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公开(公告)号：CN111094628B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201880058835.9
申请日：2018-08-20
Applicant: MEC股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微蚀刻剂，所述微蚀刻剂包含有机酸、二价铜离子以及卤化物离子的酸性水溶液。卤化物离子的摩尔浓度为0.005摩尔/L至0.1摩尔/L。通过使微蚀刻剂接触铜的表面而粗化铜表面。粗化时的深度方向的平均蚀刻量优选为0.4μm以下。本发明的微蚀刻剂即使在低蚀刻量下，也可于铜表面形成与树脂等的密合性优异的粗化形状。
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公开(公告)号：CN111094628A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880058835.9
申请日：2018-08-20
Applicant: MEC股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微蚀刻剂，所述微蚀刻剂包含有机酸、二价铜离子以及卤化物离子的酸性水溶液。卤化物离子的摩尔浓度为0.005摩尔/L至0.1摩尔/L。通过使微蚀刻剂接触铜的表面而粗化铜表面。粗化时的深度方向的平均蚀刻量优选为0.4μm以下。本发明的微蚀刻剂即使在低蚀刻量下，也可于铜表面形成与树脂等的密合性优异的粗化形状。
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公开(公告)号：CN107208280A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007726.5
申请日：2016-01-21
Applicant: MEC股份有限公司
CPC classification number: C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/32133 , H05K3/108
Abstract: 本发明的目的在于提供一种蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法，所述蚀刻液可在铜的存在下选择性地蚀刻钛，而且毒性低，保存稳定性优异。本发明的蚀刻液含有选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸与选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的群组中的至少一种有机硫化合物，可在铜的存在下选择性地蚀刻钛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118420553B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202410097542.9
申请日：2024-01-23
Applicant: MEC股份有限公司
IPC: C07D251/54 , B29C63/00 , B29C63/02 , C07D251/70 , C07F7/18
Abstract: 化合物(A)具有键结于1,3,5‑三嗪环的碳原子的取代基Q1至取代基Q6。取代基Q1至取代基Q6中，至少1个为X，至少1个为Y。R1为氢原子或碳数1至12的烷基。R2为氢原子、或者选自由碳数1至12的烷基、碳数6至25的芳基以及碳数7至30的芳烷基所组成的群组中的1价烃基。R51及R52为2价有机基。a为1至3的整数，#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118420553A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410097542.9
申请日：2024-01-23
Applicant: MEC股份有限公司
IPC: C07D251/54 , B29C63/00 , B29C63/02 , C07D251/70 , C07F7/18
Abstract: 化合物(A)具有键结于1,3,5‑三嗪环的碳原子的取代基Q1至取代基Q6。取代基Q1至取代基Q6中，至少1个为X，至少1个为Y。R1为氢原子或碳数1至12的烷基。R2为氢原子、或者选自由碳数1至12的烷基、碳数6至25的芳基以及碳数7至30的芳烷基所组成的群组中的1价烃基。R51及R52为2价有机基。a为1至3的整数。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN107208280B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201680007726.5
申请日：2016-01-21
Applicant: MEC股份有限公司
CPC classification number: C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/32133 , H05K3/108
Abstract: 本发明的目的在于提供一种蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法，所述蚀刻液可在铜的存在下选择性地蚀刻钛，而且毒性低，保存稳定性优异。本发明的蚀刻液含有选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸与选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的群组中的至少一种有机硫化合物，可在铜的存在下选择性地蚀刻钛。
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公开(公告)号：CN103890233B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201380003526.9
申请日：2013-06-25
Applicant: MEC股份有限公司
IPC: C23F1/18 , H01L21/308 , H05K3/38
CPC classification number: C23F1/18 , H05K3/067 , H05K3/383 , H05K2203/0307 , H05K2203/0789
Abstract: 本发明公开了一种铜微蚀刻剂、及用来添加到此铜微蚀刻剂的补给液、以及使用所述铜微蚀刻剂的电路板的制造方法。铜微蚀刻剂由含有铜离子、有机酸、卤化物离子、聚合物及非离子性表面活性剂的水溶液构成。所述聚合物为具有多胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量为1000以上的水溶性聚合物。本发明的铜微蚀刻剂，当以所述卤化物离子的浓度作为A重量%，以所述聚合物的浓度作为B重量%，以所述非离子性表面活性剂的浓度作为D重量%时，优选为A/B的值为2000～9000，且A/D的值为500～9000。通过使用所述蚀刻剂，即使是低蚀刻量也可均匀维持与树脂等的粘着性。
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公开(公告)号：CN103890233A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201380003526.9
申请日：2013-06-25
Applicant: MEC股份有限公司
IPC: C23F1/18 , H01L21/308 , H05K3/38
CPC classification number: C23F1/18 , H05K3/067 , H05K3/383 , H05K2203/0307 , H05K2203/0789
Abstract: 本发明公开了一种铜微蚀刻剂、及用来添加到此铜微蚀刻剂的补给液、以及使用所述铜微蚀刻剂的电路板的制造方法。铜微蚀刻剂由含有铜离子、有机酸、卤化物离子、聚合物及非离子性表面活性剂的水溶液构成。所述聚合物为具有多胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量为1000以上的水溶性聚合物。本发明的铜微蚀刻剂，当以所述卤化物离子的浓度作为A重量%，以所述聚合物的浓度作为B重量%，以所述非离子性表面活性剂的浓度作为D重量%时，优选为A/B的值为2000～9000，且A/D的值为500～9000。通过使用所述蚀刻剂，即使是低蚀刻量也可均匀维持与树脂等的粘着性。
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