层压体的形成方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101841980B

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201010139007.3

    申请日:2010-03-19

    Abstract: 本发明提供一种即能连续地进行硅烷偶联剂处理工序,也能够容易地维持与由绝缘树脂等所形成的树脂层的粘着性,并且可降低制造成本的层压体的形成方法;本发明涉及一种层压体的形成方法,其连续进行如下工序:硅烷偶联剂处理工序,在金属层表面涂布硅烷偶联剂水溶液,使所得的涂层膜干燥而形成硅烷偶联剂皮膜;层压工序,在所述硅烷偶联剂皮膜上层压树脂层,其特征在于,在进行所述硅烷偶联剂处理工序时,利用反射吸收光谱法的FT-IR光谱对所形成的硅烷偶联剂皮膜进行分析,当Si-O的峰面积变得小于规定阈值时,一面更新所述硅烷偶联剂水溶液的至少一部分而将所述峰面积管理在规定范围内,一面进行硅烷偶联剂处理。本发明可以防止浪费液体交换,降低制造成本。

    层压体的形成方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101841980A

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN201010139007.3

    申请日:2010-03-19

    Abstract: 本发明提供一种即能连续地进行硅烷偶联剂处理工序,也能够容易地维持与由绝缘树脂等所形成的树脂层的粘着性,并且可降低制造成本的层压体的形成方法;本发明涉及一种层压体的形成方法,其连续进行如下工序:硅烷偶联剂处理工序,在金属层表面涂布硅烷偶联剂水溶液,使所得的涂层膜干燥而形成硅烷偶联剂皮膜;层压工序,在所述硅烷偶联剂皮膜上层压树脂层,其特征在于,在进行所述硅烷偶联剂处理工序时,利用反射吸收光谱法的FT-IR光谱对所形成的硅烷偶联剂皮膜进行分析,当Si-O的峰面积变得小于规定阈值时,一面更新所述硅烷偶联剂水溶液的至少一部分而将所述峰面积管理在规定范围内,一面进行硅烷偶联剂处理。本发明可以防止浪费液体交换,降低制造成本。

    粘着层形成液以及粘着层形成方法

    公开(公告)号:CN101736331A

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200910207412.1

    申请日:2009-10-30

    CPC classification number: C25D5/48 H05K3/384 H05K2203/0361 H05K2203/073

    Abstract: 本发明提供一种既能容易维持粘着层的形成性能,又能确保与树脂的密着性的粘着层的形成液以及使用该粘着层形成液的粘着层形成方法;本发明的粘着层形成液,其形成用于使铜和树脂粘着的粘着层,它是含有酸、亚锡盐、锡盐、络合剂以及稳定剂的水溶液,在制备时,以将所述亚锡盐的浓度作为2价锡离子的浓度而设为A重量%,将所述锡盐的浓度作为4价锡离子的浓度而设为B重量%时,B/A的值达到0.010以上1.000以下的方式进行制备。

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