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公开(公告)号：CN101445933A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810179114.1
申请日：2008-11-25
Applicant: MEC股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种蚀刻剂，在半加成法中除去化学镀铜层时，能够防止布线图案的尺寸精度的降低。本发明的第1蚀刻剂的特征在于，是含有硫酸、过氧化氢和水的铜的蚀刻剂，其中，含有在分子中具有羧基和羟基中的至少一方两个以上的苯并三唑衍生物。本发明的第2蚀刻剂的特征在于，是含有硫酸、过氧化氢和水的铜的蚀刻剂，其中，含有仅具有氮原子作为存在于环内的杂原子的吡咯类、以及具有两个以上羧基的多元酸或其盐。
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公开(公告)号：CN103781941A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201380000897.1
申请日：2013-03-04
Applicant: MEC股份有限公司
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/34 , H05K3/0085 , H05K3/022 , H05K3/383 , H05K2203/0307 , H05K2203/0789
Abstract: 本发明提供微蚀刻剂及其补给液、以及使用微蚀刻剂的配线基板的制造方法。本发明之微蚀刻剂为由包含铜离子、有机酸、卤化物离子、含有分子量为17～400的胺基之化合物及聚合物之水溶液所形成。所述聚合物为具有聚胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量为1000以上之水溶性聚合物。本发明之微蚀刻剂在将含有胺基之化合物的浓度设为A重量%，聚合物的浓度设为B重量%时，A/B的值为50～6000。依据本发明，即便是低蚀刻量也能维持铜与树脂等的密着性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101445933B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200810179114.1
申请日：2008-11-25
Applicant: MEC股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种蚀刻剂，在半加成法中除去化学镀铜层时，能够防止布线图案的尺寸精度的降低。本发明的第1蚀刻剂的特征在于，是含有硫酸、过氧化氢和水的铜的蚀刻剂，其中，含有在分子中具有羧基和羟基中的至少一方两个以上的苯并三唑衍生物。本发明的第2蚀刻剂的特征在于，是含有硫酸、过氧化氢和水的铜的蚀刻剂，其中，含有仅具有氮原子作为存在于环内的杂原子的吡咯类、以及具有两个以上羧基的多元酸或其盐。
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公开(公告)号：CN103890233B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201380003526.9
申请日：2013-06-25
Applicant: MEC股份有限公司
IPC: C23F1/18 , H01L21/308 , H05K3/38
CPC classification number: C23F1/18 , H05K3/067 , H05K3/383 , H05K2203/0307 , H05K2203/0789
Abstract: 本发明公开了一种铜微蚀刻剂、及用来添加到此铜微蚀刻剂的补给液、以及使用所述铜微蚀刻剂的电路板的制造方法。铜微蚀刻剂由含有铜离子、有机酸、卤化物离子、聚合物及非离子性表面活性剂的水溶液构成。所述聚合物为具有多胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量为1000以上的水溶性聚合物。本发明的铜微蚀刻剂，当以所述卤化物离子的浓度作为A重量%，以所述聚合物的浓度作为B重量%，以所述非离子性表面活性剂的浓度作为D重量%时，优选为A/B的值为2000～9000，且A/D的值为500～9000。通过使用所述蚀刻剂，即使是低蚀刻量也可均匀维持与树脂等的粘着性。
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公开(公告)号：CN103781941B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380000897.1
申请日：2013-03-04
Applicant: MEC股份有限公司
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/34 , H05K3/0085 , H05K3/022 , H05K3/383 , H05K2203/0307 , H05K2203/0789
Abstract: 本发明提供微蚀刻剂及其补给液、以及使用微蚀刻剂的配线基板的制造方法。本发明之微蚀刻剂为由包含铜离子、有机酸、卤化物离子、分子量为17～400的含有胺基之化合物及聚合物之水溶液所形成。所述聚合物为具有聚胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量为1000以上之水溶性聚合物。本发明之微蚀刻剂在将含有胺基之化合物的浓度设为A重量％，聚合物的浓度设为B重量％时，A/B的值为50～6000。依据本发明，即便是低蚀刻量也能维持铜与树脂等的密着性。
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公开(公告)号：CN103890233A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201380003526.9
申请日：2013-06-25
Applicant: MEC股份有限公司
IPC: C23F1/18 , H01L21/308 , H05K3/38
CPC classification number: C23F1/18 , H05K3/067 , H05K3/383 , H05K2203/0307 , H05K2203/0789
Abstract: 本发明公开了一种铜微蚀刻剂、及用来添加到此铜微蚀刻剂的补给液、以及使用所述铜微蚀刻剂的电路板的制造方法。铜微蚀刻剂由含有铜离子、有机酸、卤化物离子、聚合物及非离子性表面活性剂的水溶液构成。所述聚合物为具有多胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量为1000以上的水溶性聚合物。本发明的铜微蚀刻剂，当以所述卤化物离子的浓度作为A重量%，以所述聚合物的浓度作为B重量%，以所述非离子性表面活性剂的浓度作为D重量%时，优选为A/B的值为2000～9000，且A/D的值为500～9000。通过使用所述蚀刻剂，即使是低蚀刻量也可均匀维持与树脂等的粘着性。
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