理，其中，处理对象物（6）使用绝缘性基板，吸附用电源（16）向单极（3）输出正电圧和负电圧周期地变化的输出电圧。
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公开(公告)号：CN105792755A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480063391.X
申请日：2014-10-15
Applicant: 株式会社爱发科 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: A61B8/0891 , A61B8/4483
Abstract: 提供一种不受超声波探头放在皮肤表面上时的位置的影响，可可靠地测量血管直径的超声波探头。使用脉冲回波法测量活体的血管(B)直径的本发明的超声波探头(P)包括：施加有脉冲电压并向血管发送超声波的发射部(2)；以及接收碰到血管后反射的反射波的接收部(3)。发射部设置为在同一平面内以蜂窝状配置的多个俯视图为正六边形的压电元件(22)，有选择地分别向各压电元件施加脉冲电压(E)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107615474B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201680032106.7
申请日：2016-04-01
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15
Abstract: 本发明提供一种抑制吸附对象物的吸附和剥离时的灰尘的产生并且能够以使吸附装置的吸附力均匀的方式进行控制的技术。本发明的吸附装置具有在电介质中具有吸附电极11、12的主体部50、以及被设置在主体部50的吸附侧的表面并且对基板进行吸附的吸附部51。吸附部51具有与基板接触来支承的接触支承部52、以及不与基板接触的非接触部53，在吸附部51中，被构成为接触支承部52的材料的体积电阻率比非接触部53的材料的体积电阻率大。
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公开(公告)号：CN107431040A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680022120.9
申请日：2016-04-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , B65G49/00 , H02N13/00
Abstract: 【课题】提供吸附力不会变弱的吸附装置。【解决方案】将吸附装置19a的受电端子24配置于受电侧凹部23内，能够利用盖部25a盖上。在对基板51~53进行吸附时，将吸附装置19a载置于供电台18a上，使供电端子64与受电端子24接触，对基板51~53与吸附电极22之间的等效电容进行充电。在使吸附装置19a移动时，一边由于等效电容的残留电荷吸附基板51~53一边利用盖部25a盖上受电侧凹部23，真空槽中的残留气体不会与受电端子24接触。没有受电端子24腐蚀或者形成薄膜的情况，不会放出等效电容的残留电荷。
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公开(公告)号：CN1595631A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410085562.7
申请日：2000-05-25
IPC: H01L21/68
CPC classification number: B23Q3/15 , B23Q3/154 , H01L21/6833 , H02N13/00
Abstract: 根据本发明，提供一种用于静电吸引绝缘基片的静电吸盘、使用静电吸盘加热/冷却绝缘基片的装置、和控制绝缘基片温度的方法。公开了形成静电吸盘的绝缘材料的形状和特性、和电极的形状。还公开了包括板、气体输送管道和温度控制系统的用于加热/冷却绝缘基片的装置、和其中安装了用于加热/冷却绝缘基片的装置的用于处理绝缘基片的装置。
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公开(公告)号：CN1365518A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN00810884.6
申请日：2000-05-25
CPC classification number: B23Q3/15 , B23Q3/154 , H01L21/6833 , H02N13/00
Abstract: 根据本发明,提供一种用于静电吸引绝缘基片的静电吸盘、使用静电吸盘加热/冷却绝缘基片的装置、和控制绝缘基片温度的方法。公开了形成静电吸盘的绝缘材料的形状和特性、和电极的形状。还公开了包括板、气体输送管道和温度控制系统的用于加热/冷却绝缘基片的装置、和其中安装了用于加热/冷却绝缘基片的装置的用于处理绝缘基片的装置。
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公开(公告)号：CN117897517A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202380013279.4
申请日：2023-10-26
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的一个方式的真空处理装置具有真空腔室、支承体以及表面处理单元。所述支承体具有基底部和表面层。所述基底部配置在所述真空腔室内，由导电体构成。所述表面层由电介质构成，覆盖所述基底部的表面。所述表面层具有对作为处理对象的基材进行静电吸附的支承面。所述表面处理单元对吸附在所述支承面的所述基材的表面进行处理。所述表面层的厚度为200μm以上且800μm以下，所述支承面的表面粗糙度(Ra)为0.06μm以上且0.2μm以下，并且截面高度50％以上的支承长度率为90％以上。
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