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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107208280A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007726.5
申请日：2016-01-21
Applicant: MEC股份有限公司
CPC classification number: C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/32133 , H05K3/108
Abstract: 本发明的目的在于提供一种蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法，所述蚀刻液可在铜的存在下选择性地蚀刻钛，而且毒性低，保存稳定性优异。本发明的蚀刻液含有选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸与选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的群组中的至少一种有机硫化合物，可在铜的存在下选择性地蚀刻钛。
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公开(公告)号：CN113026008A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110219098.X
申请日：2021-02-26
Applicant: MEC股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于在金属表面形成与树脂的粘接性优异的覆膜的覆膜形成用组合物、及具备使用该组合物所形成的覆膜的表面处理金属构件。覆膜形成用组合物为含有含氨基的硅烷偶合剂、金属离子以及卤化物离子的溶液。金属离子优选为铜离子，溶液中的铜离子浓度优选为0.1mM至60mM。溶液中的Si量相对于Cu量以摩尔比计优选为30以下。溶液的pH值优选为2.8至6.2。
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公开(公告)号：CN107208280B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201680007726.5
申请日：2016-01-21
Applicant: MEC股份有限公司
CPC classification number: C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/32133 , H05K3/108
Abstract: 本发明的目的在于提供一种蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法，所述蚀刻液可在铜的存在下选择性地蚀刻钛，而且毒性低，保存稳定性优异。本发明的蚀刻液含有选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸与选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的群组中的至少一种有机硫化合物，可在铜的存在下选择性地蚀刻钛。
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公开(公告)号：CN119156440A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202380033074.2
申请日：2023-02-14
Applicant: MEC股份有限公司
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制铜的蚀刻，并且去除附着于铜配线表面的有机物或铜氧化物的洗净剂。本发明的洗净剂包含水溶性羧酸和过氧化氢，上述过氧化氢的浓度未达0.75重量％，并且上述洗净剂的pH值未达2.5。通过水溶性羧酸，能够从铜配线表面去除铜氧化物。通过过氧化氢，能够去除附着于铜配线表面的有机物。认为其原因在于，在洗净剂中，过氧化氢与水溶性羧酸进行反应，由此生成过氧羧酸。亦能够抑制铜配线的蚀刻。认为其原因在于，水溶性羧酸吸附于铜表面。由于未达0.75重量％，故而能够进一步抑制蚀刻。由于pH值未达2.5，故而能够进一步去除铜氧化物。
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