铜微蚀刻剂及其补充液、以及电路板的制造方法

    公开(公告)号:CN103890233B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201380003526.9

    申请日:2013-06-25

    Abstract: 本发明公开了一种铜微蚀刻剂、及用来添加到此铜微蚀刻剂的补给液、以及使用所述铜微蚀刻剂的电路板的制造方法。铜微蚀刻剂由含有铜离子、有机酸、卤化物离子、聚合物及非离子性表面活性剂的水溶液构成。所述聚合物为具有多胺链及/或阳离子性基,且重量平均分子量为1000以上的水溶性聚合物。本发明的铜微蚀刻剂,当以所述卤化物离子的浓度作为A重量%,以所述聚合物的浓度作为B重量%,以所述非离子性表面活性剂的浓度作为D重量%时,优选为A/B的值为2000~9000,且A/D的值为500~9000。通过使用所述蚀刻剂,即使是低蚀刻量也可均匀维持与树脂等的粘着性。

    铜微蚀刻剂及其补充液、以及电路板的制造方法

    公开(公告)号:CN103890233A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201380003526.9

    申请日:2013-06-25

    Abstract: 本发明公开了一种铜微蚀刻剂、及用来添加到此铜微蚀刻剂的补给液、以及使用所述铜微蚀刻剂的电路板的制造方法。铜微蚀刻剂由含有铜离子、有机酸、卤化物离子、聚合物及非离子性表面活性剂的水溶液构成。所述聚合物为具有多胺链及/或阳离子性基,且重量平均分子量为1000以上的水溶性聚合物。本发明的铜微蚀刻剂,当以所述卤化物离子的浓度作为A重量%,以所述聚合物的浓度作为B重量%,以所述非离子性表面活性剂的浓度作为D重量%时,优选为A/B的值为2000~9000,且A/D的值为500~9000。通过使用所述蚀刻剂,即使是低蚀刻量也可均匀维持与树脂等的粘着性。

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