铜的微蚀刻剂以及配线基板的制造方法

    公开(公告)号:CN111051571A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201880054465.1

    申请日:2018-05-28

    Abstract: 本发明的微蚀刻剂包含无机酸、铜离子、卤化物离子以及水溶性阳离子聚合物,该水溶性阳离子聚合物在侧链上含有四级铵基,且重量平均分子量为1000以上。微蚀刻剂中的卤化物离子的摩尔浓度为铜离子的摩尔浓度的5倍至100倍。微蚀刻剂的pH优选为2以下。通过使用该微蚀刻剂,即便为低蚀刻量,也可于铜表面形成与树脂等的密接性优异的粗化形状。

    蚀刻液、补充液及线路形成方法

    公开(公告)号:CN105143515A

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201480021975.0

    申请日:2014-02-19

    CPC classification number: H05K3/067 C23F1/18 H05K2201/0338

    Abstract: 本发明涉及可抑制铜线路图案的侧蚀的铜的蚀刻液、其补充液及线路形成方法。铜的蚀刻液包括包含铜离子、卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液,所述非离子性界面活性剂的浊点为15~55℃。根据本发明的线路形成方法,通过将所述蚀刻液依序接触铜层(3)及金属氧化物层(2),可形成包含经图案化的金属氧化物层(9)及铜线路图案(7)的叠层线路图案(10)。

    蚀刻液及线路形成方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105143515B

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201480021975.0

    申请日:2014-02-19

    Abstract: 本发明涉及可抑制铜线路图案的侧蚀的铜的蚀刻液、其补充液及线路形成方法。铜的蚀刻液包括包含铜离子、卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液,所述非离子性界面活性剂的浊点为15~55℃。根据本发明的线路形成方法,通过将所述蚀刻液依序接触铜层(3)及金属氧化物层(2),可形成包含经图案化的金属氧化物层(9)及铜线路图案(7)的叠层线路图案(10)。

    配线形成方法、配线形成用蚀刻液

    公开(公告)号:CN103173226A

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:CN201210524348.1

    申请日:2012-12-07

    Abstract: 本发明提供一种能够选择性地蚀刻金属氧化物层的配线形成方法、配线形成用蚀刻液。在本发明的制造方法中,通过实施使蚀刻液与在表面形成有含铜层的导体图案的金属氧化物层的未层叠有上述导体图案的部分进行接触,蚀刻上述部分的金属氧化物层的蚀刻工序,从而形成含有经图案化的金属氧化物层和上述铜层的配线。上述金属氧化物层含有选自锌、锡、铝、铟和镓中的一种以上的金属的氧化物。上述蚀刻液是含有硫羰基化合物和卤化物离子的酸性水溶液。

    配线形成方法、配线形成用蚀刻液

    公开(公告)号:CN103173226B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201210524348.1

    申请日:2012-12-07

    Abstract: 本发明提供一种能够选择性地蚀刻金属氧化物层的配线形成方法以及配线形成用蚀刻液。在本发明的制造方法中,通过实施使蚀刻液与在表面形成有含铜层的导体图案的金属氧化物层的未层叠有上述导体图案的部分进行接触,蚀刻上述部分的金属氧化物层的蚀刻工序,从而形成含有经图案化的金属氧化物层和上述铜层的配线。上述金属氧化物层含有选自锌、锡、铝、铟和镓中的一种以上的金属的氧化物。上述蚀刻液是含有硫羰基化合物和卤化物离子的酸性水溶液。

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